我們目前常說的晶振都是石英晶體振蕩器或者石英晶體諧振器的簡稱。他們都是利用石英晶體的壓電效應制作而成。在石英晶體的兩個電極上施加電場會使晶體產(chǎn)生機械變形，反之，如果在晶體兩側施加機械壓力就會在晶體上產(chǎn)生電場。并且，這兩種現(xiàn)象是可逆的。利用這種特性，在晶體的兩側施加交變電壓，晶片就會產(chǎn)生機械振動，同時產(chǎn)生交變電場。這種震動和電場一般都很小，但是在某個特定頻率下，振幅會明顯加大，這就是壓電諧振，和我們常見到的LC回路諧振有些類似。下圖是晶振的電氣等效電路和電抗頻率特性曲線圖：

從圖中可以看出，當LCR這個支路發(fā)生串聯(lián)諧振的時候，其串聯(lián)諧振頻率為fs，其計算公式和普通的串聯(lián)諧振計算公式一樣：

當頻率繼續(xù)提高，高于fs時，LCR支路呈感性，這樣和C0產(chǎn)生并聯(lián)諧振，并聯(lián)諧振頻率fp，其計算公式為：

其中由于晶振的特性，C遠小于C0，所以fp和fs的值非常接近。通過電抗頻率特性曲線圖可以看出來，在這個狹窄的頻率范圍內(nèi)，晶振整體表現(xiàn)出感性，這樣只需要在晶振外部并聯(lián)合適的電容，就可以組成并聯(lián)諧振電路。然后把這個并聯(lián)諧振電路加到負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路。這個合適的電容就是晶振的負載電容。

上圖就是一個常見的晶振振蕩電路，晶振和C1、C2組成并聯(lián)諧振回路，接到芯片的管腳上，芯片內(nèi)部的反相放大器和Rf組成負反饋回路，R1用來限制流入晶振的電流。有些芯片會把Rf和R1集成到器件中，這樣就降低了電路設計的難度。，并且保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。晶振的重要參數(shù)就是負載電容，選擇與負載電容相等的電容并聯(lián)，能保證晶振工作在額定頻率。假如晶振的負載電容是15pf，那么C1、C2我們可以選擇30pf，考慮到芯片管腳電容和PCB走線電容的影響，這個取值也可以適當減小，27pf，22pf一般也能正常工作。在滿足起震要求的情況下，C1、C2可以選擇的盡量小，這樣可以加快晶振的起震時間。需要注意的是，有些晶振廠商會直接提供C1、C2的推薦值，而不是給出負載電容，所以在實際使用的時候還是要根據(jù)使用的具體型號去和廠家確認。

 

晶振除了壓電效應以外，還有一個不能被忽略的特性，就是溫漂。晶振的振蕩頻率會隨著環(huán)境溫度的變化發(fā)生微小的偏移，這是晶振固有的特性。正是由于溫漂的存在，普通晶振的精度很難做的很高，常見的晶振精度多為40ppm，20ppm，很難做到10ppm以下。這種精度在一些對晶振精度要求不高的場合，如微處理器的時鐘輸入等，完全能夠滿足需求。但是在無線通信，蜂窩應用，廣播電視等應用領域，需要時鐘精確同步，普通晶振就很難滿足系統(tǒng)需求了。為了解決溫漂帶來的影響，系統(tǒng)就要選擇精度更高的溫補晶振或者恒溫晶振。溫補晶振是通過感應環(huán)境溫度，然后將溫度信息轉(zhuǎn)換成控制量控制晶振的輸出頻率。現(xiàn)在的溫補晶振多采用數(shù)字化技術，能夠達到更精確的控制。而恒溫晶振更進一步，將晶體置于恒溫槽內(nèi)，通過設置恒溫工作點，使恒溫槽保持一個恒溫的狀態(tài)，晶體在恒溫槽內(nèi)就可以不受外界溫度的影響，大大提高晶振輸出頻率的穩(wěn)定度。溫補晶振和恒溫晶振的輸出精度都能夠達到1ppm甚至更高。能夠滿足嚴苛的系統(tǒng)需求。

 

 

a. 晶振內(nèi)部存在石英晶體，所以在受到外部撞擊或者跌落的時候容易造成石英晶體斷裂破損造成晶振失效。在設計的時候就要考慮晶振的可靠安裝以及位置盡量不要靠近板邊，設備外殼等等

 

b. 在手工焊接或者機器焊接的時候要注意焊接溫度，晶振對溫度比較敏感，焊接時溫度不能過高，并且加熱時間盡量短。

 

c. 設計的時候盡量縮短晶振部分的走線，晶振走線和其他信號線之間保留盡量遠的距離，并且推薦將晶振的外殼接地，這些措施都能更好的避免干擾。

 

d. 謹慎選擇C1、C2的容值。盡量按照廠家提供的推薦值設計。在滿足起震要求的前提下，C1、C2的取值可以盡量小，能縮短晶振起震時間。

 

e. 注意晶振是否被過驅(qū)動，過驅(qū)動會影響晶振使用壽命。如果用示波器測試發(fā)現(xiàn)晶振的輸出被削波，波峰波谷被削平，那么就要考慮晶振是否被過驅(qū)動?？梢赃m當調(diào)整R1限流電阻的阻值。直到輸出完整的正弦波。