MOSFET系列的產(chǎn)品特性：

• 采用HEXFET MOSFET硅器件
• 采用PQFN 3 x 3封裝
• 極低的導(dǎo)通電阻
• 加強(qiáng)了熱傳導(dǎo)率
• 符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及MSL1濕度敏感性測(cè)試

MOSFET系列的應(yīng)用范圍：

• 電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦的DC-DC轉(zhuǎn)換器

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。
 
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產(chǎn)技術(shù)改進(jìn)的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標(biāo)準(zhǔn)PQFN 3 x 3器件高出多達(dá)60%的負(fù)載電流能力，同時(shí)極大地減少了整體封裝電阻，從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 。除了低導(dǎo)通電阻，新的高性能PQFN封裝加強(qiáng)了熱傳導(dǎo)率并提高了可靠性，且符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及MSL1濕度敏感性測(cè)試。
   
這一高性能PQFN封裝技術(shù)也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標(biāo)準(zhǔn)PQFN 5 x 6 器件相比，在設(shè)計(jì)要求更多電流時(shí)無(wú)需增加額外占位面積。
   
該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件，具有低柵極導(dǎo)通電阻 (Rg) ，以減少開關(guān)損耗。在同步MOSFET應(yīng)用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復(fù)時(shí)間，以提高效率和EMI性能。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應(yīng)用優(yōu)化，是非?？煽壳异`活的高密度解決方案。此外，隨著IR對(duì)PQFN產(chǎn)品的擴(kuò)展，客戶現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設(shè)計(jì)達(dá)到最佳效果的產(chǎn)品。”

新器件的高度小于1 mm，與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容，并擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。