你的位置:首頁 > 互連技術(shù) > 正文

SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作

發(fā)布時間:2022-02-11 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外,所使用的電路方式也多種多樣,除單獨使用外,還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。


前言


MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外,所使用的電路方式也多種多樣,除單獨使用外,還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。


其中,在將開關(guān)元件上下串聯(lián)連接的橋式結(jié)構(gòu)中,通常交替地導(dǎo)通與關(guān)斷各個元器件。下面是常規(guī)的橋式結(jié)構(gòu)同步方式boost電路,波形圖是根據(jù)柵極信號交替地導(dǎo)通/關(guān)斷的低邊(LS)MOSFET和高邊(HS)MOSFET的漏極-源極間電壓(VDS)和漏極電流(ID)示例。


SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作


通過開關(guān)工作,流過各元件的電流和變化的電壓以復(fù)雜的方式相互影響。尤其是在處理高電壓高電流的電路中,受安裝電路板和結(jié)線引起的寄生分量等影響,產(chǎn)生電壓和電流的動作,并因此導(dǎo)致工作不穩(wěn)定、效率下降,從而可能導(dǎo)致?lián)p耗增加、產(chǎn)生異常發(fā)熱等問題。


近年來,SiC MOSFET等高性能功率元器件的應(yīng)用,使得通過高速開關(guān)轉(zhuǎn)換大功率成為可能,但在操作過程中,需要對開關(guān)工作有深入的了解。在該系列文章中,我們將著眼于MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中的各MOSFET的柵極-源極間電壓的動作,以簡單的同步方式boost電路為例,對以下內(nèi)容進行探討:


?MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)與同步方式boost電路

?柵極驅(qū)動電路與導(dǎo)通/關(guān)斷工作

?因dVDS/dt、dID/dt而產(chǎn)生的電流和電壓

?導(dǎo)通時柵極信號的動作

?關(guān)斷時柵極信號的動作


(來源:Rohm)


免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請電話或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進行侵刪。


推薦閱讀:

更高、更快伴生更強要求,迎接DDR5內(nèi)存驗證和調(diào)試挑戰(zhàn)

第十屆中國(西部)電子信息博覽會西部電子信息十周年獻禮

一文弄懂IGBT驅(qū)動

面向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)

【收藏】運算放大器的低功耗設(shè)計攻略

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉