產(chǎn)品特性：

• 導通電阻降低至52mΩcm2
• 采用了名為“Natural Super Junction”的新半導體連接技術
• 通過控制電極間隔便成功地提高耐壓為9.4kV
• 良好的電氣連接性能

應用范圍：

• 消費類電器
• 電氣設備等廣泛領域 

松下電器試制出使用GaN半導體、耐壓為9.4kV，導通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導通電阻為1000mΩcm2。設想用于工作電壓從數(shù)百伏消費類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設備等廣泛領域。

新產(chǎn)品之所以同時實現(xiàn)了高耐壓和低導通電阻，是因為采用了名為“Natural Super Junction”的新半導體連接技術。通過連接多個成分不同的GaN半導體，收到了與硅MOSFET上使用的“超級結構造”相同的效果。而以往GaN半導體的p型層和n型層的雜質濃度以及膜厚的控制需要較高的精度，因此難以使用超級結構造。

該二極管采用新結構，僅通過控制電極間隔便成功地提高了耐壓。為降低導通電阻，增加了作為溝道的二維電子氣體層數(shù)。并且利用凹陷結構使溝道暴露，在暴露的區(qū)域形成電極，使全部溝道層獲得良好的電氣連接性能。由此而實現(xiàn)了耐壓9.4kV，導通電阻52mΩcm2。