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如何設(shè)計降壓轉(zhuǎn)換器詳解

發(fā)布時間:2011-07-29

中心議題: 解決方案:
  • 選擇IC
  • 選擇開關(guān)頻率
  • 選擇外部器件
  • 使環(huán)路閉合

設(shè)計降壓轉(zhuǎn)換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉(zhuǎn)換器是一個盒子,一端輸入一個直流電壓,另一端輸出另一個直流電壓。這個盒子可以有很多形式,可以是降階來產(chǎn)生一個更低的電壓,或是升壓來產(chǎn)生一個更高的電壓。還有很多特殊的選項,如升降壓、反激和單端初級電感轉(zhuǎn)換器(SEPIC),這是一種能讓輸出電壓大于、小于或等于輸入電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。如果一個系統(tǒng)采用交流電工作,第一個AC-DC模塊應(yīng)當(dāng)產(chǎn)生系統(tǒng)所需的最高的直流電壓。因此,使用最廣的器件是降壓轉(zhuǎn)換器。

使用開關(guān)穩(wěn)壓器的降壓轉(zhuǎn)換器具有所有轉(zhuǎn)換器當(dāng)中最高的效率。高效率意味著轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗更少,而且能簡化熱管理。

圖1顯示了一種降壓開關(guān)穩(wěn)壓器的基本原理,即同步降壓轉(zhuǎn)換器。“同步降壓”指的是MOSFET用作低邊開關(guān)。相對應(yīng)的,標(biāo)準(zhǔn)降壓穩(wěn)壓器要使用一個肖特基二極管做為低邊開關(guān)。與標(biāo)準(zhǔn)降壓穩(wěn)壓器相比,同步降壓穩(wěn)壓器的主要好處是效率更高,因為MOSFET的電壓降比二極管的電壓降要低。低邊和高邊MOSFET的定時信息是由脈寬調(diào)制(PWM)控制器提供的??刂破鞯妮斎胧莵碜暂敵龆朔答伝貋淼碾妷?。這個閉環(huán)控制使降壓轉(zhuǎn)換器能夠根據(jù)負(fù)載的變化調(diào)節(jié)輸出。PWM模塊的輸出是一個用來升高或降低開關(guān)頻率的數(shù)字信號。該信號驅(qū)動一對MOSFET。信號的占空比決定了輸入直接連到輸出的導(dǎo)通時間的百分比。因此,輸出電壓是輸入電壓和占空比的乘積。
                                     一種降壓開關(guān)穩(wěn)壓器的基本原理
選擇IC

上面提到的控制環(huán)路使降壓轉(zhuǎn)換器能夠保持一個穩(wěn)定的輸出電壓。這種環(huán)路有幾種實現(xiàn)方法。最簡單的轉(zhuǎn)換器使用的是電壓反饋或電流反饋。這些轉(zhuǎn)換器很耐用,控制方式很直接,而且性價比很好。由于降壓轉(zhuǎn)換器開始用于各種應(yīng)用中,這種轉(zhuǎn)換器的一些弱點(diǎn)也開始暴露出來。以圖形卡的供電電路為例。當(dāng)視頻內(nèi)容變化時,降壓轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載也會變化。供電系統(tǒng)能應(yīng)付各種負(fù)載變化,但在輕負(fù)載條件下,轉(zhuǎn)換效率降得很快。如果用戶關(guān)心的是效率,就需要有更好的降壓轉(zhuǎn)換器方案。

一種改進(jìn)方法是所謂的磁滯控制,Intersil的ISL62871就是采用這種控制方法的器件。轉(zhuǎn)換效率與負(fù)載的曲線如圖2所示。這些轉(zhuǎn)換器是針對最差工作條件設(shè)計的,因此輕負(fù)載不是持續(xù)的工作條件。這些DC-DC轉(zhuǎn)換器對負(fù)載波動變化的適應(yīng)性更好,并且不會嚴(yán)重影響系統(tǒng)效率。
                      圖2,Intersil ISL62871的負(fù)載與效率曲線,Vout=1.1V
                                  圖2,Intersil ISL62871的負(fù)載與效率曲線,Vout=1.1V[page]
選擇開關(guān)頻率

盡管器件的開關(guān)頻率有時是固定的,還是有必要討論開關(guān)頻率的問題,主要的權(quán)衡因素是效率。簡而言之,MOSFET有確定的導(dǎo)通和關(guān)斷時間。當(dāng)頻率增加時,過渡時間在總時間中所占的百分比會增加。結(jié)果是:效率降低了。如果效率是最重要的設(shè)計目標(biāo),就需要考慮降低開關(guān)頻率。如果系統(tǒng)效率足夠高,就可以采用更高的開關(guān)頻率。頻率更高,就可以使用更小的外部無源器件,即輸出電感器和電容器。

外部器件

設(shè)計分立解決方案是相當(dāng)有難度的,大約需要40個器件,這是個需要額外付出大量努力的復(fù)雜工作。在設(shè)計電壓模式降壓控制器時,外部器件和其寄生效應(yīng)對系統(tǒng)性能起了很大的決定作用。在討論每種器件時,我們再詳加敘述。

采用這種特殊降壓轉(zhuǎn)換器時,我們必須選擇5個額外器件,包括輸入電容、輸出電容、輸出電感器,高邊和低邊MOSFET。選擇輸出電感器時,要滿足輸出紋波的要求,以及減小PWM對瞬態(tài)負(fù)載的響應(yīng)時間。電感器感值的下限是由紋波要求確定的。在尋找最小(可能也是最便宜的)電感器之前,要記住的一點(diǎn)是,電感器并不是完美的器件。實際的電感器有飽和等級。飽和級別必須高于系統(tǒng)中的峰值電流,才能設(shè)計出成功的產(chǎn)品。有經(jīng)驗的設(shè)計者還明白,感值并不是不隨電流變化的常量。事實上,流過器件的電流越大,感值會降低的。請核實電感器的數(shù)據(jù)表,確保你所選擇的感值對系統(tǒng)中的峰值電流是足夠的。在更大層面上可能犯的錯誤是選擇最好的電感,雖然小心謹(jǐn)慎還是必要的。更大的感值可以減少輸出紋波,但也會限制壓擺率。最終,大電感會限制對負(fù)載瞬態(tài)的響應(yīng)時間。因此在選擇電感器時,是選擇在更低的峰峰值紋波電流條件下更安靜的輸出,還是需要系統(tǒng)能夠?qū)λ矐B(tài)事件做出快速的響應(yīng),是需要做出明確的折中。

輸入電容負(fù)責(zé)吸收高邊MOSFET輸入電流的交流分量。因此,其RMS電流容量必須足夠大,才能處理由高邊MOSFET汲取的交流分量。由于質(zhì)量和低溫度系數(shù),陶瓷電容器可以對高頻分量進(jìn)行去耦。降壓電容器提供更低頻率的RMS電流,這取決于占空比(當(dāng)系統(tǒng)的工作占空比比 50%越大,RMS電流越大)。降壓電容可以是幾個多層陶瓷電容器。然而在低成本應(yīng)用中,通常使用幾個并聯(lián)的電解電容器。如果是采用表面貼裝,可以選固態(tài)鉭電容用作降壓電容,但是必須仔細(xì)核對電容器的浪涌電流等級(浪涌電流通常出現(xiàn)在啟動時)。在選擇降壓轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)中的任何電容器時,需要尋找具有小等效串聯(lián)電容(ESL)、小等效串聯(lián)電阻(ESR),最后是所需的總電容。還有,就是根據(jù)約算選擇最優(yōu)的器件。對于電容電壓等級,還有一點(diǎn)需要注意。為減少難以發(fā)現(xiàn)的故障,可以選擇電壓等級是輸入電壓的1.2~1.3倍的電容器,也就是說,電壓要跨越輸入電壓的范圍。

在出現(xiàn)瞬態(tài)變化期間,輸出電容器必須對輸出進(jìn)行濾波,再向負(fù)載提供電流。有趣的是,等效串聯(lián)電容(ESR)和電壓等級比實際容值對選擇什么樣的電容器影響更大。請注意,來自電感器的峰峰值電流紋波會通過輸出電容器的ESR,轉(zhuǎn)換成峰峰值電壓紋波。由于系統(tǒng)可能對輸出電壓紋波有限制,選擇一款最小化ESR的電容(或一組并聯(lián)電容器)就變得十分重要。當(dāng)然,電容器必須有足夠的電壓等級。根據(jù)這些要求,就可以從供應(yīng)商的電容器清單中選出最合適的方案。最后要注意的一點(diǎn)是,要對ESR數(shù)據(jù)加以更多的關(guān)注,因為數(shù)據(jù)表里的ESR數(shù)據(jù)可能并不是在你所選用的開關(guān)頻率下得出的。請檢查數(shù)據(jù)表,查看調(diào)整過的ESR數(shù)值。

一般根據(jù)Rds(on)、柵極電荷和熱管理需求來選擇MOSFET。查看幾家制造商的數(shù)據(jù)表,可以選擇象Infineon BSC050N03LS這樣的器件,該器件的柵極電荷為35nC,高邊MOSFET的Rds(on)為5mΩ。對應(yīng)地,可以選擇Rds(on)為1.6mΩ的低邊 MOSFET(BSC016)。

使環(huán)路閉合

前面已經(jīng)討論過,輸出要反饋到輸入端,這樣就產(chǎn)生了一個補(bǔ)償環(huán)路。補(bǔ)償?shù)姆绞接泻芏喾N,比如Type I、Type II和Type III。Type I是單極點(diǎn)方案,Type II是帶有一個零點(diǎn)的雙極點(diǎn)方案,Type III是帶有兩個零點(diǎn)的三極點(diǎn)方案。每種方案的元器件數(shù)量都比前一種要多,不過也使得設(shè)計靈活性更好。從性能考慮,通常將這個環(huán)路的帶寬設(shè)置為大約是開關(guān)頻率的四分之一。環(huán)路頻率與實際開關(guān)頻率重疊得越多,環(huán)路響應(yīng)就越快。此外,要確保相位裕量大于30°,小于180°,這是一個典型的穩(wěn)定性標(biāo)準(zhǔn)。

電壓模式轉(zhuǎn)換器的設(shè)計流程與磁滯降壓轉(zhuǎn)換器的流程類似。幸好,高質(zhì)量的磁滯模式控制使外部器件的寄生效應(yīng)不那么重要。其他流程也是類似的。

下面對設(shè)計降壓轉(zhuǎn)換器的過程稍加總結(jié)。選擇完控制器IC后,再選擇相應(yīng)的外部器件。對每種選擇方案來說,參數(shù)的重要程度是不一樣的。選定 MOSFET、輸出電感器、輸入和輸出電容器后,再設(shè)計補(bǔ)償電路。

人們已經(jīng)做了大量工作來設(shè)計一款良好的降壓轉(zhuǎn)換器,而且現(xiàn)在已經(jīng)有了集成度更高的版本。有些設(shè)計集成了MOSFET,有些設(shè)計集成了補(bǔ)償電路,還有的集成了輸出電感器。用戶所需要的只是設(shè)定輸出電壓的電阻、輸入電容器和輸出電容器,這對忙碌的系統(tǒng)設(shè)計者來說的確是個好消息。
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