致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次監(jiān)視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應(yīng)用的射頻(RF)晶體管系列中的首款產(chǎn)品1011GN-700ELM。SSR用于發(fā)送信息至裝備有雷達(dá)應(yīng)答器的飛機(jī)并收集信息，允許航空交通控制系統(tǒng)識(shí)別、跟蹤和測量特定飛機(jī)的位置。美高森美新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作頻率為1030MHz，并且支持短脈沖和長脈沖擴(kuò)展長度信息(extended length message, ELM) 。新型晶體管基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC) 技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)特別適合大功率電子應(yīng)用。

美高森美公司RF集成系統(tǒng)產(chǎn)品部門副總裁David Hall表示：“我們積極推進(jìn)下一代GaN on SiC功率器件的開發(fā)，把握不斷增長的更高性能航天和軍事應(yīng)用的機(jī)會(huì)。通過發(fā)布新產(chǎn)品，我們現(xiàn)在提供功率為250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶體管，用于二次監(jiān)控雷達(dá)搜索和跟蹤應(yīng)用。我們還在研發(fā)多個(gè)其它GaN on SiC晶體管產(chǎn)品，將于今年稍后時(shí)間推出。”

美高森美即將推出的產(chǎn)品包括多個(gè)用于L，S和C波段雷達(dá)系統(tǒng)的高脈沖功率GaN on SiC晶體管，還提供一整套GaN微波功率器件，包括S波段雷達(dá)型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發(fā)的數(shù)款新產(chǎn)品包括用于涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產(chǎn)品；涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達(dá)，以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達(dá)的較大功率器件。

關(guān)于1011GN-700ELM RF晶體管

1011GN-700ELM晶體管具有無與倫比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 漏極效率，以期降低總體漏極電流和熱耗散，其它的主要產(chǎn)品特性包括：

短脈沖和長脈沖間歇模式: ELM =  2.4 ms, 64%和6.4% LTD
出色的輸出功率: 700W
高功率增益: >21 dB最小值
受控的動(dòng)態(tài)范圍:增量1.0dB，總計(jì)15 dB
漏極偏壓 - Vdd: +65V

使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括：

采用簡化阻抗匹配的單端設(shè)計(jì)，替代需要附加合成的較低功率器件
較高峰值功率和功率增益，用于減少系統(tǒng)功率放大級數(shù)和最終功率級合成
單級配對提供帶有余量的1.3kW功率，四路結(jié)合提供4 kW的總體系統(tǒng)功率
65V的高工作電壓，減小電源尺寸和直流電流需求
極高的穩(wěn)健性，提高系統(tǒng)良率
放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工藝器件減小50%

封裝和供貨

1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨，采用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線，實(shí)現(xiàn)長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數(shù)周，但鑒于產(chǎn)品成本的緣故，不會(huì)提供免費(fèi)的樣品。

關(guān)于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation) 為通信、國防與安全、航天，以及醫(yī)療與工業(yè)市場提供業(yè)界綜合性的半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案系列，包括混合信號集成電路、系統(tǒng)單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS)、可編程模擬解決方案、功率管理產(chǎn)品、時(shí)鐘與語音處理器件、射頻解決方案、分立組件，以及以太網(wǎng)供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產(chǎn)品。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人。