然而，這通常會(huì)受到延遲、功耗、成本和尺寸等方面的限制。由于隔離的設(shè)計(jì)極其復(fù)雜，在控制功率和數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)隔離柵時(shí)，往往會(huì)產(chǎn)生電磁干擾(EMI)，這些輻射發(fā)射會(huì)對(duì)其他電子系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)的性能產(chǎn)生負(fù)面影響。傳統(tǒng)方法通常使用分立式電路和變壓器來(lái)傳輸功率，但這種方法笨重耗時(shí)，會(huì)占用寶貴的PCB空間，極大地增加了成本。更經(jīng)濟(jì)高效的解決方案是將變壓器和所需的電路集成到更小外形中，如芯片封裝，但這樣做卻可能會(huì)引入更高的輻射發(fā)射。針對(duì)此現(xiàn)狀，高性能模擬電路公司ADI推出了開(kāi)創(chuàng)性的isoPower® 芯片級(jí)集成隔離電源，可實(shí)現(xiàn)使用多個(gè)隔離電源的高密度、通道間隔離設(shè)計(jì)，所需元件更少，占用面積更小。

 

EMI抑制如何兼顧小尺寸、低成本？這是一個(gè)問(wèn)題

 

設(shè)計(jì)隔離式電源可能是設(shè)計(jì)過(guò)程中最具挑戰(zhàn)性的一個(gè)方面。構(gòu)建一個(gè)解決方案需要權(quán)衡各種設(shè)計(jì)需求，且需要遵守全球多個(gè)不同地區(qū)的法規(guī)要求。由此做出的犧牲往往帶來(lái)了尺寸、重量和性能方面的負(fù)面影響，或者降低了滿足EMC標(biāo)準(zhǔn)的能力（EMC是指電子系統(tǒng)在其目標(biāo)環(huán)境中正常工作而不干擾其他系統(tǒng)的能力，在工業(yè)、醫(yī)療、通信和消費(fèi)環(huán)境中，輻射發(fā)射通常必須符合CISPR 11/EN 55011、CISPR 22/EN 55022或FCC Part 15標(biāo)準(zhǔn)）。

 

電磁干擾標(biāo)準(zhǔn)

 

若僅僅將變壓器和電路集成到芯片級(jí)封裝中，雖然減少了組件數(shù)量，但輻射發(fā)射抑制技術(shù)會(huì)使PCB的設(shè)計(jì)更加復(fù)雜（或需要添加額外組件），因此可能會(huì)抵消集成變壓器所節(jié)省的成本和空間。例如，在PCB級(jí)別抑制輻射發(fā)射的一種常見(jiàn)方法是為寄生共模（CM）電流形成一個(gè)從次級(jí)端至初級(jí)端的低阻抗路徑，從而降低輻射發(fā)射水平。要實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，可以在初級(jí)端和次級(jí)端之間使用旁路電容。該旁路電容可以是分立式電容，也可以是嵌入式夾層電容。然而無(wú)論是分立式還是嵌入式，使用旁路電容都不是理想的抑制技術(shù)。它雖然可以幫助減少輻射發(fā)射，卻要以增加組件、采用復(fù)雜的PCB布局和提高瞬態(tài)敏感性為代價(jià)。

 

中心電源和接地層之間形成的內(nèi)部PCB旁路電容

 

理想情況下，集成的隔離電源組件應(yīng)該包含降低芯片輻射發(fā)射的措施以取代在外部額外增加復(fù)雜的設(shè)計(jì)。這樣一來(lái)，只需將組件放置到2層板上，即可通過(guò)嚴(yán)格的輻射發(fā)射測(cè)試，而無(wú)需多次制作電路板。

 

創(chuàng)新低輻射技術(shù)完美應(yīng)對(duì)隔離挑戰(zhàn)

 

ADI公司的下一代isoPower® 系列產(chǎn)品采用創(chuàng)新的設(shè)計(jì)技術(shù)，可以避免產(chǎn)生大量輻射發(fā)射，甚至在沒(méi)有旁路電容的2層板上也不例外。ADuM5020和ADuM5028在以大幅裕量滿足CISPR22/EN55022B類(lèi)限制的同時(shí)，可以分別跨隔離柵提供500 mW和330 mW功率。

 

ADuM5020 /ADuM5028原理框圖

 

為了減少輻射發(fā)射，ADuM5020/ADuM5028具有出色的線圈對(duì)稱(chēng)性和線圈驅(qū)動(dòng)電路，有助于將通過(guò)隔離柵的CM電流傳輸最小化。擴(kuò)頻技術(shù)也被用來(lái)降低某一特定頻率的噪聲密度，并將輻射發(fā)射能量擴(kuò)散到更廣泛的頻段。在次級(jí)端使用低價(jià)的鐵氧體磁珠會(huì)進(jìn)一步減少輻射發(fā)射。在輻射發(fā)射合規(guī)測(cè)試期間，這些技術(shù)可以改善峰值和準(zhǔn)峰值測(cè)量水平。 

 

概念A(yù)DuM5020和鐵氧體特性曲線

 

上圖顯示了放置在靠近VISO和GNDISO引腳的次級(jí)端的鐵氧體磁珠。下一段中用于收集輻射發(fā)射圖的鐵氧體是Murata BLM15HD182SN1。這些鐵氧體在寬頻率范圍內(nèi)具有高阻抗（100MHz時(shí)為1800Ω，1GHz時(shí)為2700Ω）。這些鐵氧體降低了偶極的有效輻射效率。如下圖所示，因?yàn)殍F氧體磁珠的阻抗，CM電流環(huán)減小，偶極的有效長(zhǎng)度明顯縮短，使得偶極效率降低，輻射發(fā)射減少。 

 

 

使用鐵氧體磁珠來(lái)減少有效偶極

 

ADuM5020/ADuM5028能夠提供即用型直流-直流電源解決方案。這種解決方案的性?xún)r(jià)比高、復(fù)雜性低，占地面積小，且輻射發(fā)射性能出色，如果在設(shè)計(jì)周期開(kāi)始時(shí)就納入到產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，將有助于滿足EMC法規(guī)的要求。

 

高實(shí)測(cè)裕量助力提高設(shè)計(jì)靈活性

 

將ADuM5020/ADuM5028根據(jù)CISPR22/EN55022測(cè)試指南在10m半波暗室中進(jìn)行測(cè)試。按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，ADuM5020/ADuM5028評(píng)估PCB被放置在距離天線校準(zhǔn)點(diǎn)10m遠(yuǎn)的非導(dǎo)電工作臺(tái)上。確保被測(cè)設(shè)備（DUT）附近沒(méi)有其他導(dǎo)電表面，以及沒(méi)有任何外部設(shè)備、金屬平面或電纜會(huì)干擾DUT的輻射發(fā)射測(cè)試。同時(shí)為了測(cè)試ADuM5020/ADuM5028評(píng)估板，使用帶板載低壓差穩(wěn)壓器的電池來(lái)保持較小的電源電流環(huán)，并消除不必要的布線。

 

 

10 m測(cè)試室的圖像和評(píng)估PCB

 

測(cè)試結(jié)果顯示，ADuM5020在輸出電源為5V(500mW)，負(fù)載為100mA的情況下，以超過(guò)5dB的裕量通過(guò)了CISPR22/EN55022測(cè)試，這種程度的裕量能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)提供大幅的靈活性。

 

ADuM5020滿足CLASS B @ 100 mA負(fù)載

 

總結(jié)

在當(dāng)前關(guān)乎生命安全的應(yīng)用中，需要為人員和設(shè)備提供可靠的高壓保護(hù)的同時(shí)，提供更小、更輕的解決方案。ADI公司的下一代isoPower系列產(chǎn)品提供輻射發(fā)射抑制技術(shù)，無(wú)需具備旁路電容仍可滿足EN55022/CISPR22B類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)要求，是實(shí)現(xiàn)緊湊、高性?xún)r(jià)比的隔離設(shè)計(jì)的理想選擇。