【導(dǎo)讀】TPS53355作為D-CAP 模式的代表芯片，具有優(yōu)異的負(fù)載動態(tài)響應(yīng)性能，以及非常簡單的外部電路設(shè)計要求，被廣泛應(yīng)用于交換機，路由器以及服務(wù)器等產(chǎn)品中。D-CAP模式不同于定頻電壓和電流控制模式，內(nèi)部沒有電壓誤差放大器，只有一個比較器，這樣做一方面可以實現(xiàn)變換器的快速動態(tài)響應(yīng)，另一方面對輸出電容紋波就會有一定的要求，以滿足芯片內(nèi)部比較器的識別門限。
隨著電路尺寸和使用壽命的優(yōu)化，無電解電容已經(jīng)成為未來的趨勢，瓷片電容的ESR參數(shù)相對小很多，很難滿足芯片最小紋波的要求，另輸出端負(fù)載對輸出電壓紋波的要求也越來越高，因此D-CAP控制模式芯片就需要設(shè)計RCC紋波注入電路以保證整個電路的穩(wěn)定，那如何設(shè)計RCC紋波電路呢，又有哪些注意點呢？本文會做具體介紹。
圖1 TPS53355的RCC紋波注入電路
第一步：
設(shè)計要滿足電路的穩(wěn)定性條件判據(jù)公式（1）（其中Rr和Cr分別對應(yīng)圖1中R7和C1），這里需要考慮輸出電壓較高時輸出電容容值的衰減情況，比如5V輸出且選用6.3V耐壓的輸出電容時，電容容值很可能會衰減為標(biāo)稱容值的20%左右。從而導(dǎo)致電路的不穩(wěn)定（如圖2），因此通過穩(wěn)定性判據(jù)公式可以得到芯片的最小紋波注入大?。ㄐ枰獙⒋思y波注入大小與芯片內(nèi)部比較器紋波需求、一般15mv進行比較，選取二者中的更大值，不過一般這個值會比芯片內(nèi)部比較器紋波需求大）穩(wěn)定性判據(jù)公式(1)的具體推導(dǎo)過程本文不再贅述，有興趣可以評論區(qū)留言提問。
圖2 不穩(wěn)定時的開關(guān)波形
第二步：
設(shè)計中要判斷是否需要使用PG(power good)信號，以及是否需要使用FCCM模式，如果有以上的需求，設(shè)計時要保證芯片不觸發(fā)power good門限。因為一旦疊加紋波注入后的FB 觸發(fā)PG門限就會導(dǎo)致PG拉低，另使得芯片無法退出auto skip模式（如圖3）
圖3 芯片MODE 選擇設(shè)置
從圖4中我們可以判斷PG信號正常時，最高FB點不能超過0.6V* (1+15%)，鑒于15%有正負(fù)5%的變化，所以FB最大不能超過660mv，紋波注入不能超過60mv。
圖4 芯片內(nèi)部PG觸發(fā)邏輯
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