電阻的戴維寧噪聲模型由噪聲電壓源和純電阻構(gòu)成,如圖1所示。
噪聲電壓大小與電阻阻值,帶寬和溫度(開爾文)的平方根成比例關(guān)系。我們通常會(huì)量化其每1Hz帶寬內(nèi)的噪聲,也就是其頻譜密度。電阻噪聲在理論上是一種“白噪聲”,即噪聲大小在帶寬內(nèi)是均等的,在每個(gè)相同帶寬內(nèi)的噪聲都是相同的。
電阻噪聲服從高斯分布,高斯分布是描述振幅分布的概率密度函數(shù)。服從高斯分布是因?yàn)殡娮柙肼暿怯纱罅康男〉碾S機(jī)事件產(chǎn)生的。中央極限定理解釋了它是如何形成高斯分布的。交流噪聲的均方根電壓幅值等于高斯分布在±1σ范圍內(nèi)分布的振幅。對(duì)于均方根電壓為1V的噪聲,瞬時(shí)電壓在±1V范圍內(nèi)的概率為68% (±1σ) 。人們常常認(rèn)為白噪聲和高斯分布之間有某種關(guān)聯(lián),事實(shí)上它們沒有關(guān)聯(lián)。比如,濾波電阻的噪聲,不是白噪聲但仍然服從高斯分布。二進(jìn)制噪聲不服從高斯分布,但卻是白噪聲。電阻噪聲既是白噪聲也同時(shí)服從高斯分布。
純理論研究者會(huì)認(rèn)為高斯噪聲并沒有定義峰峰值,而它是無(wú)窮的。這是對(duì)的,高斯分布曲線兩側(cè)是無(wú)限伸展的,因此任何電壓峰值都是有可能的。實(shí)際中,很少有電壓尖峰超過±3倍的均方根電壓值。許多人用6倍的均方根電壓值來(lái)近似峰峰值的大小。為了留有足夠的裕度,甚至可以用8倍的均方根電壓值來(lái)近似峰峰值的大小。
一個(gè)有趣的問題是,兩個(gè)電阻串聯(lián)的噪聲之和等于這兩個(gè)電阻和的噪聲。相似的,兩個(gè)電阻并聯(lián)的噪聲之和等于這兩個(gè)電阻并聯(lián)后電阻的噪聲。如果不是這樣,那么在串聯(lián)或者并聯(lián)電阻時(shí)就會(huì)出問題。還好它確實(shí)是這樣的。
一個(gè)高阻值電阻不會(huì)因?yàn)樽陨碓肼曤妷憾a(chǎn)生電弧和火花。電阻的寄生電容并聯(lián)在電阻兩端,將限制其帶寬和端電壓。相似的,你可以想象絕緣體上產(chǎn)生的高噪聲電壓也會(huì)被其寄生電容和周圍的導(dǎo)體分流。
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