救世主GaN來了!第1部分:體二極管反向恢復(fù)
發(fā)布時間:2021-01-04 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】作為電源工程師,我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級的場景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡單(圖1),以及平均電流的計算是多么地輕松,并且確定與輸入和輸出相關(guān)的傳遞函數(shù)也輕而易舉?
圖1:理想化的降壓與升壓功率級:這些圖看起來真是太棒了!
當(dāng)我們對于用實際組件來實現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時,這個波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性,并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597,我將開始在24V至5V/4A電源轉(zhuǎn)換器中測量反向恢復(fù)。
反向恢復(fù)—到底是個啥東西?
一個二極管中的反向恢復(fù)就是當(dāng)反向電壓被施加到端子上時流經(jīng)二極管的反向電流(錯誤方向?。ㄕ堃妶D2)。二極管中有儲存的電荷,這些電荷必須在二極管能夠阻斷反向電壓前重新組合。這個重新組合是溫度、正向電流、Ifwd、電流的di/dt,以及其它因數(shù)的函數(shù)。
圖2:反向恢復(fù)電流波形
恢復(fù)的電荷,Qrr,被分為兩個分量:恢復(fù)之前的Qa和恢復(fù)之后的Qb—二極管在此時開始支持反向電壓—請見圖3。你也許見過Qb與Qa一樣的軟恢復(fù),這樣的話,di/dt比較慢,或者說,你見過Qb很小,而di/dt很高的“活躍”二極管。當(dāng)di/dt很高時(由二極管急變引起),橋式功率環(huán)路中寄生電感的響應(yīng)方式是把它們儲存的電能傾倒到寄生節(jié)點電容中;電壓振鈴會由于二階響應(yīng)而出現(xiàn)。這也是將輸入功率級旁路電容器放置在輸入級附近的原因。由于環(huán)路中用于快速恢復(fù)的電感較少,由寄生電容導(dǎo)致電壓振鈴的電能較少。
圖3:已恢復(fù)的電荷
我用常規(guī)的方法來計算反向恢復(fù)損耗:我使用的是數(shù)據(jù)表中的Qrr額定值,并將其乘以頻率和輸入電壓(如果是降壓轉(zhuǎn)換器)或輸出電壓(如果是升壓轉(zhuǎn)換器)。二極管或MOSFET數(shù)據(jù)表通常指定一個反向恢復(fù)時間和一個反向恢復(fù)電荷。例如,CSD18563Q5A指定了一個49ns的反向恢復(fù)時間,trr,以及一個63nC的Qrr。方程式1計算在一個300kHz,24V->5V降壓轉(zhuǎn)換器中,由Qrr所導(dǎo)致的損耗一階估算值:
Qrr損耗 ~24V * 300kHz * 63nC = 454mW (1)
請注意!Qrr通常是25°C溫度下,針對特定Ifwd和di/dt的額定值。實際Qrr會在結(jié)溫上升時,比如說125°C時加倍(或者更多)。di/dt和初始電流都會有影響(更高或更低)。對于活躍型二極管,這個功率的大部分在上部開關(guān)內(nèi)被耗散。對于軟恢復(fù)二極管,這個功率在上部開關(guān)和體二極管之間分離開來。如果di/dt和Ifwd條件與我的應(yīng)用相類似,我將25°C溫度下?lián)p耗的2倍作為與恢復(fù)相關(guān)損耗的估算值。
那么,你打算拿這些損耗怎么辦呢?實際電路中,由反向恢復(fù)導(dǎo)致的真實峰值電流是多少?你也許嘗試用一個SPICE工具來仿真恢復(fù),不過我還未在SPICE社區(qū)內(nèi)發(fā)現(xiàn)比較好的針對二極管恢復(fù)的模型。圖4顯示的是一個TINA-TI™ 仿真的結(jié)果;我用我們的24V/5V降壓轉(zhuǎn)換器的TPS40170產(chǎn)品文件夾對這個仿真進行了修改,從而顯示出頂部開關(guān)內(nèi)的開關(guān)節(jié)點電壓 (SW) 和電流(負(fù)載電流加上反向恢復(fù)電流,以及用一個10mΩ分流電阻器感測到的開關(guān)節(jié)點電容電流)。
圖4:TINA-TI™ 仿真:TPS540170
注意到大約5A的峰值紋波電路,以及5A峰值反向恢復(fù)電流加上開關(guān)節(jié)點電容充電電流。我運行了這個仿真,并且將溫度從27°C增加至125°C—峰值恢復(fù)電流沒有增加—并且看起來好像SPICE沒有對這個恢復(fù)進行正確建模。
在本系列的第2部分,我將詳細(xì)介紹在真實電路中測量反向恢復(fù)的方法,然后將一個基于MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)同步降壓轉(zhuǎn)換器與全新的LMG5200進行比較。
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。
推薦閱讀:
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計
- ADI電機運動控制解決方案 驅(qū)動智能運動新時代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 中微公司成功從美國國防部中國軍事企業(yè)清單中移除
- 華邦電子白皮書:滿足歐盟無線電設(shè)備指令(RED)信息安全標(biāo)準(zhǔn)
- 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴散
- 準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計
- 第12講:三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
單向可控硅
刀開關(guān)
等離子顯示屏
低頻電感
低通濾波器
低音炮電路
滌綸電容
點膠設(shè)備
電池
電池管理系統(tǒng)
電磁蜂鳴器
電磁兼容
電磁爐危害
電動車
電動工具
電動汽車
電感
電工電路
電機控制
電解電容
電纜連接器
電力電子
電力繼電器
電力線通信
電流保險絲
電流表
電流傳感器
電流互感器
電路保護
電路圖