新聞事件：

• 意法半導(dǎo)體與工程基板供應(yīng)商Soitec宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議
• 將合作開發(fā)300毫米晶圓級(jí)背光(BSI)技術(shù)，制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器

事件起因：

• 在下一代影像傳感器開發(fā)過程中，背光(BSI)技術(shù)是應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的關(guān)鍵技術(shù)
• 這項(xiàng)協(xié)議將加快具成本競(jìng)爭(zhēng)力的先進(jìn)影像傳感器制程工藝的發(fā)展進(jìn)化
• 進(jìn)一步鞏固格勒諾布爾地區(qū)作為全球CMOS先進(jìn)影像傳感器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)中心的地位

意法半導(dǎo)體與工程基板供應(yīng)商Soitec宣布兩家公司簽訂一項(xiàng)排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議，兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級(jí)背光(BSI)技術(shù)，制造用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。

當(dāng)今的前沿影像傳感器技術(shù)的分辨率正在持續(xù)提高，同時(shí)也不斷要求縮減相機(jī)模塊的整體尺寸，特別是消費(fèi)電子市場(chǎng)要求更為迫切。這意味著影像產(chǎn)業(yè)需要開發(fā)個(gè)別像素粒子更小、同時(shí)還能保持像素靈敏度和高畫質(zhì)的影像技術(shù)。在下一代影像傳感器開發(fā)過程中，背光(BSI)技術(shù)是應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的關(guān)鍵技術(shù)。

兩家公司的合作協(xié)議包括Soitec授權(quán)意法半導(dǎo)體在300毫米晶圓上使用Smart Stacking鍵合技術(shù)制造背光傳感器。這項(xiàng)技術(shù)是由Soitec集團(tuán)中的Tracit事業(yè)部開發(fā)的，利用分子鍵合技術(shù)和機(jī)械以及化學(xué)薄化技術(shù)。意法半導(dǎo)體將開發(fā)新一代影像傳感器，利用先進(jìn)的65納米以及65納米以下的衍生CMOS制程工藝技術(shù)，在法國(guó)南部Crolles的300毫米晶圓制造廠生產(chǎn)。結(jié)合意法半導(dǎo)體先進(jìn)的晶圓制造能力，Smart Stacking技術(shù)將有助于意法半導(dǎo)體加強(qiáng)在高性能移動(dòng)消費(fèi)電子影像傳感器開發(fā)與供應(yīng)的領(lǐng)先地位。

“對(duì)于尖端影像傳感器開發(fā)來(lái)說(shuō)，背光技術(shù)是小像素、高畫質(zhì)競(jìng)賽的一個(gè)要素，”意法半導(dǎo)體事業(yè)群副總裁兼影像產(chǎn)品部總經(jīng)理Eric Aussedat表示，“通過與Soitec合作，意法半導(dǎo)體可以在相機(jī)產(chǎn)品中快速部署Smart Stacking技術(shù)。這項(xiàng)協(xié)議將加快具成本競(jìng)爭(zhēng)力的先進(jìn)影像傳感器制程工藝的發(fā)展進(jìn)化，進(jìn)一步鞏固格勒諾布爾(Grenoble)地區(qū)作為全球CMOS先進(jìn)影像傳感器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)中心的地位。”

“意法半導(dǎo)體選擇我們的Smart Stacking技術(shù)來(lái)發(fā)展背光產(chǎn)品，我們感到非常高興。”Soitec集團(tuán)公司董事長(zhǎng)兼總裁Andre-Jacques Auberton-Herve表示，“我們的Tracit事業(yè)部開發(fā)的這項(xiàng)技術(shù)，支持快速部署與工程基板和3D集成相關(guān)的先進(jìn)制程工藝，我們非常高興能夠支持意法半導(dǎo)體以客戶利益為重的創(chuàng)新承諾。”