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驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較
在上一篇文章中，我們通過(guò)工作原理和公式了解了有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來(lái)的影響，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。在本文中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。
2022-06-24
驅(qū)動(dòng)器 源極引腳 雙脈沖測(cè)試
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利用PMBus數(shù)字電源系統(tǒng)管理器進(jìn)行電流檢測(cè)——第二部分
本文第二部分介紹如何測(cè)量高壓或負(fù)供電軌上的電流，以及如何為IMON檢測(cè)方法設(shè)置配置寄存器。本文闡述了測(cè)量電流的精度考慮因素，并提供了使用LTpowerPlay?進(jìn)行器件編程的相關(guān)說(shuō)明。在第一部分，我們介紹了電流檢測(cè)的基本概念，包括各種方法和電路拓?fù)洹?/p>
2022-06-24
PMBus 數(shù)字電源系統(tǒng) 電流檢測(cè)
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你還在用光標(biāo)測(cè)量I2C通信時(shí)序嗎？
由于I2C信號(hào)質(zhì)量容易受寄生電容影響，時(shí)序一致性測(cè)試對(duì)保障通信穩(wěn)定至關(guān)重要。本文將通過(guò)實(shí)例應(yīng)用教您一秒鐘完成時(shí)序測(cè)試，快速分析I2C信號(hào)脈寬、幅值、邊沿、建立時(shí)間、保持時(shí)間等多種組合參數(shù)。
2022-06-22
光標(biāo)測(cè)量 通信時(shí)序
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IPOSIM的今昔——從器件級(jí)的計(jì)算到基于系統(tǒng)的仿真
選擇合適的功率半導(dǎo)體器件是功率電路設(shè)計(jì)的核心，需要通過(guò)計(jì)算獲得器件的損耗、系統(tǒng)溫度，有時(shí)還需要估算器件的壽命。這是個(gè)系統(tǒng)工程，一般需要專業(yè)團(tuán)隊(duì)和多種仿真軟件實(shí)現(xiàn)。這對(duì)于大多數(shù)的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的項(xiàng)目很難實(shí)現(xiàn)，為此英飛凌25年前就提供的基于器件的損耗和溫度計(jì)算工具IPOSIM，這一平臺(tái)發(fā)展到今...
2022-06-22
IPOSIM 英飛凌 電路設(shè)計(jì)
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使用商業(yè)級(jí)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備測(cè)量超低偏置電流的實(shí)用技巧
在要求低漏電流的應(yīng)用中，請(qǐng)務(wù)必選擇低輸入偏置電流(IB)的運(yùn)算放大器。應(yīng)用筆記 AN-1373 介紹如何使用 ADA4530-1 評(píng)估板測(cè)量超低偏置電流。然而，由于飛安(fA)級(jí)電流的實(shí)際處理性質(zhì)，測(cè)量環(huán)境（夾具、屏蔽、電纜、連接器等設(shè)備）也會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。
2022-06-10
測(cè)量 偏置電流 技巧
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Digi-Key推出 myLists 報(bào)價(jià)功能，以提高訂貨效率
美國(guó)明尼蘇達(dá)州錫夫里弗福爾斯市訊——全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 日前宣布，已增強(qiáng)其 myLists 工具，將報(bào)價(jià)功能包含其中，以提高訂貨效率。 現(xiàn)在 Digi-Key 客戶可以借助 myLists 更高效地工作，使用 myLists 的報(bào)價(jià)功能將所有內(nèi)容保存在一個(gè)方便的位置...
2022-06-09
Digi-Key myLists 報(bào)價(jià)功能
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使用新型MEMS開(kāi)關(guān)加快測(cè)試能力并提高系統(tǒng)產(chǎn)出
先進(jìn)的數(shù)字處理器IC要求通過(guò)單獨(dú)的DC參數(shù)和高速數(shù)字自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)測(cè)試，以達(dá)到質(zhì)保要求。這帶來(lái)了很大的成本和組織管理挑戰(zhàn)。本文介紹 ADGM1001 SPDT MEMS開(kāi)關(guān)如何助力一次性通過(guò)單插入測(cè)試，以幫助進(jìn)行DC參數(shù)測(cè)試和高速數(shù)字測(cè)試，從而降低測(cè)試成本，簡(jiǎn)化數(shù)字/RF片上系統(tǒng)(SoC)的測(cè)試流程。
2022-06-09
MEMS開(kāi)關(guān) ATE ADGM1001
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貿(mào)澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協(xié)議，提供工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協(xié)議。Innodisk（宜鼎國(guó)際）是工業(yè)級(jí)嵌入式閃存與DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品和技術(shù)的知名供應(yīng)商，專注于企事業(yè)單位以及工業(yè)、醫(yī)療與航空航天等行業(yè)。
2022-06-06
貿(mào)澤電子 Innodisk 工業(yè)存儲(chǔ)
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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因
開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測(cè)量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。
2022-06-06
SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓 測(cè)試
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
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