某些工業(yè)應(yīng)用要求將一個三相電源送入一個小功率的dc/dc轉(zhuǎn)換器，并可能要處理200V或400V的線間有效電壓。此外，可能沒有可用的交流中性線，因此不得不使用線間的電壓鏈路，這意味著更高的輸入電壓。在單相和雙相之間可能出現(xiàn)電壓故障，有些應(yīng)用要求電源能在這種問題下繼續(xù)工作。為應(yīng)付這些問題，可以采用一個非受控整流器和一只電容，將三相交流電轉(zhuǎn)換為一個直流電壓，但這個電壓可能高于標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器可以支持的最大輸入電壓。要找到一個可用于這些電壓的dc/dc轉(zhuǎn)換器可能很困難，這個電壓一般為564V直流或更高。

用圖1中的電路可以獲得一個小于某給定值的直流電壓，該值由R1與R3之比而決定。以圖中的電阻取值，當(dāng)線間的三相電壓為400V有效值或更高時， 得到的這個電壓約為340V.可以從兩相或三相電中獲得這個值，無論是否有中性線，也可以取自帶中性線的單相電。本電路省略了傳統(tǒng)三相整流橋的兩只二極管，并包含了一個中性線二極管對，從而在儲能電容C1上獲得低于340V的電壓，且初始起動時達到0V（圖2）。如果連接了中性線，則必須將其接到一個整流器的雙二極管臂上，以獲得0V的起動電壓；不過，相線可以隨機連接。

圖1：三相整流器使用了一只開關(guān)IGBT和一只電容
 

圖2：電路省略了典型三相整流橋的兩只二極管而加了一個中性線二極管對

并聯(lián)穩(wěn)壓器IC1用作比較器。在初始起動后，一旦瞬時整流電壓VI大于340V,IC1的基準(zhǔn)-陽極電壓就高于其2.495V的內(nèi)部基準(zhǔn)，將陽極-陰極電壓降低到大約2V,使Q2關(guān)斷。當(dāng)整流電壓低于340V時，IC1不拉入電流。于是，Q2因R2偏置而導(dǎo)通，將儲能電容C1和dc/dc轉(zhuǎn)換器負(fù)載連接到整流器上。

在上電時，如果C1完全放電，而整流后的瞬時交流線電壓大于約50V,則MOSFET Q1導(dǎo)通，使絕緣柵雙極晶體管Q2保持關(guān)斷；無充電電流通過電容。如果瞬時整流電壓低于儲能電容與50V之和，則Q1關(guān)斷，Q2導(dǎo)通，將電容與負(fù)載連接到整流器上。

注意（尤其是在上電時），當(dāng)Q2關(guān)斷時，Q2的VCE=VI-VLOAD值上升到一個大值，因此R5必須盡可能大，要承受大約0.5W的功率。增加R5的值意味著必須增加R4的值，從而使Q1的關(guān)斷更緩慢，并可能產(chǎn)生起動時的故障。對于R4、R5和D8的值，必須在實用時做一個均衡。考慮到D8限制了Q1上的最大柵極電壓，它的齊納電壓必須盡可能接近于閾值電壓，從而通過R4更快地關(guān)斷。Q1的一個好的選擇是BS170.可以在Q2的集射結(jié)上跨接一個R6和CS組成的緩沖網(wǎng)絡(luò)，以限制所產(chǎn)生的噪聲。

當(dāng)實際負(fù)載電壓為340V時，IC1的基準(zhǔn)電壓大約比其陰極高0.5V,輸入電壓開始通過集電極結(jié)而導(dǎo)通。必須在0.5V、45μA時測量這個陰極電壓，并且如果計算R1和R3的新值，則必須考慮這個值。圖2中的仿真并沒有考慮到這個輸入泄漏，開關(guān)為310V。