中心議題：

• 屏蔽性能的指標(biāo)

解決方案：

• 表面轉(zhuǎn)移阻抗
• 轉(zhuǎn)移阻抗
• 耦合衰減
• 屏蔽系數(shù)
• 屏蔽耦合損耗

1.表面轉(zhuǎn)移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)
　　
按IEC61196-1測(cè)試同軸電纜的方法，測(cè)試帶屏蔽的平衡電纜，短路8根芯線后用50Ω信號(hào)源激勵(lì)。被測(cè)試線長(zhǎng)1米，測(cè)試頻率30MHz，頻率越高，線長(zhǎng)越短導(dǎo)體表面轉(zhuǎn)移阻抗。主要用于評(píng)估連接硬件的屏蔽效率，其實(shí)測(cè)值不超過(guò)以下計(jì)算值。
　　ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
　　ZTcable：表面轉(zhuǎn)移阻抗，單位mΩ/m
　　f：信號(hào)頻率，單位MHz
　　
2.轉(zhuǎn)移阻抗(TransferImpedance)
　　
轉(zhuǎn)移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關(guān)，其數(shù)值可通過(guò)實(shí)驗(yàn)室高頻密封箱測(cè)量屏蔽插入損耗，計(jì)算得出。
　　


　　Ri1=Ri2=50Ω——網(wǎng)絡(luò)分析儀特性阻抗
　　R1=50Ω——饋電電阻
　　R2=50Ω——終端電阻
　　U1=信號(hào)發(fā)射電壓(V)
　　U2=信號(hào)接收電壓(V)
　　Uc=被測(cè)設(shè)備兩端電壓
　　Zcond=連接器特性阻抗(Ω)
　　Zt=轉(zhuǎn)移阻抗(Ω)
　　Zt=1/l電纜長(zhǎng)度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l電纜長(zhǎng)度•U2/U1
　　由于屏蔽插入損耗(αs)為20•lg(U2/U1)dB，轉(zhuǎn)移阻抗(Zt)也可以表示為：
　　Zt=100•10α/20(Ω)
　　
3.耦合衰減(CouplingAttenuation)
　　
耦合衰減用于描述電纜系統(tǒng)的電磁兼容性能。耦合衰減Catt=Pr/Pi(Pr：線纜接收功率;Pi：在內(nèi)導(dǎo)體上產(chǎn)生的噪聲功率)
　　將電纜近似看作電磁場(chǎng)中的全向天線，其接收到的電磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ：信號(hào)波長(zhǎng)，PD：電磁場(chǎng)功率密度)
　　內(nèi)部?jī)?nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Pi=內(nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Vi2/Z(Vi：內(nèi)導(dǎo)體上的噪聲電壓;Z內(nèi)導(dǎo)體阻抗，50Ω)
　　

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4屏蔽系數(shù)(GB54419-1985)
　　
按下圖裝置，測(cè)試電纜金屬護(hù)套及鎧裝層的理想屏蔽系數(shù)γ0s=VC/VS(線芯上的感應(yīng)電壓mV;電纜式樣金屬套上的縱向干擾電壓mV)。
　　

5屏蔽耦合損耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)
　　
GTEM小室饋入功率與被測(cè)件耦合功率的分貝差。與10.9.3耦合衰減(CouplingAttenuation)意義相同。
　　


　　
6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)
　　


　　采用GTEM小室測(cè)量無(wú)屏蔽電纜與屏蔽電纜的屏蔽耦合損耗的分貝差。