【導讀】DPA426是高度集成的DC/DC電源控制芯片。DPA426支持正激和反激模式，工作高效，能夠?qū)崿F(xiàn)貼片式封裝，而且該芯片簡化設計，節(jié)約空間和成本。DPA426芯片集成了一個200V的高頻功率MOSFET，DPA426芯片集眾多功能于一身，其中包括輸進過欠壓檢測、PWM控制、開關控制、熱關斷保護、工作頻率選擇、外部時鐘同步、可編程電流限制、軟啟動及管段自動重啟動。DPA426最大輸出100W，還有DPA423－425，輸出功率分別為18W，35W，70W。
DPA426簡介
DPA426的輸進電壓范圍為16～75V，其內(nèi)部功能框圖見圖1，外形封裝見圖2，各管腳功能如下：
腳1CONTROL（C）控制腳，接內(nèi)部誤差放大器同相輸進端，為反饋電流輸進端，用于占空比控制；
腳2LINE?SENSE（L）在線感應腳，用于過、欠壓檢測，ON/OFF開關控制及外部時鐘同步；
腳3EXTERNALCURRENTLIMIT（X）外部電流限制腳，用于輸進電流的可編程限制；
腳4SOURCE（S）接芯片內(nèi)部功率MOSFET源極；
腳5FREQUENCY（F）用于選擇工作頻率；
腳7DRAIN（D）接芯片內(nèi)部功率MOSFET漏極。
功能實現(xiàn)
頻率選擇將腳5與腳4短接，工作頻率為400kHz；將腳5與腳1短接，工作頻率為300kHz，腳5不能懸空。
輸進過欠壓檢測輸進欠壓保護的作用是使輸進電壓達到設定值時，芯片才開始工作，防止誤觸發(fā)；過壓保護則是保護電路輸進部分，不會因輸進電壓過高而損壞，見圖3。
可編程電流限制將一電阻RIL接于腳3與腳4之間，就可實現(xiàn)對內(nèi)部功率MOSFET漏極電流的限制，防止因輸出過流或短路引起的損壞，見圖4。
ON/OFF開關控制可實現(xiàn)對芯片的開關控制，腳3若懸空則芯片停止工作，見圖5；若在三極在電源開啟時，防止浪涌電流過大而損壞內(nèi)部功率MOSFET及防止變壓器飽和；自動重啟動功能是在電路工作不正常時，使芯片處在一種低功耗的保護狀態(tài)，恢復正常后使電路重新啟動。熱關斷保護用來保護芯片不因過熱而損壞，當芯片溫度高于137℃時，芯片內(nèi)部保護電路會使內(nèi)部功率MOSFET停止工作；當芯片溫度低于110℃時，保護會自動解除，芯片繼續(xù)工作。
ON/OFF開關控制可實現(xiàn)對芯片的開關控制，腳3若懸空則芯片停止工作，見圖5；若在三極在電源開啟時，防止浪涌電流過大而損壞內(nèi)部功率MOSFET及防止變壓器飽和；自動重啟動功能是在電路工作不正常時，使芯片處在一種低功耗的保護狀態(tài)，恢復正常后使電路重新啟動。熱關斷保護用來保護芯片不因過熱而損壞，當芯片溫度高于137℃時，芯片內(nèi)部保護電路會使內(nèi)部功率MOSFET停止工作；當芯片溫度低于110℃時，保護會自動解除，芯片繼續(xù)工作。
電路設計
圖8是一標準單路輸出、正激式DC/DC變換器，輸進電壓為36～72V，48V輸?時效率可達90％。電阻R1設置輸進過、欠壓保護分別為33V和86V；R3用來設置輸進電流限制；腳5連接于腳1使芯片工作于300kHz；VR1用來嵌位功率MOSFET的漏極電壓并使磁芯復位；C9及R5用來保護Q2，使漏源電壓不超過Vdss；次級功率MOSFETQ1，Q2用來實現(xiàn)同步整流，進步整機工作效率；L2的低級用作輸出扼流圈，次級整流、濾波后為芯片提供偏置電流；穩(wěn)壓部分采用了比較器431，與R10及R11組成的輸出分壓網(wǎng)絡進行比較，并通過偏置繞組提供的偏置電流完成穩(wěn)壓；D3及C13組成一個軟啟動網(wǎng)絡，與芯片內(nèi)部限流、軟啟動共同用來防止電源啟動時的過沖現(xiàn)象，R7用來給C13放電；R6，C16，R12，C14，R9，R4，C5共同完成控制循環(huán)響應。
