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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-21
功率器件 熱設(shè)計(jì) 瞬態(tài)熱阻 二極管 浪涌電流
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運(yùn)算放大器參數(shù)的簡易測量“指南”
運(yùn)算放大器是差分輸入、單端輸出的極高增益放大器，常用于高精度模擬電路，因此必須精確測量其性能。但在開環(huán)測量中，其開環(huán)增益可能高達(dá)107或更高，而拾取、雜散電流或塞貝克（熱電偶）效應(yīng)可能會在放大器輸入端產(chǎn)生非常小的電壓，這樣誤差將難以避免。
2024-12-20
運(yùn)算放大器 測量
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低功率開關(guān)電容器帶隙，第 2 部分
在本期文章中，對傳統(tǒng)的帶隙電路進(jìn)行了誤差分析，然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實(shí)現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。
2024-12-20
開關(guān)電容器
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-17
功率器件 瞬態(tài)熱測量
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借助熱插拔控制器，確保系統(tǒng)持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行
在電子產(chǎn)品中，在不中斷系統(tǒng)運(yùn)行的情況下安全地插入和拔出電源模塊的能力至關(guān)重要。眾所周知，熱插拔1已成為從數(shù)據(jù)中心到電信系統(tǒng)等許多應(yīng)用的基本功能。為了確保系統(tǒng)在這些操作期間的安全性和完整性，需要專門的控制器。ADI公司的LTC4287在這類產(chǎn)品中具有明顯優(yōu)勢。本文深入探討了這款熱插拔控制器...
2024-12-16
熱插拔 控制器
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探究電路里0.1uF和0.01uF電容的共存之謎
旁路電容(Bypass Capacitor)和去耦電容(Decoupling Capacitor)這兩個(gè)概念在電路中是常見的，但是真正理解起來并不容易。
2024-12-16
電路 電容
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為何混合型交流浪涌保護(hù)器是浪涌保護(hù)首選？
現(xiàn)在的電子設(shè)備無處不在且發(fā)展迅速，其越來越敏感的電路在很大程度上依賴前端保護(hù)，因?yàn)樗鼈円尤腚娏A(chǔ)設(shè)施，而這些基礎(chǔ)設(shè)施可能有或者沒有最新的電壓浪涌和瞬態(tài)保護(hù)功能。這些瞬態(tài)事件可能是由雷擊、開關(guān)動作或類似的電壓浪涌事件造成的結(jié)果，會導(dǎo)致過電壓和過電流事件，進(jìn)而損壞敏感電子設(shè)備...
2024-12-16
交流浪涌保護(hù)器 浪涌保護(hù)
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對比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設(shè)計(jì)分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有很多，而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運(yùn)算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...
2024-12-13
雙電源 分立式 集成式 儀表放大器
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無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進(jìn)而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強(qiáng)大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴(kuò)大 USB Type-C? 接口的市場規(guī)模。
2024-12-13
無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器 交流/直流適配器
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