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IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-08-27

產(chǎn)品特性:
  • 采用IR最新一代的溝道技術(shù),低導(dǎo)通電阻
  • 擁有充分表征的崩潰電壓和電流
  • 獲得了工業(yè)級及一級潮濕敏感度 (MSL1) 認(rèn)證
  • 非常低的柵極電荷
應(yīng)用范圍:
  • 不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具
  • ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。

這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù),并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外,新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新器件能夠提供最佳性價(jià)比。此外,通過提供四個(gè)等級的RDS(on) 及將Qg保持在30V的水平,新器件可讓設(shè)計(jì)工程師靈活地選擇最適合的器件,來配合其設(shè)計(jì)的規(guī)范和要求。”

新款MOSFET擁有充分表征的崩潰電壓和電流。隨著IR對這些基準(zhǔn)MOSFET的持續(xù)開發(fā),它們將可以作為現(xiàn)有30V TO-220器件的直接替代品或升級品。

新器件獲得了工業(yè)級及一級潮濕敏感度 (MSL1) 認(rèn)證。這些30V MOSFET采用TO-220封裝,皆為無鉛設(shè)計(jì),并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。

產(chǎn)品的基本規(guī)格:

器件編號(hào)

封裝

 

RDS(on)

ID @ TC

典型Qg

 (nC)

典型Qgd

 (nC)

VBRDSS

(V)

@ 4.5V

(mOhms)

@ 10V

(mOhms)

25°C

(A)

100°C

(A)

IRLB8721PbF

TO-220AB

30

4.5

8.7

62

44

7.6

3.4

IRLB8743PbF

TO-220AB

30

4.2

3.2

150

110

36

13

IRLB8748PbF

TO-220AB

30

6.8

4.8

92

65

15

5.9

IRLB3813PbF

TO-220AB

30

2.6

1.95

260

190

57

19

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