【導讀】Vishay新款超小外形尺寸TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻，器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝，致力于便攜式電子產品節(jié)省空間及提高效率。
Vishay宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產品中節(jié)省空間及提高效率而設計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
圖片1：Vishay新超小型TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET
對于電源管理中的負載和電池開關，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、硬盤驅動器和固態(tài)驅動的同步降壓轉換應用里的控制開關，-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5m?(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的涌入電流，可用于負載開關。
器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命，同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節(jié)省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用，MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉換電路或“自舉”器件，簡化了柵極驅動的設計。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規(guī)格表：
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
