國內(nèi)現(xiàn)狀：

• 傳感器在感知信息方面的落后
• 傳感器自身在智能化和網(wǎng)絡(luò)化方面的技術(shù)落后

• 技術(shù)推動是加速傳感器技術(shù)發(fā)展的保證和機遇

傳感器技術(shù)是現(xiàn)代科技的前沿技術(shù)，傳感器產(chǎn)業(yè)也是國內(nèi)外公認的具有發(fā)展前途的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，它以其技術(shù)含量高、經(jīng)濟效益好、滲透能力強、市場前景廣等特點為世人矚目。

我國自動化方面的專家呼吁：目前復雜系統(tǒng)越來越復雜，自動化已經(jīng)陷入低谷，其主要原因之一是傳感技術(shù)的落后，一方面表現(xiàn)為傳感器在感知信息方面的落后;另一方面也表現(xiàn)為傳感器自身在智能化和網(wǎng)絡(luò)化方面的技術(shù)落后。

分析儀器產(chǎn)業(yè)迫切需要新型傳感器。分析儀器是我國科技、經(jīng)濟和社會持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，無論在工業(yè)過程控制、設(shè)施農(nóng)業(yè)、生物醫(yī)學、環(huán)境控制、食品安全乃至航空航天、國防工程等領(lǐng)域，均迫切需要各類新型傳感器作為信息攝取源的小型化、專用化、簡用化、家庭化(甚至個人化)的新一代分析儀器，實現(xiàn)更靈敏、更準確、更快速、更可靠地實時檢測，以迅速改變我國分析儀器的落后狀況。

而技術(shù)推動是加速傳感器技術(shù)發(fā)展的保證和機遇。幾十年來，以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)，促進了傳感器技術(shù)的發(fā)展。未來10～20年，傳統(tǒng)硅技術(shù)將進入成熟期(預測為2014年～2017年)。屆時，直徑300mm硅晶片將大量用于生產(chǎn)，使得硅的低成本制造技術(shù)和硅的應(yīng)用技術(shù)將得到空前的發(fā)展，這無疑將為研制生產(chǎn)微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術(shù)保障。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術(shù)將一直延續(xù)到2047年(即晶體管發(fā)明100周年)才趨于飽和(即達到芯片特征尺寸的極限)和衰退。而當前微電子技術(shù)仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎(chǔ)規(guī)律走下去，在盡力逼近傳統(tǒng)硅技術(shù)極限中，不斷擴展硅的跨學科橫向應(yīng)用(如MEMS等)和突破“非穩(wěn)態(tài)物理器件”(量子、分子器件)，而上述微電子技術(shù)發(fā)展中的兩大方向正是當前乃至未來20年傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向。

同時，多學科、多種高新技術(shù)的交叉融合，推動了新一代傳感器的誕生與發(fā)展。例如：當前我國正在重點開發(fā)的MEMS(微電子與微機械的結(jié)合)、MOMES(MEMS與微光學的結(jié)合)、智能傳感器(MEMS與CPU、信息控制技術(shù)的結(jié)合)、生物化學傳感器(MEMS與生物技術(shù)、電化學的結(jié)合)等以及今后將大力開發(fā)的網(wǎng)絡(luò)化傳感器(MEMS網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的結(jié)合)、納米傳感器(納米技術(shù)與傳感技術(shù)的結(jié)合)均是多學科、多種學科技術(shù)交叉融合的新一代傳感器。