【導(dǎo)讀】信號處理單元和片上系統(tǒng)(SoC)單元通常具有突然變化的負(fù)載瞬態(tài)變化。這種負(fù)載瞬態(tài)變化將干擾電源電壓，而電源電壓在射頻(RF)應(yīng)用中極其重要，因?yàn)樽兓碾娫措妷簳叨扔绊憰r鐘頻率。因此，射頻片上系統(tǒng)(RFSoC)通常在負(fù)載瞬態(tài)過程中使用消隱時間。在5G應(yīng)用中，信息質(zhì)量與過渡區(qū)間中的消隱時間高度相關(guān)。因此，對于任何射頻片上系統(tǒng)來說，越來越需要減少電源側(cè)的負(fù)載瞬態(tài)效應(yīng)，以提高系統(tǒng)級性能。
用于射頻應(yīng)用的快速瞬態(tài)Silent Switcher 3系列
實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)電源軌的最直接方法之一是選擇具有快速瞬態(tài)性能的穩(wěn)壓器。Silent Switcher 3系列IC具有極低頻輸出噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)、低EMI輻射和高效的特性。它采用超高性能誤差放大器設(shè)計(jì)，即使采用激進(jìn)的補(bǔ)償方法也能提供額外的穩(wěn)定性。4MHz的最大開關(guān)頻率使IC能夠在固定頻率峰值電流控制模式下將控制環(huán)路的帶寬推至50kHz的范圍。表1列出了設(shè)計(jì)人員可以選擇用以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)性能的Silent Switcher 3 IC。
表1. Silent Switcher 3系列參數(shù)
圖1顯示了用于5G RFSoC的典型 1 V 輸出電源，其基于LT8625SP，需要同時具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和低紋波/噪聲水平。1 V負(fù)載由發(fā)射/接收相關(guān)電路以及本振(LO)和壓控振蕩器(VCO)組成。在頻分雙工(FDD)操作中，發(fā)射/接收負(fù)載會經(jīng)歷負(fù)載電流的突然變化。與此同時，LO/VCO負(fù)載恒定，但要求高精度和低噪聲，這很關(guān)鍵。LT8625SP的高帶寬特性使設(shè)計(jì)人員能夠用第二電感(L2)分隔動態(tài)負(fù)載和靜態(tài)負(fù)載，從而用單個IC為兩個關(guān)鍵的1 V負(fù)載組供電。圖2顯示了具有4 A至6 A動態(tài)負(fù)載瞬態(tài)的輸出電壓響應(yīng)。動態(tài)負(fù)載在5 μs內(nèi)恢復(fù)，不到0.8%的峰峰值電壓，這對靜態(tài)負(fù)載側(cè)的影響極小，不到0.1%的峰峰值電壓?？梢孕薷拇穗娐芬灾С制渌敵鼋M合，例如0.8 V和1.8 V；由于低頻范圍內(nèi)的超低噪聲、低電壓紋波和超快速瞬態(tài)響應(yīng)，它們都能直接為RFSoC負(fù)載供電，而無需LDO穩(wěn)壓器級。
圖1.LT8625SP的典型應(yīng)用電路，動態(tài)/靜態(tài)射頻負(fù)載分離
圖2.負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)很快，VOUT偏差極小，不會影響靜態(tài)負(fù)載
在時分雙工(TDD)模式下，噪聲關(guān)鍵的LO/VCO會隨著發(fā)射/接收模式的變化而加載和卸載。因此，可以使用圖3所示的簡化電路，因?yàn)樗胸?fù)載都被視為動態(tài)負(fù)載，同時需要更關(guān)鍵的后置濾波來保持LO/VCO的低紋波/低噪聲特性。饋通模式下的3端子電容可用于實(shí)現(xiàn)足夠的后置濾波，其最小化的等效L可保持負(fù)載瞬態(tài)的快速帶寬。饋通電容與遠(yuǎn)端輸出電容一起形成另外兩個LC濾波級，而所有L都來自3端子電容的ESL，它非常小，對負(fù)載瞬態(tài)的危害較小。圖3還展示了Silent Switcher 3系列的簡單遠(yuǎn)程檢測連接。由于獨(dú)特的參考生成和反饋技術(shù)，只需將SET引腳電容(C1)的接地和OUTS引腳開爾文連接到所需的遠(yuǎn)程反饋點(diǎn)。這種連接不需要電平轉(zhuǎn)換電路。圖4顯示了1 A負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)波形，恢復(fù)時間小于5 μs，輸出電壓紋波小于1 mV。
圖3.LT8625SP的典型應(yīng)用電路，動態(tài)/靜態(tài)射頻負(fù)載合并
圖4.饋通電容可提升瞬態(tài)響應(yīng)，同時保持最小輸出電壓紋波
預(yù)充電信號驅(qū)動Silent Switcher 3系列以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
在某些情況下，信號處理單元功能強(qiáng)大，具有足夠的GPIO，并且信號處理安排得當(dāng)，因?yàn)榭梢蕴崆爸浪矐B(tài)事件。這通常發(fā)生在一些FPGA電源設(shè)計(jì)中，其中可以生成預(yù)充電信號以幫助驅(qū)動電源瞬態(tài)響應(yīng)。圖5顯示了一個典型應(yīng)用電路，其使用FPGA生成的預(yù)充電信號在實(shí)際負(fù)載轉(zhuǎn)換發(fā)生之前提供偏置，以便LT8625SP有額外的時間來適應(yīng)負(fù)載擾動，而不會出現(xiàn)太大的VOUT偏差和恢復(fù)時間。由于預(yù)充電信號對反饋造成干擾，因此省略了從FPGA的GPIO到逆變器輸入的調(diào)諧電路。電平控制為35 mV。此外，為了避免預(yù)充電信號對穩(wěn)態(tài)的影響，在預(yù)充電信號和OUTS之間設(shè)置了一個高通濾波器。圖6顯示了1.7 A至4.2 A負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)波形。預(yù)充電信號在實(shí)際負(fù)載瞬態(tài)之前施加到反饋(OUTS)，而恢復(fù)時間小于5 μs。
圖 5. T8625SP 將預(yù)充電信號饋入 OUTS 引腳以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
圖6.預(yù)充電信號和負(fù)載瞬態(tài)同時影響LT8625SP，實(shí)現(xiàn)快速恢復(fù)時間
電路主動降壓以實(shí)現(xiàn)超快速恢復(fù)瞬態(tài)
在波束形成器應(yīng)用中，電源電壓為適應(yīng)不同的功率水平時刻變化。因此，對電源電壓的精度要求通常為5%至10%的區(qū)間。在此應(yīng)用中，穩(wěn)定性比電壓精度更重要，因?yàn)樵谪?fù)載瞬態(tài)期間最小化恢復(fù)時間將最大限度地提高數(shù)據(jù)處理效率。降壓電路非常適合此應(yīng)用，因?yàn)橄陆惦妷嚎蓽p少甚至消除恢復(fù)時間。如圖7所示LT8627SP的主動降壓電路的原理圖。在誤差放大器的負(fù)輸入端(OUTS)和輸出端(VC)之間添加了一個額外的降壓電阻，以在瞬態(tài)期間保持反饋控制環(huán)路中的穩(wěn)態(tài)誤差。下降電壓可表示為：
圖7.LT8627SP的OUTS和VC之間放置一個主動降壓電阻，以實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)恢復(fù)時間
ΔVOUT是負(fù)載瞬態(tài)引起的初始電壓變化，ΔIOUT是負(fù)載瞬態(tài)電流，g是用于切換電流增益的VC引腳。設(shè)計(jì)圖7所示的降壓電路時，需要特別考慮以下幾點(diǎn)：
● 下降電流不應(yīng)超過VC引腳電流限值。對于LT8627SP的誤差放大器輸出，最好將電流限制在200μA以下以避免飽和，這可以通過改變R7和R8的值來實(shí)現(xiàn)。
● 下降電壓需要適應(yīng)輸出電容，以便瞬態(tài)期間的電壓偏差與下降電壓大致接近，從而在瞬態(tài)期間實(shí)現(xiàn)最短恢復(fù)時間。
圖8顯示了上述電路在1 A至16 A至1 A負(fù)載瞬態(tài)期間的典型波形。值得注意的是，現(xiàn)在16 A至1 A負(fù)載瞬態(tài)速度不再受帶寬限制，但受穩(wěn)壓器最短導(dǎo)通時間限制。
圖8.可以實(shí)現(xiàn)降壓瞬態(tài)響應(yīng)，以最大限度地縮短LT8627SP的瞬態(tài)恢復(fù)時間
結(jié)論
由于高速信號處理的時間關(guān)鍵特性，無線射頻領(lǐng)域變得越來越依賴計(jì)算，并且對瞬態(tài)響應(yīng)時間敏感。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師面臨的挑戰(zhàn)是提高電源瞬態(tài)響應(yīng)速度，以使消隱時間最小化。Silent Switcher 3系列是新一代單片穩(wěn)壓器，針對無線、工業(yè)、防務(wù)和醫(yī)療健康領(lǐng)域的噪聲敏感、強(qiáng)動態(tài)負(fù)載瞬態(tài)解決方案進(jìn)行了優(yōu)化。根據(jù)負(fù)載條件，可以應(yīng)用特殊技術(shù)和電路來進(jìn)一步改善瞬態(tài)響應(yīng)。
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