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英飛凌第五代肖特基二極管目標(biāo)高端應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2012-10-11 責(zé)任編輯:abbywang

【導(dǎo)讀】英飛凌近日宣布推出極具吸引力的性?xún)r(jià)比實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先效率的第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨。


英飛凌榮獲專(zhuān)利的擴(kuò)散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品,如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計(jì)和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起,改進(jìn)了熱特性,并使一個(gè)優(yōu)值系數(shù)(Qc x Vf)與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。其結(jié)果是,新一代產(chǎn)品相對(duì)于英飛凌以往各代thinQ!TM 產(chǎn)品,PFC升壓級(jí)在所有負(fù)載條件下的效率都得到了進(jìn)一步的提升。英飛凌第五代產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是高端服務(wù)器和電信SMPS(開(kāi)關(guān)模式電源)、PC銀盒和照明應(yīng)用、太陽(yáng)能逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng)等。通過(guò)利用新一代器件,這些應(yīng)用不但可以提高能效,而且還可以降低EMI(電磁干擾),提高系統(tǒng)可靠性,以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。

“自2001年首度推出SiC肖特基二極管以來(lái),英飛凌大幅改進(jìn)了其產(chǎn)品,并不斷壯大其產(chǎn)品陣容。SiC二極管是與眾不同的產(chǎn)品,能引領(lǐng)綠色能源未來(lái)。”英飛凌科技股份公司高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部負(fù)責(zé)人Jan-Willem Reynaerts指出,“第五代SiC二極管相對(duì)于以往推出的各代產(chǎn)品,可進(jìn)一步改進(jìn)系統(tǒng)能效和功率密度,同時(shí)具有極具吸引力的性?xún)r(jià)比。”

第三代產(chǎn)品的低容性電荷(Qc)值與第二代產(chǎn)品的正向電壓(Vf)水平相結(jié)合,使第五代產(chǎn)品的PFC電路達(dá)到最高效率水平。這種新一代器件具備更高的擊穿電壓:650V(第二代和第三代為600V),完美匹配最新的CoolMOSTM技術(shù)。對(duì)于太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用以及具有挑戰(zhàn)性的SMPS環(huán)境而言,這種特性可實(shí)現(xiàn)更高的安全裕度。此外,第五代產(chǎn)品還具備高浪涌電流耐受性和更豐富的型號(hào)——包括具備更高額定電流和采用全新封裝(如TO-247 和ThinPAK)的產(chǎn)品。
 

 

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