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反激式DC/DC電源的集成化研究

發(fā)布時間:2011-03-30

中心議題:

  • 驅(qū)動控制電路拓?fù)?/strong>
  • 動態(tài)性能試驗(yàn)

1  引言
 
電源的集成化是電源產(chǎn)品發(fā)展的方向。在開關(guān)電源的應(yīng)用中,PWM控制電路是電源設(shè)計的核心,PWM控制電路可以由分立元器件來實(shí)現(xiàn),因而,可以設(shè)想把PWM及反饋控制和自保護(hù)電路集成到一個芯片上。在國外,這種控制芯片早就成為商品,如UC3842,TOPSwitch等。而在國內(nèi),該類產(chǎn)品幾乎是空白,因而,電源的集成化研究將成為一個發(fā)展趨勢。
  
由于反激變換器的電路拓?fù)浜唵?,輸出與輸入電氣隔離,能高效提供多組直流輸出,升降壓范圍寬,因此在中小功率場合得到廣泛應(yīng)用。本文利用反激變換器的特點(diǎn),設(shè)計了利用分立元器件搭構(gòu)的驅(qū)動控制電路,驅(qū)動反激變換器,為日后的集成化作準(zhǔn)備。
  
2  驅(qū)動控制電路拓?fù)?br />   
圖1中,V8為振蕩電路產(chǎn)生的振蕩脈沖,其占空比為50%,由該脈沖決定開關(guān)器件的工作頻率。V1為原邊電流采樣電阻上的壓降,V2為輸出電壓的反饋值,V3是用于驅(qū)動開關(guān)管的信號。V2經(jīng)過PI調(diào)節(jié)器進(jìn)行誤差放大后輸入到比較器的反向端,與輸入到比較器同向端的經(jīng)過誤差放大后的V1值進(jìn)行比較,從而決定V3的脈寬大小。邏輯電路產(chǎn)生的信號經(jīng)過輸出級后用來驅(qū)動MOSFET的開通和關(guān)斷,該信號(V3)的占空比與輸出電壓的反饋值V2成反比,實(shí)現(xiàn)電壓反饋式的控制環(huán),同時,該信號的占空比還與輸入的直流電壓值成反比,以實(shí)現(xiàn)電路的前饋控制。V3信號由經(jīng)過放大后的原邊電流的采樣電阻上的電壓值和經(jīng)過PI調(diào)節(jié)器的輸出電壓的反饋值共同來控制。圖2為各個反饋信號的誤差放大值、振蕩脈沖V8以及MOSFET的驅(qū)動信號V3波形。圖2中1)為振蕩脈沖V8的波形,2)為驅(qū)動信號V3的波形,3)、4)為電壓反饋和電流反饋值經(jīng)過誤差放大后的波形(V2和V1的波形)。
                          圖1  PWM邏輯電路及輸出電路
                                                           圖1  PWM邏輯電路及輸出電路
  
由圖2可知,當(dāng)反饋電流的誤差放大值V1大于反饋電壓的誤差值V2時,比較器就輸出高電平,驅(qū)動信號變成低電平,使MOSFET管關(guān)斷,直到下一個振蕩脈沖到來,MOSFET管才開通,因而可以看出,該電路采用的是電流的峰值控制。
                                圖2  PWM波形圖
                                                                    圖2  PWM波形圖
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圖3為啟動電路圖。
                                                     圖3  啟動電路圖
                                                                     圖3  啟動電路圖
  
該啟動電路由雙極性晶體管Q1,穩(wěn)壓二極管D1,D3和二極管D2以及電容C1構(gòu)成。在電路啟動的初期,輸入的直流電源通過雙極性晶體管Q1給電容C1充電,使電路開始工作。等到反饋的電壓值Feedback比電路中的穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓值大時,雙極性晶體管Q1被關(guān)斷,該電路停止工作。PWM比較器的工作電壓由Feedback信號提供。這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以有效地減小損耗,而很多國外產(chǎn)品的啟動電路是由大電阻和電容構(gòu)成,因而在電阻上將會有一定的損耗。
  
在圖1的驅(qū)動控制電路中,我們還可以看到,該電路有逐周電流檢測功能。逐周的峰值漏極電流限制電路以原邊電流的采樣電阻作為檢測電阻。器件內(nèi)部的PI調(diào)節(jié)器的輸出值設(shè)有+5V的電壓限制,而采樣電阻上的電壓值放大5倍后與PI調(diào)節(jié)器的輸出值進(jìn)行比較,故設(shè)計電路時就可以精確地計算出電流峰值,通過選定采樣電阻值和原副邊的匝數(shù)比來進(jìn)行電流限制。當(dāng)MOSFET的漏極電流太大使采樣電阻上的壓降放大后超過+5V的閾值時,MOSFET就會被關(guān)斷,直到下一個時鐘周期開始。
  
3  動態(tài)性能試驗(yàn)
  
1)負(fù)載變化時輸出電壓的動態(tài)特性
  
當(dāng)負(fù)載變化時,輸出電壓也在瞬間變化,然后反饋到控制引腳,器件內(nèi)部的控制電路就會做出相應(yīng)的調(diào)整,改變MOSFET器件開關(guān)的占空比,以實(shí)現(xiàn)輸出電壓穩(wěn)定的目的。
  
圖4(a)是負(fù)載變小時輸出電壓波形的變化情況。負(fù)載變小,輸出電壓變大,導(dǎo)致電壓反饋的誤差放大值變小,脈寬調(diào)制器的輸出波形的占空比變小,使輸出電壓變小,最終使輸出電壓趨向于穩(wěn)定值。此時,輸出電壓的反饋值為+5V。
  
圖4(b)是負(fù)載變大時的輸出電壓波形。同理,可以分析出輸出電壓的變化過程。
                            圖4  負(fù)載變化時輸出電壓的動態(tài)特性圖
                                   圖4  負(fù)載變化時輸出電壓的動態(tài)特性圖
 
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