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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別

發(fā)布時(shí)間:2017-07-26 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě),RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
 
淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
 
RAM有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非???,是目前讀寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一級(jí)緩沖,二級(jí)緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,速度也比SRAM慢,不過(guò)它還是比任何的ROM都要快,但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多,計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。
 
DRAM分為很多種,常見(jiàn)的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,這里介紹其中的一種DDR RAM。
 
DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM,這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)勢(shì),事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上,也配備了高速DDR RAM來(lái)提高帶寬,這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
 
內(nèi)存工作原理:
 
內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM),動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的"動(dòng)態(tài)",指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫(xiě)入DRAM后,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間,數(shù)據(jù)會(huì)丟失,因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。
 
具體的工作過(guò)程是這樣的:一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷,有電荷代表1,無(wú)電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng),代表1的電容會(huì)放電,代表0的電容會(huì)吸收電荷,這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查,若電量大于滿電量的1/2,則認(rèn)為其代表1,并把電容充滿電;若電量小于1/2,則認(rèn)為其代表0,并把電容放電,藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
 
ROM也有很多種,PROM是可編程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可編程ROM)兩者區(qū)別是,PROM是一次性的,也就是軟件灌入后,就無(wú)法修改了,這種是早期的產(chǎn)品,現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了,而EPROM是通過(guò)紫外光的照射擦出原先的程序,是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過(guò)電子擦出,價(jià)格很高,寫(xiě)入時(shí)間很長(zhǎng),寫(xiě)入很慢。
 
舉個(gè)例子,手機(jī)軟件一般放在EEPROM中,我們打電話,有些最后撥打的號(hào)碼,暫時(shí)是存在SRAM中的,不是馬上寫(xiě)入通過(guò)記錄(通話記錄保存在EEPROM中),因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作(通話)要做,如果寫(xiě)入,漫長(zhǎng)的等待是讓用戶忍無(wú)可忍的。
 
FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢(shì)),U盤(pán)和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過(guò)去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備,然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤(pán)使用(U盤(pán))。
 
目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。
 
NOR Flash的讀取和我們常見(jiàn)的SDRAM的讀取是一樣,用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。
 
NAND Flash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù),它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的,通常是一次讀取512個(gè)字節(jié),采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼,因此好多使用NAND Flash的開(kāi)發(fā)板除了使用NAND Flah以外,還作上了一塊小的NOR Flash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。
 
一般小容量的用NOR Flash,因?yàn)槠渥x取速度快,多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常見(jiàn)的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤(pán)",可以在線擦除。目前市面上的FLASH 主要來(lái)自Intel,AMD,F(xiàn)ujitsu和Toshiba,而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。
 
NAND Flash和NOR Flash的比較
 
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
 
相"flash存儲(chǔ)器"經(jīng)??梢耘c相"NOR存儲(chǔ)器"互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼,這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。
 
NOR是現(xiàn)在市場(chǎng)上主要的非易失閃存技術(shù)。NOR一般只用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼;NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中。NOR的特點(diǎn)是應(yīng)用簡(jiǎn)單、無(wú)需專門(mén)的接口電路、傳輸效率高,它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在(NOR型)flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NOR flash占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場(chǎng)的大部分。
 
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。
 
1、性能比較:
 
flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為1。
 
由于擦除NOR器件時(shí)是以64~128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。
 
執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對(duì)于給定的一套寫(xiě)入操作(尤其是更新小文件時(shí)),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素:
 
  • NOR的讀速度比NAND稍快一些。
  • NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多。
  • NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
  • 大多數(shù)寫(xiě)入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
  • NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
 
(注:NOR FLASH SECTOR擦除時(shí)間視品牌、大小不同而不同,比如,4M FLASH,有的SECTOR擦除時(shí)間為60ms,而有的需要最大6s。)
 
2、接口差別:
 
NOR flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。
 
NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。
 
NAND讀和寫(xiě)操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設(shè)備。
 
3、容量和成本:
 
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
 
NOR flash占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場(chǎng)的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額最大。
 
4、可靠性和耐用性:
 
采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案??梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。
 
A) 壽命(耐用性)
 
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
 
B) 位交換
 
所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特(bit)位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。
 
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。
 
當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。
 
這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確??煽啃?。
 
C) 壞塊處理
 
NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。
 
NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。
 
5、易于使用:
 
可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
 
由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
 
在使用NAND器件時(shí),必須先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫(xiě)入信息需要相當(dāng)?shù)募记桑驗(yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫(xiě)入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。
 
6、軟件支持:
 
當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫(xiě)/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤(pán)仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。
 
在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD),NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD。
 
使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng),該驅(qū)動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。
 
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
 
NOR FLASH的主要供應(yīng)商是INTEL ,MICRO等廠商,曾經(jīng)是FLASH的主流產(chǎn)品,但現(xiàn)在被NAND FLASH擠的比較難受。它的優(yōu)點(diǎn)是可以直接從FLASH中運(yùn)行程序,但是工藝復(fù)雜,價(jià)格比較貴。
 
NAND FLASH的主要供應(yīng)商是SAMSUNG和東芝,在U盤(pán)、各種存儲(chǔ)卡、MP3播放器里面的都是這種FLASH,由于工藝上的不同,它比NOR FLASH擁有更大存儲(chǔ)容量,而且便宜。但也有缺點(diǎn),就是無(wú)法尋址直接運(yùn)行程序,只能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。另外NAND FLASH 非常容易出現(xiàn)壞區(qū),所以需要有校驗(yàn)的算法。
 
在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序,但是必須有NOR FLASH來(lái)啟動(dòng)。除了SAMSUNG處理器,其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動(dòng)程序。因此,必須先用一片小的NOR FLASH 啟動(dòng)機(jī)器,在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運(yùn)行才行,挺麻煩的。
 
DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息,一旦掉電信息會(huì)全部的丟失,由于柵極會(huì)漏電,所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷,并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷,這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新,所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。由于它只使用一個(gè)MOS管來(lái)存信息,所以集成度可以很高,容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個(gè)與CPU時(shí)鐘同步。
 
SRAM 利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息,所以一旦掉電,資料就會(huì)全部丟失,只要供電,它的資料就會(huì)一直存在,不需要?jiǎng)討B(tài)刷新,所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
 
以上主要用于系統(tǒng)內(nèi)存儲(chǔ)器,容量大,不需要斷電后仍保存數(shù)據(jù)的。
 
Flash ROM 是利用浮置柵上的電容存儲(chǔ)電荷來(lái)保存信息,因?yàn)楦≈脰挪粫?huì)漏電,所以斷電后信息仍然可以保存。也由于其機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)單所以集成度可以做的很高,容量可以很大。Flash rom寫(xiě)入前需要用電進(jìn)行擦除,而且擦除不同與EEPROM可以以byte(字節(jié))為單位進(jìn)行,flash rom只能以sector(扇區(qū))為單位進(jìn)行。不過(guò)其寫(xiě)入時(shí)可以byte為單位。flash rom主要用于bios,U盤(pán),Mp3等需要大容量且斷電不丟數(shù)據(jù)的設(shè)備。
 
PSRAM,假靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
 
背景:
 
PSRAM具有一個(gè)單晶體管的DRAM儲(chǔ)存格,與傳統(tǒng)具有六個(gè)晶體管的SRAM儲(chǔ)存格或是四個(gè)晶體管與two-load resistor SRAM 儲(chǔ)存格大不相同,但它具有類似SRAM的穩(wěn)定接口,內(nèi)部的DRAM架構(gòu)給予PSRAM一些比low-power 6T SRAM優(yōu)異的長(zhǎng)處,例如體積更為輕巧,售價(jià)更具競(jìng)爭(zhēng)力。目前在整體SRAM市場(chǎng)中,有90%的制造商都在生產(chǎn)PSRAM組件。在過(guò)去兩年,市場(chǎng)上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。
 
 
 
 
 
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