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將ICT和FCT優(yōu)勢(shì)結(jié)合在單個(gè)測(cè)試適配器中
一般以針床來(lái)測(cè)試不上電的電路板,使用直接數(shù)字合成(DDS)和離散傅立葉變換(DFT)等技術(shù)生成刺激信號(hào)進(jìn)行模擬測(cè)量分析,以此讓在線測(cè)試儀(ICA)測(cè)量電感、電容、阻抗和電阻等實(shí)際數(shù)據(jù),以便確認(rèn)所有被測(cè)器件(DUT)測(cè)試節(jié)點(diǎn)的結(jié)果在公差范圍內(nèi),以及是否有開路、短路、錯(cuò)件或極性接反的問(wèn)題。這...
2022-02-09
ICT和FCT 測(cè)試 適配器
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帶有空片檢測(cè)功能的STM32需注意的GPIO設(shè)計(jì)
從STM32F0部分型號(hào)開始,比如STM32F04x和STM32F09x,STM32越來(lái)越多的型號(hào)具有了空片檢測(cè)(Empty Check)功能。以前,STM32的啟動(dòng)由BOOT0和BOOT1來(lái)決定,在引入了空片檢測(cè)功能之后,則在BOOT0=0的情況下,還需要分兩種情況:
2022-02-09
空片檢測(cè) STM32 GPIO
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如何利用TI Designs來(lái)驗(yàn)證和加快設(shè)計(jì)過(guò)程
如果處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA全部由同樣的電壓供電運(yùn)行,并且不需要排序和控制等特殊功能的話,會(huì)不會(huì)變的很簡(jiǎn)單呢?不幸的是,大多數(shù)處理器和FPGA需要不同的電源電壓,啟動(dòng)/關(guān)斷序列和不同類型的控制。
2022-02-08
TI Designs 處理器 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA
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作為Fab-Liter戰(zhàn)略的一部份,安森美剝離晶圓制造廠
2022年3月1日– 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略,最終目標(biāo)是通過(guò)擴(kuò)大毛利率實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2022-02-01
Fab-Liter 安森美 晶圓制造
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基于電化學(xué)阻抗譜測(cè)量方法精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)鋰電池狀態(tài)
雖說(shuō)汽車電動(dòng)化已成大勢(shì),但正值冬季,不少想買電動(dòng)汽車的朋友總擔(dān)心在電動(dòng)汽車的續(xù)航不夠,甚至在嚴(yán)寒的天氣里在車內(nèi)開空調(diào)也變成一件奢侈的事情。事實(shí)上,低溫一直以來(lái)都是電池的大敵,電動(dòng)汽車動(dòng)力電池也一樣害怕低溫,這是由電動(dòng)汽車動(dòng)力電池材料特性決定的。絕大部分電動(dòng)汽車動(dòng)力電池材料由正...
2022-01-30
電化學(xué)阻抗譜測(cè)量 監(jiān)測(cè) 鋰電池
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搞清楚這一點(diǎn),輕松抓到你想看的波形
“觸發(fā)”絕對(duì)稱得上數(shù)字示波器靈魂級(jí)的概念,如果沒有合適的觸發(fā)條件,波形觀測(cè)也無(wú)從談起。雖然很多工程師熟悉觸發(fā)功能,但大部分只知其表不知其里。如何深入理解觸發(fā)呢?這篇ZDS示波器研發(fā)筆記分享給大家。
2022-01-28
波形 示波器 觸發(fā)原理
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如何使用示波器、AFG和萬(wàn)用表測(cè)試LED 驅(qū)動(dòng)器的調(diào)光線性度?
隨著LED燈珠技術(shù)的發(fā)展,相較于傳統(tǒng)的模擬調(diào)光技術(shù),數(shù)字調(diào)光技術(shù)在近幾年得到了長(zhǎng)足的發(fā)展?,F(xiàn)如今在燈具市場(chǎng)里有成千上萬(wàn)種調(diào)光產(chǎn)品可供選擇,在調(diào)光驅(qū)動(dòng)選擇上我們需要考慮到這些要素。調(diào)光平滑度,調(diào)光深度,在調(diào)光過(guò)程中是否有可感知的頻閃和紋波。
2022-01-27
示波器 AFG 萬(wàn)用表 LED 驅(qū)動(dòng)器
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SRII推出兩款A(yù)LD新品,滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積(ALD)工藝被認(rèn)為是邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動(dòng)力。過(guò)去20年,ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲(chǔ)器件的大批量制造,不斷推動(dòng)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩,ALD工藝逐漸...
2022-01-26
SRII ALD 泛半導(dǎo)體
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高頻共模電流、電壓和阻抗的測(cè)量 —— 以反激變換器為例
在電力電子的EMI分析與建模中,若要得到準(zhǔn)確的結(jié)果,一個(gè)至關(guān)重要的前提是能夠準(zhǔn)確測(cè)量出噪聲源與傳播路徑上的阻抗。對(duì)于輻射EMI來(lái)說(shuō),通常的對(duì)應(yīng)頻段在30MHz到1GHz之間,由于頻率很高,其電壓,電流,阻抗等參數(shù)的測(cè)量容易有較大的誤差。
2022-01-25
高頻共模電流 測(cè)量 反激變換器
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
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