【導(dǎo)讀】在本文中，我們將探討具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品的電路板布局布線(xiàn)相關(guān)的注意事項(xiàng)。由于TO-247-4L的引腳分配與傳統(tǒng)封裝不同，因此需要注意布局布線(xiàn)。
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。
TO-247-4L在與柵極驅(qū)動(dòng)器連接時(shí)，由于引腳分配的原因，布線(xiàn)一定會(huì)交叉，無(wú)法將它們配置在同一個(gè)面上，因此OUT信號(hào)和GND2信號(hào)會(huì)形成2個(gè)環(huán)路，根據(jù)環(huán)路面積及其比例會(huì)產(chǎn)生浪涌。
作為對(duì)策，需要盡可能地減小環(huán)路面積，并使環(huán)路(1)和環(huán)路(2)的面積相等。另外，還需要考慮增加一個(gè)基本的浪涌抑制電路乃至緩沖電路。
在本文中，我們將探討具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品的電路板布局布線(xiàn)相關(guān)的注意事項(xiàng)。由于TO-247-4L的引腳分配與傳統(tǒng)封裝不同，因此需要注意布局布線(xiàn)。
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L的電路板布局布線(xiàn)注意事項(xiàng)
如“有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝”一文中所述，具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L的引腳分配不同于傳統(tǒng)的TO-247N。在這里再次給出傳統(tǒng)TO-247N、有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L以及TO-263-7L的引腳分配圖。
TO-247-4L的柵極引腳在面對(duì)印標(biāo)面的最右側(cè)，而傳統(tǒng)的TO-247N封裝的柵極引腳則位于最左側(cè)。MOSFET通常由驅(qū)動(dòng)器IC驅(qū)動(dòng)，但大多數(shù)驅(qū)動(dòng)器IC的引腳分配都是適合傳統(tǒng)TO-247N封裝的分配形式。下面是使用ROHM驅(qū)動(dòng)器IC BM61S40RFV-C時(shí)的MOSFET接線(xiàn)圖示例。
在TO-247N的情況下，MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)OUT和Return信號(hào)GND2與柵極引腳和源極引腳的排列順序相同，因此可以在同一個(gè)面上并行走線(xiàn)。
而TO-247-4L封裝則是柵極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳的排列與驅(qū)動(dòng)IC的引腳排列相反，如圖所示，布線(xiàn)一定會(huì)交叉，無(wú)法配置在同一個(gè)面。因此，如圖所示，OUT信號(hào)和GND2信號(hào)形成了兩個(gè)環(huán)路，需要注意環(huán)路區(qū)域（1）和（2）的面積比。
通常，TO-247-4L封裝的MOSFET被用于dID/dt值較大的環(huán)境。當(dāng)其電流變化引起的磁通量變化（dΦ/dt）與該環(huán)路面積正交時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生與驅(qū)動(dòng)電路的環(huán)路面積成正比的電動(dòng)勢(shì)。并且，在MOSFET的柵極和源極之間的某些環(huán)路面積比例下，電壓值有時(shí)會(huì)達(dá)到可能引發(fā)正浪涌和負(fù)浪涌等問(wèn)題的程度。因此，需要使OUT信號(hào)和GND2信號(hào)形成的環(huán)路面積盡可能小，并要使環(huán)路（1）和環(huán)路（2）的面積相等。
TO-263-7L封裝的引腳分配與TO-247N相同，因此不能形成TO-247-4L那樣的兩個(gè)環(huán)路，所以可以采用與傳統(tǒng)相同的方法進(jìn)行布線(xiàn)。不過(guò)，由于ROHM的驅(qū)動(dòng)IC在驅(qū)動(dòng)信號(hào)OUT引腳的兩側(cè)（引腳1 和引腳5）配有GND2引腳，因此即便是TO-247-4L封裝，也可以使用與傳統(tǒng)封裝一樣的方法進(jìn)行布線(xiàn)。
另外，在之前的一些文章中曾經(jīng)建議過(guò)增加VGS浪涌抑制電路，但是即便如此，受VDS關(guān)斷時(shí)的振鈴影響，VGS浪涌仍然可能超過(guò)VGS額定值。在這種情況下，可以通過(guò)降低來(lái)自HVdc的布線(xiàn)阻抗或?qū)Ω鱉OSFET增加緩沖電路等抗浪涌對(duì)策，來(lái)將VGS浪涌抑制在額定范圍內(nèi)。關(guān)于如何設(shè)計(jì)緩沖電路，請(qǐng)參考應(yīng)用指南“緩沖電路的設(shè)計(jì)方法”。
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