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利用MEMS技術(shù)實現(xiàn)移動電話射頻設(shè)計

發(fā)布時間:2011-11-04

中心議題:
  • 針對移動電話設(shè)計要能實現(xiàn)未來用戶要求設(shè)計
解決方案:
  • 利用MEMS技術(shù)實現(xiàn)移動電話射頻設(shè)計
  • 采用可調(diào)式的RF前端元件

如果一款移動電話設(shè)計要能實現(xiàn)未來用戶所期望的各項廣泛服務,創(chuàng)造性思維是不可或缺的;而許多產(chǎn)業(yè)觀察者認為,微機電系統(tǒng)(MEMS)將是實現(xiàn)這種設(shè)計的下一波技術(shù)。

事實上,MEMS元件的推出已證實了其在大量消費性市場應用中的實用性,例如麥克風和游戲機等。我們似乎可以歸納出一個結(jié)論:未能整合MEMS功能的系統(tǒng)就不算完整。因此,MEMS遂成為每一系統(tǒng)在實現(xiàn)其功能、彈性以及與外界互連時不可或缺的新類比元件。

雖然摩爾定律描述了電晶體密度和運算能力的進展,但MEMS的整合將以較其更多倍的速度進展,并將許多原先需要混合建置的功能直接整合在晶片上。

射頻(RF)設(shè)計目前最強大的趨勢是推動可配置/免頻帶的無線和天線設(shè)計。使RF元件可以數(shù)位化重新配置的優(yōu)點與需求逐漸增加,因此能夠精確且數(shù)位化地控制頻率和阻抗值,并持續(xù)對系統(tǒng)性能進行最佳化。這種可配置的前端可在瞬間實現(xiàn)頻率和通訊標準的切換,同時重復使用相同的信號路徑。

WiSpry公司藉由結(jié)合MEMS技術(shù)和主流半導體製程技術(shù),打造出一款具有即時數(shù)位可調(diào)且具成本效益的低損耗RF電容器,實現(xiàn)了動態(tài)RF技術(shù)──真正的軟體定義無線電,其RF前端可透過基頻進行數(shù)位化控制,且所有特殊標準功能都以數(shù)位信號處理(DSP)編程方式載入。一旦前端成為數(shù)位可調(diào)式,大多數(shù)的RF工程作業(yè)就可以轉(zhuǎn)向軟體部份,因而大幅減少硬體設(shè)計/再設(shè)計的數(shù)量和成本,并縮短手動調(diào)整電路所花的時間。

可編程前端RF可在多個平臺上使用,且由于新的響應可被載入到平臺的韌體中,因此它甚至可以提供一些‘未來驗證標準’。

圖1:未能整合MEMS功能的系統(tǒng),似乎已稱不上是一完整的系統(tǒng)

無線標準

目前,大多數(shù)無線標準在頻譜分配方案規(guī)定的頻段內(nèi),采用兩種頻率光罩來進行數(shù)據(jù)的傳送和接收──也稱為頻率雙工。由于頻譜分配存在地區(qū)性差異,加上全球彼此競爭的無線通訊標準數(shù)量龐大且快速革新,使得全球移動電話平臺必須支援的頻率數(shù)量倍增。盡可能有效地利用無線頻譜,以及使用從前未用到的頻譜來支援新服務,也在在引領(lǐng)頻率雙工的趨勢發(fā)展。

然而,為了能夠接取到無線網(wǎng)路,各個裝置必須實現(xiàn)的技術(shù)需求始終如一。事實上,用于RF前端的高性能硬體方案必須能夠提供必要的選擇性、線性度和隔離,同時對電路的插入損耗和功耗要求最小化。

一個典型的例子是為整合了7個頻段于一支手機中,至少需要5個獨立的RF元件組(鏈),其中包括多個天線,另外還需要8擲或更高階以上的開關(guān)用來選擇所需的執(zhí)行頻段。

當首款移動電話問世,當時還只是采用單頻的無線設(shè)計,但手機用戶對于能夠遠離座位撥打電話已感到相當興奮,而RF設(shè)計人員也只需考慮單一的頻率設(shè)計。

然而,隨著技術(shù)的快速進展,為了支援暴增的手機用戶,雙頻手機頓時成了必備的功能。當用戶開始攜帶手機旅行后,三頻、四頻和五頻的手機設(shè)計隨即成為一般的功能需求,并為設(shè)計人員增添了更多困擾。

隨著更多頻段的增加,更多的RF設(shè)計途徑變得越來越難以解決各項衍生出來的問題。體積、成本和復雜性的增加都還算是這些問題中最為簡單的。
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頻段覆蓋范圍是以趨近線性的速度而增加。首先,隨著交換式解決方案隨著射程數(shù)增加而持續(xù)改善,它以一種次線性的速度發(fā)展;其次,如同先前所述,每一代技術(shù)的進展都不斷促使每一頻段元件體積縮小且成本降低;再者,許多個別元件如今都被整合成模組,雖然減少了開銷,但根本問題并未獲得解決。

如今,越來越多移動電話產(chǎn)業(yè)均體認到,單單沿用這個方案是無法解決問題的。除了復雜性、尺寸和成本問題外,多鏈路方案還會加重基礎(chǔ)性能的限制。

每一鏈路所對應的頻段或多或少有一些不同的阻抗特性。如果每一鏈路都有獨立的天線,整體鏈路便可以得到最佳化。然而,單獨的天線既占空間、成本又高,而且具有顯著的交叉藕合特性,因此,多條鏈路被迫以開關(guān)和濾波器結(jié)合成單一通道。

由于在共用電路時可能造成折衷,即使采用完美的開關(guān),在加入新頻段時還要保持所有頻段的高性能也愈趨困難。

另外,由于鏈路中的每個元件都有其特殊的固定頻率響應,因此僅能實現(xiàn)次佳化的頻帶邊緣性能。
 
單鏈路解決方案


如果采用可調(diào)式的RF前端元件,那麼上述所有問題都可以避免,特別是針對目前所使用的通道可進行單鏈路最佳化。

單鏈路方案的好處正獲得廣泛的認同,但在其建置過程依舊面臨挑戰(zhàn)。

可調(diào)式前端元件的研究已發(fā)展了數(shù)十年,但這項必備的技術(shù)直到目前才逐漸成熟。傳統(tǒng)的問題主要出在尺寸、成本、可重復性、可靠性和性能方面,各個問題在早期也都獲得部份的解決;然而WiSpry公司首度為市場帶來完整的解決方案,并適用于低成本的量產(chǎn)市場。

WiSpry公司率先將高Q值(high-Q)MEMS電容器元件整合到主流RF CMOS制程技術(shù)中,實現(xiàn)了大量生產(chǎn)、低成本制程以及高性能RF MEMS技術(shù)的優(yōu)勢。

個別的電容器元件以具有數(shù)位可變氣隙的微小平行排列電容整合在晶片上。個別旁路或串列元件整合為電容值單元,接著形成可包含任一獨立單元組合的陣列,最終形成了具有良好電器特性的數(shù)位化電容器;其電容值比(最大/最小)超過10且Q值在1GHz時超過200以上。

該元件的制造得益于CMOS半導體制程技術(shù)的最新進展。WiSpry公司正使用一種無晶圓制程模式,在可大量生產(chǎn)的主流8吋RF CMOS晶圓上,以單晶片整合可編程數(shù)位化電容器技術(shù),因而免除了傳統(tǒng)高性能MEMS技術(shù)上因尺寸和成本帶來的困擾。

該制程流程還包含晶圓級封裝,讓代工廠提供的晶圓成品可在傳統(tǒng)的自動化后端處理過程(如凸點制作、薄化、切片、封裝和測試)中直接使用,而使得高可靠性的終端產(chǎn)品制造可藉由傳統(tǒng)RF半導體制程來實現(xiàn)。
圖2:個別旁路或串列元件整合為電容值單元,接著形成可包含任一獨立單元組合的陣列,最終形成了具有良好電器特性的數(shù)位化電容器;其電容值比(最大/最小)超過10且Q值在1GHz時超過200以上。
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無需外部電路

那麼這些元件是如何執(zhí)行的?設(shè)計人員又如何使用這項技術(shù)呢?

由于這些元件的性能如同一個整合串列介面的high-Q電容器一樣,因此不需要外部電路。所有支援MEMS單元的功能都被整合在晶片上。

透過串列匯流排載入一個包含數(shù)位化電容器單元所需設(shè)置的數(shù)位字元后,內(nèi)部邏輯和驅(qū)動電路將會立即使電容值設(shè)置為特定值。

這種編程能在高速下重復設(shè)置,以制作出大量應用中所需的動態(tài)RF功能。

隨著可編程晶片與其他高Q值的被動、主動元件及支援電路被整合成客制化模組,WiSpry公司也將利用所產(chǎn)生的平臺為完整的RF前端提供可編程特性。

這項工作將從具有頻率可變和失配調(diào)整功能的天線開始著手,接著RF鏈路上的其他問題也將迎刃而解。
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