你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施

發(fā)布時(shí)間:2021-10-20 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】傳導(dǎo)干擾主要評(píng)估輸入和輸出線上流過(guò)的干擾噪聲。待測(cè)試的設(shè)備EUT通過(guò)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)LISN 連接到干凈的交流電源上。

 

一 傳導(dǎo)干擾概念


傳導(dǎo)干擾主要評(píng)估輸入和輸出線上流過(guò)的干擾噪聲。待測(cè)試的設(shè)備EUT通過(guò)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)LISN 連接到干凈的交流電源上。


(一)LISN的作用如下


1.隔離待測(cè)試設(shè)備EUT和交流輸入電源,濾除由輸入電源線引入的噪聲及干擾。


2.EUT產(chǎn)生的干擾噪聲依次通過(guò)LISN內(nèi)部的高通濾波器和50 ?電阻,在50 ?電阻上得到相應(yīng)的信號(hào)值送到接收機(jī)進(jìn)行分析。


(二)測(cè)試原理分析


傳導(dǎo)干擾來(lái)源于差模電流噪聲和共模電流噪聲,這兩種類型的噪聲干擾如下圖所示:


電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施

圖2: 差模電流和共模電流


1.差模電流在兩根輸入電源線間反方向流動(dòng),兩者相互構(gòu)成電流回路,即一根作為差模電流的源線,一根作為差模電流的回線。


2.共模電流在兩根輸入電源線上同方向流動(dòng),它們分別與大地構(gòu)成電流回路,即同時(shí)作為共模電流的源線或回線。


二噪聲產(chǎn)生原因及解決措施


(一)共模電流


1.共模電流產(chǎn)生原因


共模電流在輸入及輸出線與大地間流動(dòng),其產(chǎn)生主要是功率器件高頻工作時(shí)產(chǎn)生的電壓的瞬態(tài)的變化。共模電流的產(chǎn)生主要有下面幾部分:


① 通過(guò)MOSFET源級(jí)到大地的電容Cde。如果改進(jìn)IC的設(shè)計(jì),如對(duì)于單芯片電源芯片,將MOSFET源極連接到芯片基體用于散熱,而不是用漏極進(jìn)行散熱,這樣可以減小漏極對(duì)大地的寄生電容。PCB布線時(shí)減小漏極區(qū)銅皮的面積可減小漏極對(duì)大地的寄生電容,但要注意保證芯片的溫度滿足設(shè)計(jì)的要求。


②通過(guò)Cm 和Cme產(chǎn)生共模電流。


③ 通過(guò)Ca 和 Cme產(chǎn)生共模電流。


④ 通過(guò)Ct 和Coe產(chǎn)生共模電流。


⑤ 通過(guò)Cs 和Coe產(chǎn)生共模電流,這部分在共模電流中占主導(dǎo)作用。減小漏極電壓的變化幅值及變化率可減小共模電流,如降低反射電壓,加大漏源極電容,但這樣會(huì)使MOSFET承受大的電流應(yīng)力,其溫度將增加,同時(shí)加大漏源極電容產(chǎn)生更大的磁場(chǎng)發(fā)射。


電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施

圖3: 共模電流產(chǎn)生


2.解決方法


(1)增加Y電容


 電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施

圖4: Y電容作用


電壓如果系統(tǒng)加了Y電容,由圖4所示, 通過(guò)Cs的大部分的共模電流被Y 電容旁路,返回到初級(jí)的地,因?yàn)閅電容的值大于Coe。


Y電容必須直接并用盡量短的直線連接到初級(jí)和次級(jí)的冷點(diǎn)。作為一個(gè)規(guī)則,如果開通葉MOSFET的dV/dt大于關(guān)斷時(shí)的值,Y電容連接到初級(jí)的地。反之連接到Vin。


強(qiáng)調(diào):電壓沒(méi)有變化的點(diǎn)稱為靜點(diǎn)或冷點(diǎn),電壓變化的點(diǎn)稱為動(dòng)點(diǎn)或熱點(diǎn)。初級(jí)的地和Vin都是冷點(diǎn),對(duì)于輔助繞組和輸出繞組,冷點(diǎn)可以通過(guò)二極管的位置進(jìn)行調(diào)整。圖18中,A,B和Vin為冷點(diǎn),F(xiàn), D,B和C為熱點(diǎn);而圖5中,A,Vcc,Vin和Vo為冷點(diǎn),D,F(xiàn)和G 為熱點(diǎn)。


 電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決措施

圖5: 冷點(diǎn)位置


(2)改變變壓器的結(jié)構(gòu)


去除Y電容無(wú)法有效的旁路共模電流,導(dǎo)到共模電流噪聲過(guò)大,無(wú)法通過(guò)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),設(shè)計(jì)的方法是改進(jìn)變壓器的結(jié)構(gòu)。一般的法加利屏蔽方法不能使設(shè)備在無(wú)Y電容的情況下通過(guò)EMI的測(cè)試。由于MOSFET的漏極端的電壓變化幅值大,主要針對(duì)這個(gè)部位進(jìn)行設(shè)計(jì)。永遠(yuǎn)注意:電壓的變化是產(chǎn)生差模及共模電流的主要原因,寄生電容是其流動(dòng)的通道。


前面提到Cm和Cme及Cme和Ca也會(huì)產(chǎn)生共模電流,初級(jí)層間電容的電流一部分形成差模電流,有一部分也會(huì)形成共模電流,這也表明差模和共模電流可以相互的轉(zhuǎn)換。


如果按圖7結(jié)構(gòu)安排冷點(diǎn)(藍(lán)色點(diǎn))和繞組,在沒(méi)有Y電容時(shí),基于電壓改變的方向可以得到初級(jí)繞組與次級(jí)繞組及輔助繞組和次級(jí)繞組層間電容的電流的流動(dòng)方向,初級(jí)繞組和輔助繞組的電流都流入次級(jí)繞組中。


調(diào)整冷點(diǎn)后如圖 8 所示,可以看到,初級(jí)繞組與次級(jí)繞組及輔助繞組和次級(jí)繞組層間電容的電流的流動(dòng)方向相同,可以相互抵消一部分流入次級(jí)繞組的共模電流,從而減小總體的共模電流的大小。


輔助繞組和次級(jí)繞組的整流二極管放置在下端,從而改變電壓變化的方向,同時(shí)注意冷點(diǎn)要盡量的靠近,這樣因?yàn)閮烧唛g沒(méi)有電壓的變化,所以不會(huì)產(chǎn)生共模電流。


進(jìn)一步,如果在內(nèi)層及初級(jí)繞組和次級(jí)繞組間放置銅皮,銅皮的寬度小于或等于初級(jí)繞組的寬度,銅皮的中點(diǎn)由導(dǎo)線引線到冷點(diǎn),如圖 9 所示,由于銅皮為冷點(diǎn),與其接觸的繞組和銅皮間電壓的擺率降低,從而減小共模電流,同時(shí)將共模電流由銅皮旁路引入到冷點(diǎn)。注意銅皮的搭接處不能短路,用絕緣膠帶隔開,內(nèi)外層銅皮的方向要一致。


輔助繞組和次級(jí)繞組的共模電流可以由以下方法補(bǔ)償:


① 加輔助屏蔽繞組


輔助屏蔽繞組繞制方向與次級(jí)繞組繞制方向保持一致,輔助屏蔽繞組與次級(jí)繞組的同名端連接到一起并連接到冷點(diǎn),輔助屏蔽繞組的另一端浮空。由于它們的電壓變化的方向相同,所以兩者間沒(méi)有電流流動(dòng)。


②加外層的輔助屏蔽銅


輔助屏蔽銅皮的中點(diǎn)連接到到輔助繞組的中點(diǎn)。同樣,基于電壓的變化方向分析電流的流動(dòng)方向,可以看到,兩者之間的電流形成環(huán)流,相互補(bǔ)償?shù)窒?,從而降低共模電流?/p>


三 總結(jié)


對(duì)于電源適配器的傳導(dǎo)發(fā)射,本文分析產(chǎn)生原因及解決方向,希望對(duì)于大家設(shè)計(jì)和整改有所幫忙,設(shè)計(jì)提前考慮,解決起來(lái)才能事半功倍!


免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)電話或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。


推薦閱讀:

一款基于ARM控制的逆變器電源電路設(shè)計(jì)方案

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比,國(guó)產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低

如何通過(guò)任意長(zhǎng)度的銅線控制遠(yuǎn)端負(fù)載的電壓~

為何10BASE-T1S是汽車通訊中缺失的以太網(wǎng)鏈接?

應(yīng)對(duì)一致性測(cè)試特定挑戰(zhàn),需要可靠的PCIe 5.0 發(fā)射機(jī)驗(yàn)證

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉