【導(dǎo)讀】此次，飛兆半導(dǎo)體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴(yán)格的能效指標(biāo)。
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
圖1：飛兆半導(dǎo)體600V IGBT
這些600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，同時(shí)滿足嚴(yán)格的節(jié)能指標(biāo)。 這些器件具有10µs的短路耐受時(shí)間（VCE=350V、VGE=15V、 Rg=100?、 Tj=150?C時(shí)）和快速開關(guān)速度，從而可提高系統(tǒng)效率。
特性和優(yōu)勢(shì)：
FGB7N60UNDF和FGB5N60UNDF具有業(yè)界較低的2.1V VCE(sat) 額定值，因而通態(tài)傳導(dǎo)損耗損耗更低。
FGP10N60UNDF/FGP15N60UNDF和FGPF10N60UNDF/FGPF15N60UNDF具有業(yè)界較低的關(guān)斷損耗(Eoff) 特性，可最大限度地減少高頻條件（15kHz 開關(guān)載波頻率）下的功率損耗。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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D2PAK封裝：
FGB7N60UNDF - 每個(gè)0.87美元；FGB5N60UNDF - 每個(gè)0.92美元
TO-220 封裝：
FGP10N60UNDF - 每個(gè)1.03美元；FGP15N60UNDF - 每個(gè)1.15美元
TO-220F封裝：
FGPF10N60UNDF - 每個(gè)1.05美元；FGPF15N60UNDF - 每個(gè)1.20美元
作為飛兆半導(dǎo)體完整電機(jī)控制解決方案的一部分，這些600V IGBT如與 FAN7389（高電平有效）和FAN73892（低電平有效）單片三相柵極驅(qū)動(dòng)IC配對(duì)使用可發(fā)揮最佳性能。憑借此類綜合解決方案以及廣泛的SPM 器件、IGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器、PFC-PWM組合、MOSFET、光電晶體管和二極管，使飛兆在功率敏感應(yīng)用中成為需要最大限度地節(jié)省能耗的電路設(shè)計(jì)人員的理想電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。
