超越摩爾之路——SiP簡介

 

根據(jù)國際半導體路線組織（ITRS）的定義：SiP為將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。

 

 

 

從架構上來講，SiP是將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能。與SOC（片上系統(tǒng)）相對應。不同的是系統(tǒng)級封裝是采用不同芯片進行并排或疊加的封裝方式，而SOC則是高度集成的芯片產(chǎn)品。

 

 

 

SiP是超越摩爾定律下的重要實現(xiàn)路徑。眾所周知的摩爾定律發(fā)展到現(xiàn)階段，何去何從？行業(yè)內(nèi)有兩條路徑：一是繼續(xù)按照摩爾定律往下發(fā)展，走這條路徑的產(chǎn)品有CPU、內(nèi)存、邏輯器件等，這些產(chǎn)品占整個市場的50%。另外就是超越摩爾定律的More than Moore路線，芯片發(fā)展從一味追求功耗下降及性能提升方面，轉(zhuǎn)向更加務實的滿足市場的需求。這方面的產(chǎn)品包括了模擬/RF器件，無源器件、電源管理器件等，大約占到了剩下的那50%市場。

 

 

針對這兩條路徑，分別誕生了兩種產(chǎn)品：SoC與SiP。SoC是摩爾定律繼續(xù)往下走下的產(chǎn)物，而SiP則是實現(xiàn)超越摩爾定律的重要路徑。兩者都是實現(xiàn)在芯片層面上實現(xiàn)小型化和微型化系統(tǒng)的產(chǎn)物。

 

 

SoC與SIP是極為相似，兩者均將一個包含邏輯組件、內(nèi)存組件，甚至包含被動組件的系統(tǒng)，整合在一個單位中。SoC是從設計的角度出發(fā)，是將系統(tǒng)所需的組件高度集成到一塊芯片上。SiP是從封裝的立場出發(fā)，對不同芯片進行并排或疊加的封裝方式，將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件。

 

 

從集成度而言，一般情況下，SoC只集成AP之類的邏輯系統(tǒng)，而SiP集成了AP+mobile DDR，某種程度上說SIP=SoC+DDR，隨著將來集成度越來越高，emmc也很有可能會集成到SiP中。

 

從封裝發(fā)展的角度來看，因電子產(chǎn)品在體積、處理速度或電性特性各方面的需求考量下，SoC曾經(jīng)被確立為未來電子產(chǎn)品設計的關鍵與發(fā)展方向。但隨著近年來SoC生產(chǎn)成本越來越高，頻頻遭遇技術障礙，造成SoC的發(fā)展面臨瓶頸，進而使SiP的發(fā)展越來越被業(yè)界重視。

 

 

 

摩爾定律確保了芯片性能的不斷提升。眾所周知，摩爾定律是半導體行業(yè)發(fā)展的“圣經(jīng)”。在硅基半導體上，每18個月實現(xiàn)晶體管的特征尺寸縮小一半，性能提升一倍。在性能提升的同時，帶來成本的下降，這使得半導體廠商有足夠的動力去實現(xiàn)半導體特征尺寸的縮小。這其中，處理器芯片和存儲芯片是最遵從摩爾定律的兩類芯片。以Intel為例，每一代的產(chǎn)品完美地遵循摩爾定律。在芯片層面上，摩爾定律促進了性能的不斷往前推進。

 

 

 

 

SIP是解決系統(tǒng)桎梏的勝負手。把多個半導體芯片和無源器件封裝在同一個芯片內(nèi)，組成一個系統(tǒng)級的芯片，而不再用PCB板來作為承載芯片連接之間的載體，可以解決因為PCB自身的先天不足帶來系統(tǒng)性能遇到瓶頸的問題。以處理器和存儲芯片舉例，因為系統(tǒng)級封裝內(nèi)部走線的密度可以遠高于PCB走線密度，從而解決PCB線寬帶來的系統(tǒng)瓶頸。舉例而言，因為存儲器芯片和處理器芯片可以通過穿孔的方式連接在一起，不再受PCB線寬的限制，從而可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)帶寬在接口帶寬上的提升。

 

 

我們認為，SiP不僅是簡單地將芯片集成在一起。SiP還具有開發(fā)周期短；功能更多；功耗更低，性能更優(yōu)良、成本價格更低，體積更小，質(zhì)量更輕等優(yōu)點，總結如下：

 

 

 

 

鍵合技術有熱壓焊、熱超聲焊等。這些技術優(yōu)點是容易形成球形（即焊球技術），并防止金線氧化。為了降低成本，也在研究用其他金屬絲，如鋁、銅、銀、鈀等來替代金絲鍵合。熱壓焊的條件是兩種金屬表面緊緊接觸，控制時間、溫度、壓力，使得兩種金屬發(fā)生連接。表面粗糙（不平整）、有氧化層形成或是有化學沾污、吸潮等都會影響到鍵合效果，降低鍵合強度。熱壓焊的溫度在 300℃~400℃，時間一般為 40ms（通常,加上尋找鍵合位置等程序，鍵合速度是每秒二線）。超聲焊的優(yōu)點是可避免高溫，因為它用20kHz~60kHz的超聲振動提供焊接所需的能量，所以焊接溫度可以降低一些。將熱和超聲能量同時用于鍵合，就是所謂的熱超聲焊。與熱壓焊相比，熱超聲焊最大的優(yōu)點是將鍵合溫度從 350℃降到250℃左右（也有人認為可以用100℃~150℃的條件），這可以大大降低在鋁焊盤上形成 Au-Al 金屬間化合物的可能性，延長器件壽命，同時降低了電路參數(shù)的漂移。在引線鍵合方面的改進主要是因為需要越來越薄的封裝，有些超薄封裝的厚度僅有0.4mm 左右。所以引線環(huán)（loop）從一般的200 μ m~300 μ m減小到100μm~125μm，這樣引線張力就很大，繃得很緊。另外，在基片上的引線焊盤外圍通常有兩條環(huán)狀電源 / 地線，鍵合時要防止金線與其短路，其最小間隙必須>625 μ m，要求鍵合引線必須具有高的線性度和良好的弧形。

 

等離子清洗

 

清洗的重要作用之一是提高膜的附著力，如在Si 襯底上沉積 Au 膜，經(jīng) Ar 等離子體處理掉表面的碳氫化合物和其他污染物，明顯改善了 Au 的附著力。等離子體處理后的基體表面，會留下一層含氟化物的灰色物質(zhì)，可用溶液去掉。同時清洗也有利于改善表面黏著性和潤濕性。

 

液態(tài)密封劑灌封

 

將已貼裝好芯片并完成引線鍵合的框架帶置于模具中，將塑封料的預成型塊在預熱爐中加熱（預熱溫度在 90℃~95℃之間），然后放進轉(zhuǎn)移成型機的轉(zhuǎn)移罐中。在轉(zhuǎn)移成型活塞的壓力之下，塑封料被擠壓到澆道中，并經(jīng)過澆口注入模腔（在整個過程中，模具溫度保持在 170℃~175℃左右）。塑封料在模具中快速固化，經(jīng)過一段時間的保壓，使得模塊達到一定的硬度，然后用頂桿頂出模塊，成型過程就完成了。對于大多數(shù)塑封料來說，在模具中保壓幾分鐘后，模塊的硬度足可以達到允許頂出的程度，但是聚合物的固化（聚合）并未全部完成。由于材料的聚合度（固化程度）強烈影響材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度及熱應力，所以促使材料全部固化以達到一個穩(wěn)定的狀態(tài)，對于提高器件可靠性是十分重要的，后固化就是為了提高塑封料的聚合度而必需的工藝步驟，一般后固化條件為 170℃~175℃，2h~4h。

 

 

液態(tài)密封劑灌封

 

目前業(yè)內(nèi)采用的植球方法有兩種：“錫膏”+“錫球”和“助焊膏”+ “錫球”。“錫膏”+“錫球”植球方法是業(yè)界公認的最好標準的植球法，用這種方法植出的球焊接性好、光澤好，熔錫過程不會出現(xiàn)焊球偏置現(xiàn)象，較易控制，具體做法就是先把錫膏印刷到 BGA 的焊盤上，再用植球機或絲網(wǎng)印刷在上面加上一定大小的錫球，這時錫膏起的作用就是粘住錫球，并在加溫的時候讓錫球的接觸面更大，使錫球的受熱更快更全面，使錫球熔錫后與焊盤焊接性更好并減少虛焊的可能。

 

表面打標

 

打標就是在封裝模塊的頂表面印上去不掉的、字跡清楚的字母和標識，包括制造商的信息、國家、器件代碼等，主要是為了識別并可跟蹤。打碼的方法有多種，其中最常用的是印碼方法，而它又包括油墨印碼和激光印碼二種。

 

分離

 

為了提高生產(chǎn)效率和節(jié)約材料，大多數(shù) SIP 的組裝工作都是以陣列組合的方式進行，在完成模塑與測試工序以后進行劃分，分割成為單個的器件。劃分分割可以采用鋸開或者沖壓工藝，鋸開工藝靈活性比較強，也不需要多少專用工具，沖壓工藝則生產(chǎn)效率比較高、成本較低，但是需要使用專門的工具。

 

 

和引線鍵合工藝相比較倒裝焊工藝具有以下幾個優(yōu)點：

 

（1）倒裝焊技術克服了引線鍵合焊盤中心距極限的問題；

 

（2）在芯片的電源 /地線分布設計上給電子設計師提供了更多的便利；

 

（3）通過縮短互聯(lián)長度，減小 RC 延遲，為高頻率、大功率器件提供更完善的信號；

 

 

 

倒裝鍵合、下填充

 

在整個芯片鍵合表面按柵陣形狀布置好焊料凸點后，芯片以倒扣方式安裝在封裝基板上，通過凸點與基板上的焊盤實現(xiàn)電氣連接，取代了WB和TAB 在周邊布置端子的連接方式。倒裝鍵合完畢后，在芯片與基板間用環(huán)氧樹脂進行填充，可以減少施加在凸點上的熱應力和機械應力，比不進行填充的可靠性提高了1到2個數(shù)量級。

 

 

SiP——為應用而生

 

 

SiP的應用非常廣泛，主要包括：無線通訊、汽車電子、醫(yī)療電子、計算機、軍用電子等。

 

應用最為廣泛的無線通訊領域。SiP在無線通信領域的應用最早，也是應用最為廣泛的領域。在無線通訊領域，對于功能傳輸效率、噪聲、體積、重量以及成本等多方面要求越來越高，迫使無線通訊向低成本、便攜式、多功能和高性能等方向發(fā)展。SiP是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢，降低成本，縮短上市時間，同時克服了SOC中諸如工藝兼容、信號混合、噪聲干擾、電磁干擾等難度。手機中的射頻功放，集成了頻功放、功率控制及收發(fā)轉(zhuǎn)換開關等功能，完整的在SiP中得到了解決。

 

 

汽車電子是SiP的重要應用場景。汽車電子里的SiP應用正在逐漸增加。以發(fā)動機控制單元（ECU）舉例，ECU由微處理器（CPU）、存儲器（ROM、RAM）、輸入/輸出接口（I/O）、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（A/D）以及整形、驅(qū)動等大規(guī)模集成電路組成。各類型的芯片之間工藝不同，目前較多采用SiP的方式將芯片整合在一起成為完整的控制系統(tǒng)。另外，汽車防抱死系統(tǒng)(ABS)、燃油噴射控制系統(tǒng)、安全氣囊電子系統(tǒng)、方向盤控制系統(tǒng)、輪胎低氣壓報警系統(tǒng)等各個單元，采用SiP的形式也在不斷增多。此外，SIP技術在快速增長的車載辦公系統(tǒng)和娛樂系統(tǒng)中也獲得了成功的應用。

 

 

醫(yī)療電子需要可靠性和小尺寸相結合，同時兼具功能性和壽命。在該領域的典型應用為可植入式電子醫(yī)療器件，比如膠囊式內(nèi)窺鏡。內(nèi)窺鏡由光學鏡頭、圖像處理芯片、射頻信號發(fā)射器、天線、電池等組成。其中圖像處理芯片屬于數(shù)字芯片、射頻信號發(fā)射器則為模擬芯片、天線則為無源器件。將這些器件集中封裝在一個SiP之內(nèi)，可以完美地解決性能和小型化的要求。

 

 

SiP在計算機領域的應用主要來自于將處理器和存儲器集成在一起。以GPU舉例，通常包括圖形計算芯片和SDRAM。而兩者的封裝方式并不相同。圖形計算方面都采用標準的塑封焊球陣列多芯片組件方式封裝，而這種方式對于SDRAM并不適合。因此需要將兩種類型的芯片分別封裝之后，再以SiP的形式封裝在一起。

 

 

SiP在其他消費類電子中也有很多應用。這其中包括了ISP（圖像處理芯片）、藍牙芯片等。ISP是數(shù)碼相機、掃描儀、攝像頭、玩具等電子產(chǎn)品的核心器件，其通過光電轉(zhuǎn)換，將光學信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，然后實現(xiàn)圖像的處理、顯示和存儲。圖像傳感器包括一系列不同類型的元器件，如CCD、COMS圖像傳感器、接觸圖像傳感器、電荷載入器件、光學二極管陣列、非晶硅傳感器等，SiP技術無疑是一種理想的封裝技術解決方案。

 

 

藍牙系統(tǒng)一般由無線部分、鏈路控制部分、鏈路管理支持部分和主終端接口組成，SiP技術可以使藍牙做得越來越小迎合了市場的需求，從而大力推動了藍牙技術的應用。SiP完成了在一個超小型封裝內(nèi)集成了藍牙無線技術功能所需的全部原件（無線電、基帶處理器、ROM、濾波器及其他分立元件）。

 

 

 

 

從蘋果產(chǎn)品看SiP應用。蘋果是堅定看好SiP應用的公司，蘋果在之前Apple Watch上就已經(jīng)使用了SiP封裝。

 

 

除了手表以外，蘋果手機中使用SiP的顆數(shù)也在逐漸增多。列舉有：觸控芯片，指紋識別芯片，RFPA等。

 

觸控芯片。在Iphone6中，觸控芯片有兩顆，分別由Broadcom和TI提供，而在6S中，將這兩顆封在了同一個package內(nèi)，實現(xiàn)了SiP的封裝。而未來會進一步將TDDI整個都封裝在一起。iPhone6s中展示了新一代的3D Touch技術。觸控感應檢測可以穿透絕緣材料外殼，通過檢測人體手指帶來的電壓變化，判斷出人體手指的觸摸動作，從而實現(xiàn)不同的功能。而觸控芯片就是要采集接觸點的電壓值，將這些電極電壓信號經(jīng)過處理轉(zhuǎn)換成坐標信號，并根據(jù)坐標信號控制手機做出相應功能的反應，從而實現(xiàn)其控制功能。3D Touch的出現(xiàn)，對觸控模組的處理能力和性能提出了更高的要求，其復雜結構要求觸控芯片采用SiP組裝，觸覺反饋功能加強其操作友好性。

 

 

指紋識別同樣采用了SiP封裝。將傳感器和控制芯片封裝在一起，從iPhone 5開始，就采取了相類似的技術。

 

 

RFPA模塊。手機中的RFPA是最常用SiP形式的。iPhone 6S也同樣不例外，在iPhone 6S中，有多顆RFPA芯片，都是采用了SiP。

 

 

按照蘋果的習慣，所有應用成熟的技術會傳給下一代，我們判斷，即將問世的蘋果iPhone7會更多地采取SiP技術，而未來的iPhone7s、iPhone8會更全面，更多程度的利用SiP技術，來實現(xiàn)內(nèi)部空間的壓縮。

 

快速增長的SiP市場

 

 

2013-2016SiP市場CAGR=15%。2014年全球SiP產(chǎn)值約為48.43億美元，較2013年成長12.4%左右；2015年在智慧型手機仍持續(xù)成長，以及Apple Watch等穿戴式產(chǎn)品問世下，全球SiP產(chǎn)值估計達到55.33億美元，較2014年成長14.3%。

 

2016年，雖然智慧型手機可能逐步邁入成熟期階段，難有大幅成長的表現(xiàn)，但SiP在應用越趨普及的趨勢下，仍可呈現(xiàn)成長趨勢，因此，預估2016年全球SiP產(chǎn)值仍將可較2015年成長17.4%，來到64.94億美元。

 

 

市場滲透率將迅速提升。我們預計，SiP在智能手機中的滲透率將從2016年的10%迅速提升到2018年的40%。在輕薄化趨勢已經(jīng)確定的情況下，能完美實現(xiàn)輕薄化要求的SiP理應會得到更多的應用。不止是蘋果，我們預計國內(nèi)智能手機廠商也會迅速跟進。此外，滲透率提升不單是采用SiP的智能手機會增多，在智能手機中使用的SiP的顆數(shù)也會增加。兩個效應疊加驅(qū)使SiP的增量市場迅速擴大。

 

我們測算SiP在智能手機市場未來三年內(nèi)的市場規(guī)模。假設SiP的單價每年降價10%，智能手機出貨量年增3%?？梢钥吹?，SiP在智能手機中的新增市場規(guī)模CAGR=192%,非常可觀。

 

 

 

從產(chǎn)業(yè)鏈的變革、產(chǎn)業(yè)格局的變化來看，今后電子產(chǎn)業(yè)鏈將不再只是傳統(tǒng)的垂直式鏈條：終端設備廠商——IC設計公司——封測廠商、Foundry廠、IP設計公司，產(chǎn)品的設計將同時調(diào)動封裝廠商、基板廠商、材料廠、IC設計公司、系統(tǒng)廠商、Foundry廠、器件廠商（如TDK、村田）、存儲大廠（如三星）等彼此交叉協(xié)作，共同實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級。未來系統(tǒng)將帶動封裝業(yè)進一步發(fā)展，反之高端封裝也將推動系統(tǒng)終端繁榮。未來系統(tǒng)廠商與封裝廠的直接對接將會越來越多，而IC設計公司則將可能向IP設計或者直接出售晶圓兩個方向去發(fā)展。

 

 

近年來，部分晶圓代工廠也在客戶一次購足的服務需求下(Turnkey Service)，開始擴展業(yè)務至下游封測端，以發(fā)展SiP等先進封裝技術來打造一條龍服務模式，滿足上游IC設計廠或系統(tǒng)廠。然而，晶圓代工廠發(fā)展SiP等先進封裝技術，與現(xiàn)有封測廠商間將形成微妙的競合關系。首先，晶圓代工廠基于晶圓制程優(yōu)勢，擁有發(fā)展晶圓級封裝技術的基本條件，跨入門檻并不甚高。因此，晶圓代工廠可依產(chǎn)品應用趨勢與上游客戶需求，在完成晶圓代工相關制程后，持續(xù)朝晶圓級封裝等后段領域邁進，以完成客戶整體需求目標。這對現(xiàn)有封測廠商來說，可能形成一定程度的競爭。

 

由于封測廠幾乎難以向上游跨足晶圓代工領域，而晶圓代工廠卻能基于制程技術優(yōu)勢跨足下游封測代工，尤其是在高階SiP領域方面；因此，晶圓代工廠跨入SiP封裝業(yè)務，將與封測廠從單純上下游合作關系，轉(zhuǎn)向微妙的競合關系。

 

封測廠一方面可朝差異化發(fā)展以區(qū)隔市場，另一方面也可選擇與晶圓代工廠進行技術合作，或是以技術授權等方式，搭配封測廠龐大的產(chǎn)能基礎進行接單量產(chǎn)，共同擴大市場。此外，晶圓代工廠所發(fā)展的高階異質(zhì)封裝，其部份制程步驟仍須專業(yè)封測廠以現(xiàn)有技術協(xié)助完成，因此雙方仍有合作立基點。

 

 

日月光+環(huán)旭電子：

 

全球主要封測大廠中，日月光早在2010年便購并電子代工服務廠(EMS)--環(huán)旭電子，以本身封裝技術搭配環(huán)電在模組設計與系統(tǒng)整合實力，發(fā)展SiP技術。使得日月光在SiP技術領域維持領先地位，并能夠陸續(xù)獲得手機大廠蘋果的訂單，如Wi-Fi、處理器、指紋辨識、壓力觸控、MEMS等模組，為日月光帶來后續(xù)成長動力。

 

此外，日月光也與DRAM制造大廠華亞科策略聯(lián)盟，共同發(fā)展SiP范疇的TSV 2.5D IC技術；由華亞科提供日月光硅中介層(Silicon Interposer)的硅晶圓生產(chǎn)制造，結合日月光在高階封測的制程能力，擴大日月光現(xiàn)有封裝產(chǎn)品線。

 

不僅如此，日月光也與日本基板廠商TDK合作，成立子公司日月陽，生產(chǎn)集成電路內(nèi)埋式基板，可將更多的感測器與射頻元件等晶片整合在尺寸更小的基板上，讓SiP電源耗能降低，體積更小，以適應可穿戴裝置與物聯(lián)網(wǎng)的需求。

 

日月光今年主要成長動力將來自于SiP，1H2016 SiP營收已近20億美元，預期未來5-10年，SiP會是公司持續(xù)增長的動力。日月光旗下的環(huán)旭電子繼拿下A公司的穿戴式手表SiP大單之后，也再拿下第二家美系大廠智慧手表SiP訂單，預定明年出貨。

 

 

長電+星科金朋：

 

長電是國內(nèi)少數(shù)可以達到國際技術水平的半導體封測企業(yè)，2015年攜手中芯國際及國家大基金，以7.8億美元收購新加坡星科金朋，全球排名由第六晉級至第四。公司在SIP封裝方面具有一定的技術優(yōu)勢，已成功開發(fā)了RF-SIM；Micro SD；USB；FC-BGA；LGA module等一系列產(chǎn)品。

 

 

原本位居全球第四大封測廠的星科金朋也在韓國廠區(qū)積極開發(fā)SiP技術，但因整體營運狀況不如前三大廠，因此難以投入大額資本以擴充SiP規(guī)模。不過，隨著江蘇長電并購星科金朋而帶來資金，將能夠結合原本星科金朋的技術，將SiP繼續(xù)做大。長電科技將投入4.75億美金擴充SiP項目，目前星科金朋韓國廠已經(jīng)正式量產(chǎn)，產(chǎn)能利用率95%以上，主要為A客戶供貨。我們預計，未來隨著A客戶BOM中SiP量的增多，將給公司帶來極大彈性。

 

推薦邏輯

 

SiP代表了行業(yè)發(fā)展方向。芯片發(fā)展從一味追求功耗下降及性能提升（摩爾定律），轉(zhuǎn)向更加務實的滿足市場的需求（超越摩爾定律），SiP是實現(xiàn)的重要路徑。SiP從終端電子產(chǎn)品角度出發(fā)，不是一味關注芯片本身的性能/功耗，而是實現(xiàn)整個終端電子產(chǎn)品的輕薄短小、多功能、低功耗，在行動裝置與穿戴裝置等輕巧型產(chǎn)品興起后，SiP需求日益顯現(xiàn)。

 

SiP在智能手機里的滲透率在迅速提升。SiP市場2013-2015的CAGR達到16%，高于智能手機市場7%的CAGR。隨著智能手機的輕薄化趨勢確定，SiP的滲透率將迅速提升，預計將從現(xiàn)在的10%到2018年的40%。我們強調(diào)，要重視智能手機里的任何一個新變化，在達到40%的滲透率之前，都是值得關注的快速成長期。

 

從行業(yè)配置角度看，SiP尚未完全Price in，有成長空間。安靠和日月光在Q2財報中，不約而同給出環(huán)比增長的原因之一來自于SiP封裝的放量。同時，蘋果確定在新機型中使用多顆SiP,而國內(nèi)廠商尚未開始跟上。我們測算2018年潛在的SiP增量空間為96億美元，從行業(yè)配置角度看，目前SiP的成長尚未被市場充分認識，有足夠的上升空間。我們認為，國內(nèi)的上市公司中，長電科技（收購的星科金朋為A客戶提供SiP產(chǎn)品）、環(huán)旭電子(Apple watch SiP供應商)將深度受益于SiP行業(yè)的發(fā)展，推薦關注。