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使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2020-12-28 來(lái)源:Jeff Shepard 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長(zhǎng)。隨著這種增長(zhǎng)是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)計(jì)的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力,但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,這樣做的成本很高,而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。
 
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長(zhǎng)。隨著這種增長(zhǎng)是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)計(jì)的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力,但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,這樣做的成本很高,而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。
 
相反,設(shè)計(jì)人員可以使用現(xiàn)成的 IGBT 模塊,將多個(gè)功率器件組合到一個(gè)封裝中。此類模塊支持設(shè)計(jì)人員以最少的互連來(lái)開(kāi)發(fā)緊湊的系統(tǒng),從而簡(jiǎn)化組裝,縮短上市所需時(shí)間,降低成本,并提高整體性能。配套使用合適的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,使用 IGBT 模塊就可以開(kāi)發(fā)出高效、低成本的電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器。
 
本文先簡(jiǎn)要介紹電機(jī)和逆變器以及相關(guān)驅(qū)動(dòng)電路和性能要求,然后回顧使用 IGBT 模塊的優(yōu)點(diǎn)和各種模塊封裝標(biāo)準(zhǔn),最后介紹基于 NXP Semiconductors、Infineon Technologies、Texas Instruments、STMicroelectronics 和 ON Semiconductor 等廠商的 IGBT 模塊和驅(qū)動(dòng)器 IC 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)方案,以及如何應(yīng)用這些方案,包括評(píng)估板的使用。
 
電機(jī)類型和效率標(biāo)準(zhǔn)
 
IEC/EN 60034-30 將電機(jī)效率分為 IE1 至 IE5 五個(gè)等級(jí)。美國(guó)電氣制造商協(xié)會(huì) (NEMA) 從“標(biāo)準(zhǔn)效率”到“超高效率”都有相應(yīng)的評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)(圖 1)。為了達(dá)到更高的效率標(biāo)準(zhǔn),使用電子驅(qū)動(dòng)是必要的。采用電子驅(qū)動(dòng)的交流感應(yīng)電機(jī)可以滿足 IE3 和 IE4 的要求。為了達(dá)到 IE5 的效率水平,需要組合使用成本較高的永磁電機(jī)和電子驅(qū)動(dòng)。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
低成本微控制器 (MCU) 的發(fā)展能夠讓設(shè)計(jì)人員使用上矢量控制技術(shù)——亦稱磁場(chǎng)定向控制 (FOC)。這是一種變頻驅(qū)動(dòng) (VFD) 控制方法,其中三相交流電機(jī)的定子電流被視為兩個(gè)正交分量,可以用矢量可視化。比例積分 (PI) 控制器可用于將被測(cè)電流分量保持在其所需要的值。VFD 的脈寬調(diào)制根據(jù)作為 PI 電流控制器輸出的定子電壓基準(zhǔn)來(lái)定義晶體管的開(kāi)關(guān)。
 
FOC 最初是為高性能系統(tǒng)而開(kāi)發(fā)的,但由于 FOC 的電機(jī)尺寸較小、成本較低和功耗較低,因此對(duì)低成本應(yīng)用也越來(lái)越有吸引力。由于低成本高性能 MCU 的不斷推出,F(xiàn)OC 不斷取代性能較低的單變量標(biāo)量每赫茲伏特 (V/f) 控制。
 
目前使用的永磁電機(jī)主要有兩種,即無(wú)刷直流 (BLDC) 和永磁同步電機(jī) (PMSM)。這兩種先進(jìn)的電機(jī)設(shè)計(jì)都需要電力電子裝置進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和控制。
 
無(wú)刷直流電機(jī)耐用、高效、成本低。PMSM 電機(jī)具有無(wú)刷直流電機(jī)的特性,但噪音更低,效率更高。這兩種類型的電機(jī)通常與霍爾傳感器一起使用,但也可用于無(wú)傳感器設(shè)計(jì)。PMSM 電機(jī)用于要求最高性能級(jí)別的應(yīng)用,而 BLDC 電機(jī)則用于對(duì)成本更敏感的設(shè)計(jì)。
 
BLDC 電機(jī)
更容易控制(6 步),且只需要直流電流。
換向時(shí)有轉(zhuǎn)矩波動(dòng)
成本較低,性能較低(與 PMSM 相比)
PMSM 電機(jī)
常用于帶集成軸編碼器的伺服驅(qū)動(dòng)
控制更復(fù)雜(需要三相正弦 PWM)
換向時(shí)無(wú)轉(zhuǎn)矩波動(dòng)
效率更高,扭矩更大
成本更高,性能更強(qiáng)(與 BLDC 相比)
 
逆變器概述
 
逆變器的效率表示輸出端有多少直流輸入功率轉(zhuǎn)換為交流功率。優(yōu)質(zhì)正弦波逆變器可提供 90-95% 的效率。質(zhì)量較低的修正正弦波逆變器比較簡(jiǎn)單,價(jià)格較低,效率也較低,一般為 75-85%。高頻逆變器通常比低頻設(shè)計(jì)更有效率。逆變器的效率還取決于逆變器負(fù)載(圖 2)。所有逆變器都需要電力電子驅(qū)動(dòng)和控制。
 
以光伏逆變器為例,有三種效率評(píng)級(jí)類型:
一、峰值效率,表示逆變器在最佳功率輸出時(shí)的性能。它顯示了某一特定逆變器性能曲線的最高點(diǎn),可以作為其質(zhì)量評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)使用(圖 2)。
二、歐洲效率,考慮逆變器在不同功率輸出下使用頻繁程度的加權(quán)數(shù)字。它有時(shí)比峰值效率更有用,因?yàn)樗@示了逆變器在太陽(yáng)日期間不同輸出水平的表現(xiàn)。
三、加州能源委員會(huì) (CEC) 效率,這也是一種加權(quán)效率,類似于歐洲效率,但它使用的加權(quán)系數(shù)假設(shè)不同。
 
歐洲效率和 CEC 效率的主要區(qū)別在于,前者是基于中歐的數(shù)據(jù),后者是基于加州的數(shù)據(jù)。對(duì)于特定逆變器來(lái)說(shuō),每個(gè)功率水平的重要性假設(shè)是不同的。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
IGBT 基礎(chǔ)知識(shí)
 
IGBT 的基本功能是以盡可能低的損耗最快地切換電流。IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的英文編寫(xiě)。顧名思義,IGBT 是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管,柵極本身基本上就是一個(gè) MOSFET。因此,IGBT 結(jié)合了雙極型晶體管的高載流能力和高阻斷電壓的優(yōu)點(diǎn),以及 MOSFET 的電容、低功耗控制的優(yōu)點(diǎn)。圖 3 描述了 MOSFET 和雙極型晶體管如何組合成 IGBT。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
IGBT 的基本操作很簡(jiǎn)單:從柵極(圖 3 中的 G)到發(fā)射極 (E) 施加正電壓 UGE 接通 MOSFET。然后,連接到集電極 (C) 的電壓就可以驅(qū)動(dòng)基極電流通過(guò)雙極型晶體管和 MOSFET;雙極型晶體管導(dǎo)通,然后負(fù)載電流就可以流動(dòng)。電壓 UGE ≤0 伏時(shí)關(guān)閉 MOSFET,基極電流中斷,雙極晶體管同時(shí)關(guān)閉。
 
雖然概念上很簡(jiǎn)單,但由于實(shí)際器件和電路中存在許多性能上的細(xì)微差別,開(kāi)發(fā)控制 IGBT 的硬件(柵極驅(qū)動(dòng)器)可能是一項(xiàng)復(fù)雜的任務(wù)。大多數(shù)時(shí)候是沒(méi)有必要的。半導(dǎo)體制造商提供了許多合適的柵極驅(qū)動(dòng)器,作為集成解決方案,具有多種功能和能力。因此,為 IGBT 模塊配套合適的柵極驅(qū)動(dòng)器非常重要。
 
IGBT 模塊有多種封裝類型(圖 4)。最大規(guī)格的額定電壓為 3,300 伏或以上,設(shè)計(jì)用于兆瓦級(jí)裝置,如可再生能源系統(tǒng)、不間斷電源和超大型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。中型模塊的額定電壓通常為 600 至 1700 伏,適用于各種應(yīng)用,包括電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能逆變器。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
最小的器件被稱為集成功率模塊,額定電壓為 600 伏,可包括內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器和其他組件,用于小型工業(yè)系統(tǒng)和消費(fèi)類白色家電中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。與其他類型的功率開(kāi)關(guān)元件相比,IGBT 實(shí)現(xiàn)了更高的功率水平和更低的開(kāi)關(guān)頻率(圖 5)。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
用于牽引逆變器的 IGBT 模塊評(píng)估板
 
針對(duì)高壓牽引逆變器設(shè)計(jì)人員,NXP Semiconductors 提供了采用其 MC33GD3100A3EK 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 的 FRDMGD3100HBIEVM 柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理評(píng)估板。該評(píng)估板是專門為配套使用 Infineon 的 FS820R08A6P2BBPSA1 IGBT 模塊而設(shè)計(jì)的(圖 6)。它是一個(gè)完全的解決方案,包括半橋柵極驅(qū)動(dòng) IC、DC Link 電容器和用于連接提供控制信號(hào)的 PC 的轉(zhuǎn)換器板。目標(biāo)應(yīng)用包括:
電動(dòng)汽車牽引電機(jī)和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車車載充電器和外部充電器
其他高壓交流電機(jī)控制應(yīng)用
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
用于 150 mm x 62 mm x 17 mm IGBT 模塊的驅(qū)動(dòng)器
 
針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器、HEV 和 EV 充電器、風(fēng)力渦輪機(jī)、運(yùn)輸和不間斷電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員,Texas Instruments 開(kāi)發(fā)了 ISO5852SDWEVM-017(圖 7)。它是一款緊湊的雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器板,為采用標(biāo)準(zhǔn) 150 mm × 62 mm × 17 mm 封裝的通用半橋碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 IGBT 模塊提供所需的驅(qū)動(dòng)、偏置電壓、保護(hù)和診斷功能。TI 的這款 EVM 基于 ISO5852SDW 5,700 Vrms 增強(qiáng)型隔離驅(qū)動(dòng)器 IC,采用 SOIC-16DW 封裝,具有 8.0 mm 的爬電距離和間隙。該 EVM 包括基于 SN6505B 的隔離式 DC/DC 變壓器偏置電源。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
智能電源模塊評(píng)估板
 
STMicroelectronics 提供的 STEVAL-IHM028V2 2,000 瓦三相電機(jī)控制評(píng)估板(圖 8)采用了 STGIPS20C60 IGBT 智能電源模塊。該評(píng)估板是一款 DC/AC 逆變器,可產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng) HVAC(空調(diào))、白色家電和高端單相電動(dòng)工具中的感應(yīng)電機(jī)或 PMSM 電機(jī)等三相電機(jī)的波形,最大功率可達(dá) 2000 瓦。設(shè)計(jì)人員可以使用該 EVB 來(lái)實(shí)現(xiàn)三相交流電機(jī)的 FOC 設(shè)計(jì)。
 
該 EVM 的主要部分是一個(gè)通用、經(jīng)過(guò)充分評(píng)估的密集型設(shè)計(jì),由一個(gè)采用 SDIP 25L 封裝的基于 600 伏 IGBT 智能電源模塊的三相逆變器橋組成,安裝在散熱器上。該智能電源模塊將所有功率 IGBT 開(kāi)關(guān)與續(xù)流二極管和高壓柵極驅(qū)動(dòng)器集成在一起。這種集成度可以節(jié)省 PCB 空間和裝配成本,并有助于提高可靠性。該板設(shè)計(jì)成兼容單相電源,從 90 至 285 伏交流電供電,也兼容 125 至 400 伏的直流輸入。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
可處理多種電機(jī)類型的 850 瓦評(píng)估板
 
On Semiconductor 提供的 SECO-1KW-MCTRL-GEVB 評(píng)估板能夠讓設(shè)計(jì)人員通過(guò)使用包括 FOC 在內(nèi)的各種控制算法來(lái)控制不同類型的電機(jī)(交流感應(yīng)電機(jī)、PMSM、BLDC),具體是通過(guò) Arduino Due 針座連接的微控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)的(圖 9)。該板旨在與 Arduino DUE(兼容針座)或帶有 MCU 的類似控制器板一起使用。該板帶有集成功率模塊和功率因數(shù)校正,推出的目的是為了在設(shè)計(jì)應(yīng)用的第一步就給開(kāi)發(fā)人員提供支持,供工業(yè)泵和風(fēng)機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)和消費(fèi)電器的設(shè)計(jì)人員使用。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
該評(píng)估板基于 NFAQ1060L36T(圖 10),是由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、六個(gè) IGBT 和一個(gè)熱敏電阻組成的集成逆變器功率級(jí),適用于驅(qū)動(dòng) PMSM、BLDC 和交流感應(yīng)電機(jī)。其中 IGBT 采用三相橋式配置,發(fā)射極連接與下管腳分開(kāi),在控制算法選擇上具有最大的靈活性。該功率級(jí)具有全方位的保護(hù)功能,包括交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)、外部關(guān)斷和欠壓鎖定功能。連接到過(guò)流保護(hù)電路的內(nèi)部比較器和基準(zhǔn)允許設(shè)計(jì)人員設(shè)置其保護(hù)級(jí)別。
 
使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
 
NFAQ1060L36T 功率集成模塊特性匯總:
三相 10 安培/600 伏 IGBT 模塊,帶集成驅(qū)動(dòng)器
緊湊的 29.6 mm x 18.2 mm 雙直列封裝
內(nèi)置欠壓保護(hù)
交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)
ITRIP 輸入關(guān)斷所有 IGBT
集成自舉二極管和電阻器
基底溫度測(cè)量熱敏電阻
關(guān)斷引腳
UL1557 認(rèn)證
 
結(jié)語(yǔ)
 
使用分立式 IGBT 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件可以滿足特定要求,但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,成本很高且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。相反,設(shè)計(jì)人員可以使用現(xiàn)成的 IGBT 模塊,將多個(gè)功率器件組合到一個(gè)封裝中。此類模塊支持設(shè)計(jì)人員以最少的互連來(lái)開(kāi)發(fā)緊湊的系統(tǒng),從而簡(jiǎn)化組裝,縮短上市所需時(shí)間,降低成本,并提高整體性能。
 
如上所示,設(shè)計(jì)人員可以將 IGBT 模塊與合適的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器一起使用,來(lái)開(kāi)發(fā)符合性能和效率標(biāo)準(zhǔn)的低成本、緊湊型電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器。
(來(lái)源:Digi-Key,作者:Jeff Shepard)
 
 
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