- 壓電電阻式
- 低成本
- 減小芯片面積
- 低價(jià)格
- 可用于血壓計(jì)
采用1.4mm見方壓力傳感器的模塊。封裝尺寸為7.0mm×7.0mm×6.1mm。
該公司為了減小壓力傳感器的芯片面積，采用了高速硅深度蝕刻（Deep RIE：Deep Reactive Ion Etching，深度反應(yīng)離子蝕刻）裝置。通過日本千歲業(yè)務(wù)所（北海道）的150mm晶圓生產(chǎn)線制造。
采用Deep RIE可以減小芯片面積的理由是，幾乎可以垂直對(duì)硅進(jìn)行深度蝕刻。能夠垂直形成在壓力檢測(cè)用隔（Diaphragm）下面形成的空洞截面結(jié)構(gòu)。而一般情況下是通過利用硅表面結(jié)晶各向異性的濕式蝕刻是在傾斜方向上進(jìn)行深度蝕刻的，空洞的截面形狀會(huì)形成隔膜側(cè)邊長(zhǎng)較短的梯形。由于必須要寬闊地設(shè)計(jì)作為蝕刻基點(diǎn)的芯片底邊面積，因此難以減小芯片面積。
不過，如果在壓電電阻式壓力傳感器的制造過程中采用Deep RIE的話，很有可能會(huì)成為制造成本上升的因素。原因是裝置價(jià)格在幾千萬(wàn)～1億日元之間，大幅高于采用濕式蝕刻的方法。另外，為了進(jìn)行高精度加工，需要使用價(jià)格為硅晶圓2倍以上的SOI（Silicon On Insulator）晶圓。采用SOI晶圓的原因是為了在空洞形成時(shí)將氧化膜層作為蝕刻停止層使用，從而確保蝕刻的面內(nèi)均勻性。
至于采用Deep RIE和SOI還可以降低成本的原因，該公司指出除了芯片面積的小型化以外，還包括采用了在功率半導(dǎo)體等的量產(chǎn)中表現(xiàn)出色的高再現(xiàn)性和可靠性生產(chǎn)線，因此成品率高于競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)。另外該公司還強(qiáng)調(diào)指出，由于自制了信號(hào)處理IC，因此即使芯片單體的成本競(jìng)爭(zhēng)力降低，壓力傳感器模塊仍然可以保持較高的成本競(jìng)爭(zhēng)力。
