- IGBT技術(shù)簡介
- 太陽能逆變器應用的全橋拓撲
太陽能逆變器是一種功率電子電路，能把太陽能電池板的直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓來驅(qū)動家用電器、照明及電機工具等交流負載。如圖1所示，太陽能逆變器的典型架構(gòu)一般采用四個開關(guān)的全橋拓撲。
在圖1中， Q1 和Q3被指定為高壓側(cè)IGBT，Q2 和Q4 則是低壓側(cè) IGBT。 該逆變器用于在其目標市場的頻率和電壓條件下，產(chǎn)生單相位正弦電壓波形。有些逆變器用于連接凈計量效益電網(wǎng)的住宅安裝，這就是其中一個目標應用市場，此項應用要求逆變器提供低諧波交流正弦電壓，讓電力可注入電網(wǎng)中。
為滿足這個要求，IGBT可在20kHz或以上頻率的情況下，對50Hz或60Hz的頻率進行脈寬調(diào)制，因此輸出電感器L1和L2便可以保持合理的小巧體積，并能有效抑制諧波。此外，由于其轉(zhuǎn)換頻率高出人類的正常聽覺頻譜，因此該設計也可盡量減少逆變器產(chǎn)生的可聽噪聲。
脈寬調(diào)制這些IGBT的最佳方法是什么？怎樣才能把功耗降到最低呢？方法之一是僅對高壓側(cè)IGBT進行脈寬調(diào)制，對應的低壓側(cè)IGBT以50Hz或60Hz換相。圖2所示為一個典型的柵壓信號。當Q1 正進行脈寬調(diào)制時，Q4維持正半周期操作。Q2和Q3在正半周期保持關(guān)斷 。到了負半周期，當Q3進行脈寬調(diào)制時，Q2保持開啟狀態(tài)。Q1和Q4會在負半周期關(guān)斷。圖2 也顯示了通過輸出濾波電容器C1的AC正弦電壓波形。
此變換技術(shù)具有以下優(yōu)點：
(1)電流不會在高壓側(cè)反并二極管上自由流動，因此可把不必要的損耗低至最低。
(2)低壓側(cè)IGBT只會在50Hz或60Hz工頻進行切換，主要是導通損耗。
(3)由于同一相上的IGBT絕對不會以互補的方式進行轉(zhuǎn)換，所以不可能出現(xiàn)總線短路擊穿情況。
(4)可優(yōu)化低壓側(cè)IGBT的反并聯(lián)二極管，以盡量減低續(xù)流和反向恢復導致的損耗。
1.IGBT技術(shù)
IGBT基本上是具備金屬門氧化物門結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管 (BJT) 。這種設計讓IGBT的柵極可以像MOSFET一樣，以電壓代替電流來控制開關(guān)。作為一種BJT，IGBT的電流處理能力比MOSFET更高。同時，IGBT亦如BJT一樣是一種少數(shù)載體元件。這意味著IGBT關(guān)閉的速度是由少數(shù)載體復合的速度快慢來決定。此外，IGBT的關(guān)閉時間與它的集極-射極飽和電壓 (Vce(on)) 成反比(如圖3所示)。
(1)電流不會在高壓側(cè)反并二極管上自由流動，因此可把不必要的損耗低至最低。
(2)低壓側(cè)IGBT只會在50Hz或60Hz工頻進行切換，主要是導通損耗。
(3)由于同一相上的IGBT絕對不會以互補的方式進行轉(zhuǎn)換，所以不可能出現(xiàn)總線短路擊穿情況。
(4)可優(yōu)化低壓側(cè)IGBT的反并聯(lián)二極管，以盡量減低續(xù)流和反向恢復導致的損耗。
1.IGBT技術(shù)
IGBT基本上是具備金屬門氧化物門結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管 (BJT) 。這種設計讓IGBT的柵極可以像MOSFET一樣，以電壓代替電流來控制開關(guān)。作為一種BJT，IGBT的電流處理能力比MOSFET更高。同時，IGBT亦如BJT一樣是一種少數(shù)載體元件。這意味著IGBT關(guān)閉的速度是由少數(shù)載體復合的速度快慢來決定。此外，IGBT的關(guān)閉時間與它的集極-射極飽和電壓 (Vce(on)) 成反比(如圖3所示)。
以圖3為例，若IGBT擁有相同的體積和技術(shù)，一個超速IGBT比一個標準速度的IGBT擁有更高的Vce(on) 。然而，超速IGBT的關(guān)閉速度卻比標準IGBT快得多。圖3反映的這種關(guān)系，是通過控制IGBT的少數(shù)載體復合率的使用周期以影響關(guān)閉時間來實現(xiàn)的。
表1顯示了四個擁有相同尺寸的IGBT的參數(shù)值。前三個IGBT采用同樣的平面式技術(shù)，但使用不同的壽命復合控制計量。從表中可見，標準速度的IGBT具有最低Vce(on) ，但與快速和超速平面式IGBT相比，標準速度的IGBT下降時間最慢。第四個IGBT是經(jīng)優(yōu)化的槽柵IGBT，能夠為太陽能逆變器這類高頻率切換應用提供低導通和開關(guān)損耗。請注意，槽柵IGBT的Vce(on) 和總切換損耗 (Ets) 比超速平面式IGBT低。
表1顯示了四個擁有相同尺寸的IGBT的參數(shù)值。前三個IGBT采用同樣的平面式技術(shù)，但使用不同的壽命復合控制計量。從表中可見，標準速度的IGBT具有最低Vce(on) ，但與快速和超速平面式IGBT相比，標準速度的IGBT下降時間最慢。第四個IGBT是經(jīng)優(yōu)化的槽柵IGBT，能夠為太陽能逆變器這類高頻率切換應用提供低導通和開關(guān)損耗。請注意，槽柵IGBT的Vce(on) 和總切換損耗 (Ets) 比超速平面式IGBT低。
[page]2.高壓側(cè)IGBT
前文討論了高壓側(cè) IGBT在20kHz或以上頻率進行切換。假設設計一個擁有230V交流輸出的1.5kW 太陽能逆變器，表1中哪種IGBT具有最低的功耗呢？圖4顯示了IGBT在20kHz進行切換的功耗分析，由此可見超速平面式IGBT比其它兩種平面式IGBT具有更低的總功耗。
前文討論了高壓側(cè) IGBT在20kHz或以上頻率進行切換。假設設計一個擁有230V交流輸出的1.5kW 太陽能逆變器，表1中哪種IGBT具有最低的功耗呢？圖4顯示了IGBT在20kHz進行切換的功耗分析，由此可見超速平面式IGBT比其它兩種平面式IGBT具有更低的總功耗。
在20kHz下，開關(guān)損耗明顯成為總功耗的重要部分。同時，標準速度IGBT的導通損耗雖然最低，但其開關(guān)損耗卻最大，并不適合充當高壓側(cè)IGBT。
最新的600V 槽柵IGBT 專為20kHz的切換進行了優(yōu)化。如圖五所示，這種IGBT比以往的平面式IGBT提供較低的總功耗。因此，為了讓太陽能逆變器的設計能夠達到最高效率，槽柵IGBT是高壓側(cè)IGBT的首選元件。
3.低壓側(cè)IGBT
低壓側(cè)IGBT同樣有同一問題。究竟哪一種IGBT才能提供最低的功耗？由于這些IGBT只會進行50Hz或60Hz切換，如圖5所示，標準速度IGBT可提供最低的功耗。雖然標準IGBT會帶來一些開關(guān)損耗，但數(shù)值并不足以影響IGBT的總功耗。事實上，最新的槽柵IGBT仍然擁有較高的功耗，因為這一代的槽柵IGBT專門針對高頻率應用而設計，以平衡開關(guān)和導通損耗為目標。因此，對低壓側(cè)IGBT來說，標準速度平面式IGBT仍然是必然選擇。
最新的600V 槽柵IGBT 專為20kHz的切換進行了優(yōu)化。如圖五所示，這種IGBT比以往的平面式IGBT提供較低的總功耗。因此，為了讓太陽能逆變器的設計能夠達到最高效率，槽柵IGBT是高壓側(cè)IGBT的首選元件。
3.低壓側(cè)IGBT
低壓側(cè)IGBT同樣有同一問題。究竟哪一種IGBT才能提供最低的功耗？由于這些IGBT只會進行50Hz或60Hz切換，如圖5所示，標準速度IGBT可提供最低的功耗。雖然標準IGBT會帶來一些開關(guān)損耗，但數(shù)值并不足以影響IGBT的總功耗。事實上，最新的槽柵IGBT仍然擁有較高的功耗，因為這一代的槽柵IGBT專門針對高頻率應用而設計，以平衡開關(guān)和導通損耗為目標。因此，對低壓側(cè)IGBT來說，標準速度平面式IGBT仍然是必然選擇。
本文小結(jié)
本文分析了太陽能逆變器應用的全橋拓撲。這種拓撲利用正弦脈寬調(diào)制技術(shù)，在高于20kHz情況下，為高壓側(cè)IGBT 進行轉(zhuǎn)換。支線的低壓側(cè)IGBT決于輸出頻率要求，在50Hz或60Hz進行轉(zhuǎn)換。若挑選最新的600V槽柵IGBT，其總功耗將會在20kHz下達到最低。在低壓側(cè)IGBT方面，標準速度平面式IGBT是最佳選擇。標準速度IGBT在50Hz或60Hz下?lián)碛凶畹偷膶〒p耗，其開關(guān)損耗對整體功耗來說微不足道。因此，工程師只要正確選擇IGBT組合， 就能將太陽能逆變器應用的功耗降至最低。
本文分析了太陽能逆變器應用的全橋拓撲。這種拓撲利用正弦脈寬調(diào)制技術(shù)，在高于20kHz情況下，為高壓側(cè)IGBT 進行轉(zhuǎn)換。支線的低壓側(cè)IGBT決于輸出頻率要求，在50Hz或60Hz進行轉(zhuǎn)換。若挑選最新的600V槽柵IGBT，其總功耗將會在20kHz下達到最低。在低壓側(cè)IGBT方面，標準速度平面式IGBT是最佳選擇。標準速度IGBT在50Hz或60Hz下?lián)碛凶畹偷膶〒p耗，其開關(guān)損耗對整體功耗來說微不足道。因此，工程師只要正確選擇IGBT組合， 就能將太陽能逆變器應用的功耗降至最低。
