產(chǎn)品特性：

• MOSFET及功率二極管整合到同一封裝
• 小體積，低成本
• 在1.8V 時便可達到導通電阻額定值
• 無需使用電平位移電路
• 導通電阻:介于1.8V VGS時17?～4.5V VGS時3.8?
• 無鉛，無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范

應用范圍：

• 面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器
• 手機、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。

SiA850DJ 的典型應用將包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的有機 LED（OLED）背光。

將 MOSFET 及功率二極管整合到同一封裝可幫助設計人員節(jié)約至少三分之一的 PCB 面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在 2.5V 時達到導通電阻額定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 時便可達到導通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進一步節(jié)約了板面空間。該器件的導通電阻值范圍介于 1.8V VGS 時 17?～4.5V VGS時 3.8?，0.5A 時二極管正向電壓為 1.2 V。

SiA850DJ 100% 無鉛（Pb），無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

目前，新型 SiA850DJ 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。