要進行射頻信號的時域測量的一個很大原因在于其直觀性。比如在下圖中的例子中分別顯示了4個不同形狀的雷達脈沖信號，信號的載波頻率和脈沖寬度差異不大，如果只在頻域進行分析，很難推斷出信號的時域形狀。由于這4種時域脈沖的不同形狀對于最終的卷積處理算法和系統(tǒng)性能至關重要，所以就需要在時域對信號的脈沖參數(shù)進行精確的測量，以保證滿足系統(tǒng)設計的要求。

    

在傳統(tǒng)的射頻微波測試中，也會使用一些帶寬不太高（<1GHz）的示波器進行時域參數(shù)的測試，比如用檢波器檢出射頻信號包絡后再進行參數(shù)測試，或者對信號下變頻后再進行采集等。此時由于射頻信號已經過濾掉，或者信號已經變換到中頻，所以對測量要使用的示波器帶寬要求不高。

 

但是隨著通信技術的發(fā)展，信號的調制帶寬越來越寬。比如為了兼顧功率和距離分辨率，現(xiàn)代的雷達會在脈沖內部采用頻率或者相位調制，典型的SAR成像雷達的調制帶寬可能會達到2GHz以上。在衛(wèi)星通信中，為了小型化和提高傳輸速率，也會避開擁擠的C波段和Ku波段，采用頻譜效率和可用帶寬更高的Ka波段，實際可用的調制帶寬可達到3GHz以上甚至更高。

 

在這么高的傳輸帶寬下，傳統(tǒng)的檢波或下變頻的測量手段會遇到很大的挑戰(zhàn)。由于很難從市面上尋找到一個帶寬可達到2GHz以上同時幅頻/相頻特性又非常理想的檢波器或下變頻器，所以會造成測試結果的嚴重失真。

 

同時，如果需要對雷達脈沖或者衛(wèi)星通信信號的內部調制信息進行解調，也需要非常高的實時帶寬。傳統(tǒng)的頻譜儀測量精度和頻率范圍很高，但實時分析帶寬目前還達不到GHz以上。因此，如果要進行GHz以上寬帶信號的分析解調，目前最常用的手段就是借助于寬帶示波器或者高速的數(shù)采系統(tǒng)。

 

要實現(xiàn)射頻信號的直接測量，首先得益于由于材料和芯片技術發(fā)展帶來的實時示波器性能的提升。

 

傳統(tǒng)的示波器由于帶寬較低，無法直接捕獲高頻的射頻信號，所以在射頻微波領域的應用僅限于中頻或控制信號的測試，但隨著芯片、材料和封裝技術的發(fā)展，現(xiàn)代實時示波器的的帶寬、采樣率、存儲深度以及底噪聲、抖動等性能指標都有了顯著的提升。

 

以材料技術為例，磷化銦(InP)材料是這些年國際和國內比較熱門的材料。相對于傳統(tǒng)的SiGe材料或GaAs材料來說，磷化銦(InP)材料有更好的電性能，可以提供更高的飽和電子速度，更低的表面復合速度以及更高的電絕緣強度。在采用新型材料的過程中，還需要解決一系列的工藝問題。比如InP材料的高頻特性非常好，但如果采用傳統(tǒng)的鋁基底時會存在熱膨脹系數(shù)不一致以及散熱效率的問題。氮化鋁（AIN）是一種新型的陶瓷基底材料，其熱性能和InP更接近且散熱特性更好，但是AlN材料成本高且硬度大，需要采用激光刻蝕加工。

 

借助于新材料和新技術的應用，現(xiàn)代實時示波器的硬件帶寬已經可以達到60GHz以上，同時由于磷化銦(InP)材料的優(yōu)異特性，使得示波器的頻響更加平坦、底噪聲更低，同時其較低的功率損耗給產品帶來更高的可靠性。

 

磷化銦材料除了提供優(yōu)異的高帶寬性能外，其反向擊穿電壓更高，采用磷化銦材料設計的示波器可用輸入量程可達8V，相當于20dBm以上，大大提高了實用性和可靠性。

 

 

要保證高的實時的帶寬，根據Nyqist定律，放大器后面ADC采樣的速率至少要達到帶寬的2倍以上（工程實現(xiàn)上會保證2.5倍以上）。目前市面上根本沒有這么高采樣率的單芯片的ADC，因此高帶寬的實時示波器通常會采用ADC的拼接技術。

 

典型的ADC拼接有兩種方式，一種是片內拼接，另一種是片外拼接。片內拼接是把多個ADC的內核集成在一個芯片內部，典型的如下圖所示的Keysight公司S系列示波器里使用的40G/s采樣率的10bit ADC芯片，在業(yè)內第一次實現(xiàn)8GHz帶寬范圍內10bit的分辨率。片內拼接的優(yōu)點是各路之間的一致性和時延控制可以做地非常好，但是對于集成度和工藝的挑戰(zhàn)非常大。

 所謂片外拼接，就是在PCB板上做多片ADC芯片的拼接。典型的采用片外拼接的例子是Keysight公司的Z系列示波器，其采用8片20G/s采樣率的ADC拼接實現(xiàn)了160G/s的采樣率，保證了高達63GHz的硬件帶寬。

 

片外拼接要求各芯片間偏置和增益的一致性非常好，同時對PCB上信號和采樣時鐘的時延要精確控制。所以Z系列示波器的前端芯片里采用了先采樣保持再進行信號分配和模數(shù)轉換的技術，大大提高了對于PCB走線誤差和抖動的裕量。