電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)由于具有LED電流匹配度好、和屏的接口連線少等優(yōu)點(diǎn)，而被手機(jī)設(shè)計(jì)人員選做大尺寸的智能手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)。但電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)容易產(chǎn)生EMI輻射，可能會(huì)對(duì)GSM、GPS或者其他射頻模塊產(chǎn)生EMI干擾而影響射頻靈敏度，嚴(yán)重的會(huì)出現(xiàn)搜不到臺(tái)、掉網(wǎng)等問題。而PCB的地波動(dòng)、射頻模塊同樣也會(huì)產(chǎn)生EMI輻射，也可能引起電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的輸出電流變化，從而出現(xiàn)閃屏的問題。

本文首先分析了電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的EMI輻射來源，以及上海艾為電子技術(shù)有限公司的電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)芯片如何通過內(nèi)部電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，來降低電感產(chǎn)生的EMI輻射和調(diào)光時(shí)VOUT的EMI輻射，并對(duì)PCB設(shè)計(jì)提出了優(yōu)化EMI性能的建議。針對(duì)閃屏，文中分析了閃屏的原因，介紹了上海艾為的第二代電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)恒流恒壓雙反饋環(huán)路、RNS（射頻噪聲抑制）技術(shù)如何減小閃屏的風(fēng)險(xiǎn)。最后，本文介紹了上海艾為的大屏背光產(chǎn)品系列。

升壓過程中產(chǎn)生的EMI輻射及應(yīng)對(duì)

電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)工作時(shí)，電感上的電流是瞬態(tài)快速變化的。變化的電流在電感上會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)，是電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的最主要EMI輻射來源。圖1是市面上某款電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的SW引腳的電壓波形和EMI的測(cè)試結(jié)果。


圖1紅色實(shí)線是FCC CLASS B的標(biāo)準(zhǔn)線。紅色虛線是-6dB的裕量線，一般要求EMI測(cè)試結(jié)果不超過裕量線。藍(lán)色曲線是此款芯片的實(shí)際EMI測(cè)試結(jié)果--可以看到在100~600MHz有明顯的EMI能量；在300~500MHz頻率段已經(jīng)接近甚至有部分超過了FCC CLASS B的標(biāo)準(zhǔn)線。這將可能對(duì)手機(jī)中的FM、CMMB和射頻模塊產(chǎn)生非常嚴(yán)重的影響。

電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)SW引腳產(chǎn)生的EMI輻射主要有：開關(guān)信號(hào)和電感上電流變化產(chǎn)生的EMI輻射--電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的工作頻率一般在1MHz附近，開關(guān)信號(hào)和電感上的電流變化產(chǎn)生的EMI輻射頻段主要在10MHz以下；開關(guān)信號(hào)沿產(chǎn)生的EMI輻射--開關(guān)信號(hào)沿的變化在納秒級(jí)范圍，沿越陡，越容易產(chǎn)生振鈴信號(hào)。陡峭的沿和振鈴信號(hào)都會(huì)產(chǎn)生很大分量的高頻EMI輻射（頻段集中在幾百M(fèi)Hz甚至GHz），是影響FM、CMMB和GSM射頻信號(hào)靈敏度的主要EMI來源。

降低高頻的EMI輻射，就要讓開關(guān)信號(hào)的沿變緩，但沿變緩會(huì)使在沿上消耗的功率增加，影響背光驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)換效率。所以，EMI輻射的改善和效率的提升是矛盾的，需要相互折中。

圖2是第二代串聯(lián)背光上海艾為的AW9910/AW9920的EMI測(cè)試結(jié)果。為了同時(shí)取得最優(yōu)的EMI性能和轉(zhuǎn)換效率，AW9910/AW9920采用了專利技術(shù)的SW引腳信號(hào)沿斜率可變驅(qū)動(dòng)技術(shù)，在信號(hào)沿的初期，驅(qū)動(dòng)能力增強(qiáng)，信號(hào)沿的斜率較快，而在信號(hào)沿的末期，驅(qū)動(dòng)能力變?nèi)?，信?hào)沿的斜率降低，這樣在信號(hào)沿上消耗的功率更小，EMI輻射也更小。從圖2的EMI測(cè)試結(jié)果可以看到，AW9910/AW9920的EMI性能相比圖1最大提高了25dB！


調(diào)光時(shí)產(chǎn)生的EMI輻射及應(yīng)對(duì)

SW引腳輸出信號(hào)的EMI輻射是手機(jī)設(shè)計(jì)人員關(guān)注得比較多的問題，但大家往往發(fā)現(xiàn)即使已經(jīng)花費(fèi)很大力氣，減小SW引腳輸出信號(hào)的EMI輻射，但EMI問題依然存在。電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)芯片在PWM調(diào)光時(shí)輸出電壓VOUT可能會(huì)產(chǎn)生很大的輸出紋波。這也是一個(gè)EMI輻射源，但卻容易被手機(jī)設(shè)計(jì)人員忽視。

圖3是某款采用普通PWM調(diào)光方式的電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)在PWM調(diào)光時(shí)的使能引腳（EN）和輸出VOUT的波形。從圖3中可以看到，用10KHz 50%占空比的PWM信號(hào)調(diào)光時(shí)，輸出電壓VOUT上的紋波高達(dá)4V.而且我們發(fā)現(xiàn)，調(diào)光頻率越低，輸出電壓紋波越大。而在PCB設(shè)計(jì)中，輸出VOUT需要從背光驅(qū)動(dòng)模塊接到屏的背光LED的陽(yáng)極，走線會(huì)比較長(zhǎng)，這樣VOUT走線的輸出紋波也是一個(gè)嚴(yán)重的EMI輻射源！


輸出電壓上紋波幅度過大還會(huì)在輸出電容上產(chǎn)生刺耳的嘯叫聲。這是由于輸出MLCC電容的壓電效應(yīng)產(chǎn)生的振動(dòng)而引起的。一般紋波幅度超過0.5V就能聽到明顯的嘯叫聲。提高調(diào)光頻率是一種解決辦法，但提高調(diào)光頻率會(huì)影響PWM調(diào)光的調(diào)光線性度，甚至?xí)拐{(diào)光功能失效，而且也沒有從根本上解決問題。
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上海艾為的電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)AW9920STR/DNR采用了創(chuàng)新的PWM轉(zhuǎn)恒流調(diào)光方式。PWM轉(zhuǎn)恒流調(diào)光接收普通的PWM調(diào)光信號(hào)，經(jīng)過內(nèi)部的電路轉(zhuǎn)化，最終輸出一個(gè)恒定的輸出電流。輸出電流的大小與PWM調(diào)光的占空比成正比。輸出電流恒定，輸出電壓上的紋波就非常小了。圖4是AW9920在同樣條件下的測(cè)試結(jié)果，而AW9920的輸出電壓紋波不超過100mV.輸出VOUT上的EMI輻射和電容嘯叫的問題得到了完美解決！而且AW9920支持更高的調(diào)光頻率。調(diào)光頻率越高，EMI性能和電容嘯叫問題改善越好，同時(shí)還不影響調(diào)光線性度。


采用斜率可變的驅(qū)動(dòng)技術(shù)和PWM轉(zhuǎn)恒流調(diào)光技術(shù)，使得上海艾為的第二代串聯(lián)背光驅(qū)動(dòng)EMI性能顯著改善。這對(duì)PCB的設(shè)計(jì)要求也就大幅降低，而且還消除了輸出電容的嘯叫聲。但EMI輻射是一個(gè)非常復(fù)雜而難以感知的問題，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)手機(jī)設(shè)計(jì)人員還要特別注意：連接至SW引腳的連線盡量短、面積盡量小，以減小SW走線上的EMI輻射；電感盡可能采用屏蔽電感；輸入VIN和輸出VOUT的旁路電容盡可能靠近芯片的對(duì)應(yīng)引腳；電源經(jīng)過芯片到地的走線要根據(jù)電流走線布線，盡可能減小寄生電阻和寄生電感；背光驅(qū)動(dòng)模塊電源和其他模塊電源走線盡可能采用星星接法；地線盡可能采取鋪地的方式，并且和其他易受干擾的模塊地分開；背光驅(qū)動(dòng)模塊建議用屏蔽罩屏蔽，以盡可能降低EMI輻射。

射頻信號(hào)對(duì)電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的干擾及應(yīng)對(duì)

射頻信號(hào)尤其是GSM信號(hào)在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生間歇的突發(fā)電流和很強(qiáng)的EMI輻射。間歇的突發(fā)電流還會(huì)形成217Hz的電源波動(dòng)。217Hz的電源波動(dòng)會(huì)通過傳導(dǎo)耦合到電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)的電源輸入端。900MHz和1800MHz的高頻射頻信號(hào)形成217Hz的射頻包絡(luò)信號(hào)，這些高頻的射頻包絡(luò)信號(hào)會(huì)干擾反饋引腳，甚至是穿透封裝干擾芯片內(nèi)部的關(guān)鍵電路節(jié)點(diǎn)，從而引起閃屏。

上海艾為的第二代電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)均采用了RNS（射頻噪聲抑制）技術(shù)。通過內(nèi)部的特有電路架構(gòu)和電路設(shè)計(jì)對(duì)傳導(dǎo)和輻射干擾進(jìn)行全方位的抑制，有效提高了閃屏的抑制能力。

上海艾為的智能機(jī)背光驅(qū)動(dòng)系列

AW9910STR/DRN和AW9920STR/DNR是上海艾為全新的電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)。它們采用艾為獨(dú)創(chuàng)的EMI抑制技術(shù)和PWM轉(zhuǎn)恒流調(diào)光技術(shù)最大程度減小了噪聲輻射。集成Q-Mirror架構(gòu)的恒流和恒壓雙反饋控制環(huán)路及RNS技術(shù)，使LED的恒流輸出電流更加穩(wěn)定，更不易受干擾。AW9910和AW9920均同時(shí)支持SOT23-5L封裝和封裝熱阻更小的DFN2x2-8L封裝。其中，AW9920的典型應(yīng)用圖如圖6所示。


地干擾引起的閃屏和應(yīng)對(duì)

傳統(tǒng)的第一代電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)采用的是外接反饋電阻的方式設(shè)定LED電流。其典型應(yīng)用圖如圖5所示。這種架構(gòu)在應(yīng)用時(shí)如果反饋電阻的地和背光驅(qū)動(dòng)芯片的地PCB共地不好，背光驅(qū)動(dòng)芯片的地和反饋電阻的地波動(dòng)幅度或者方向不一致的話，就會(huì)導(dǎo)致反饋電阻上的電壓波動(dòng)而閃屏。而且屏幕亮度越暗，反饋電壓越小，閃屏的風(fēng)險(xiǎn)越大。


作為第二代電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)，上海艾為的電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)采用的是恒流和恒壓雙反饋環(huán)路--在傳統(tǒng)的恒壓控制環(huán)路上增加了一個(gè)內(nèi)置Q-Mirror的恒流控制環(huán)路。恒流環(huán)路產(chǎn)生恒定的輸出電流；恒壓環(huán)路產(chǎn)生最低的輸出電壓。雙環(huán)路的控制方式更合理且不受地波動(dòng)對(duì)LED輸出電流的影響，完全沒有第一代電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)存在的閃屏風(fēng)險(xiǎn)。

第一代電感升壓型背光驅(qū)動(dòng)在關(guān)斷狀態(tài)還存在一個(gè)從電源經(jīng)過LED串和反饋電阻到地的通路而導(dǎo)致漏電；而AW9910/AW9920在關(guān)斷狀態(tài)Q-Mirror會(huì)關(guān)閉，LED陰極到地呈高阻狀態(tài)，從而切斷了漏電通路。