產(chǎn)品特性：

• 利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù)
• 可在-40℃至85℃的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行
• 以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的頻率而無(wú)需損耗關(guān)鍵性能
• 可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動(dòng)運(yùn)行

適用范圍：

• 高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree壓電MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動(dòng)運(yùn)行，使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。

IDT的4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù)，讓IDT能夠迅速在出廠時(shí)編程所需的輸出頻率，無(wú)需微調(diào)昂貴的晶體。此外，由于pMEMS的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體，4M振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的頻率而無(wú)需損耗關(guān)鍵性能。4M系列是IDT廣泛MEMS-based器件組合的首款產(chǎn)品，將為客戶提供便利、精確和低抖動(dòng)的計(jì)時(shí)參考。

IDT公司副總裁兼計(jì)時(shí)與同步部門總經(jīng)理Fred Zust表示：“作為計(jì)時(shí)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術(shù)能夠擴(kuò)展至通信這樣的高性能應(yīng)用，通信是40億美元頻率控制市場(chǎng)的重要細(xì)分市場(chǎng)。IDT專利的pMEMS諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合，允許我們憑借無(wú)與倫比的性能和可靠性實(shí)現(xiàn)便利且具有成本效益的XO替代。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰，可提供完整的頻率控制產(chǎn)品組合，從而在不斷增加的細(xì)分市場(chǎng)中替代石英器件。”

IDT的4M振蕩器可在-40℃至85℃的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)以±50 ppm的頻率精度運(yùn)行。器件支持低壓差分信號(hào)（LVDS）和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯（LVPECL），頻率高達(dá)625 MHz，可滿足大多數(shù)通信、網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了7.0 x 5.0 mm（7050）尺寸，IDT的pMEMS振蕩器還提供5.0 x 3.2 mm（5032）小型標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝，可節(jié)省成本并在高密度的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒎庋b尺寸降至最低。經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，它們與傳統(tǒng)的XO管腳兼容，使其成為理想的升級(jí)替代解決方案。

IDT的4M振蕩器已向合格客戶提供樣品，并提供基于頻率、電壓、輸出類型和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的多種配置。