- 最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能
- 更高的耐受電壓
- 可接收到的微弱微波信號
- 在廣大的頻寬中提供穩(wěn)定運作
瑞薩新款SiGe:C異質接面晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料并達到領先業(yè)界的低噪聲效能。
新款SiGe:C HBT晶體管可將無線接收到的微弱微波信號放大為適合的水平，以達到0.75 dB的噪聲值，為無線局域網絡及其它應用所使用5.8 GHz頻段的業(yè)界最高水平。由于能夠以如此低的噪聲放大信號強度，因此可提高終端產品的通訊接收靈敏度。由于它可減少訊號傳輸錯誤，因此其運作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩電子現(xiàn)有產品的四分之一。 瑞薩電子銷售適用于微波放大器應用的晶體管及IC，為無線局域網絡、消費性家用無線電話、地面數(shù)字電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案，并且在微波應用晶體管領域獲得業(yè)界第一的市場占有率(瑞薩電子的估計)。在上述背景之中，瑞薩電子已開發(fā)出采用SiGe:C材料的全新制程技術，以響應市場對于更低噪聲的需求，并且為衛(wèi)星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此制程為基礎，瑞薩電子已開發(fā)并推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置，可達到業(yè)界最高水平的低噪聲效能，并且在數(shù)MHz至14 GHz頻段的頻率范圍內皆可發(fā)揮穩(wěn)定效能。
(1) 業(yè)界最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能
利用上述新開發(fā)的SiGe:C制程，瑞薩電子5.8 GHz頻段SiGe:C HBT及SiGe HBT裝置可達到業(yè)界最低的噪聲值0.75 dB。相較于瑞薩電子先前的SiGe HBT裝置，改善了0.35 dB。另外，此裝置在最小噪聲值條件下可獲得14.0 dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號傳輸錯誤減少，而且新裝置能以瑞薩電子先前產品四分之一的耗電量，提供接近的效能。
(2) 更高的耐受電壓可在廣大的頻寬中提供穩(wěn)定運作
在早期以硅為基礎的異質接面晶體管中，無法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少噪聲，而這限制了這些裝置可使用的應用范圍。在此新款產品中，瑞薩電子最佳化集極-基極的特征，使其能夠確保4.3 V的耐受電壓等級。如此提高了所使用的電壓供應范圍，并且在數(shù)MHz到14 GHz頻段的頻率范圍內皆可發(fā)揮穩(wěn)定的運作效能，使此裝置可用于更廣泛的應用范圍。例如，它支持所有ISM頻段應用，包括智能電網、智能電表及家庭局域網絡(HAN)應用。
另外，由于此晶體管是為了微波應用而開發(fā)的，因此瑞薩電子提供業(yè)界標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩電子封裝名稱：M04封裝)。因此，此產品有助于減少使用者終端產品的制造步驟，例如由于現(xiàn)有封裝的良好記錄，可簡化安裝評估程序，或者使用現(xiàn)有的電路板線路圖，僅需稍微修改周圍的電路。
在利用上述新制程的優(yōu)勢，擴充其具有業(yè)界最高水平低噪聲效能的雙極晶體管產品線的同時，瑞薩電子亦承諾將此新制程部署至微波IC的開發(fā)，并進一步提供此領域的解決方案，以響應市場需求。
