【導讀】黑硅是一種低反射率的硅材料，和常規(guī)的硅材料相比它具有超強的吸收光線的能力，可用于太陽能電池產(chǎn)業(yè)。中科院微電子所用自行研制的等離子體浸沒離子注入機制備了多種微觀結(jié)構的黑硅材料。

黑硅是一種低反射率的硅材料，和常規(guī)的硅材料相比它具有超強的吸收光線的能力，可用于太陽能電池產(chǎn)業(yè)。中科院微電子所微電子設備研究室（八室）夏洋研究員帶領的研究團隊，原創(chuàng)性提出利用等離子體浸沒離子注入技術制備黑硅材料。該團隊利用自行研制的等離子體浸沒離子注入機（國家自然科學基金委、中科院裝備項目、方向性項目支持）制備了多種微觀結(jié)構的黑硅材料，在可見光波段黑硅的平均反射率為0.5%，與飛秒激光制備黑硅的反射率相當，同時該工藝適應大批量制備，成本低，生產(chǎn)效率高。其科研文章發(fā)表在Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、物理學報等多家期刊上，已申請專利30余項。

通過對黑硅結(jié)構進行優(yōu)化，并且對生產(chǎn)線電池配套工藝進行改進，在全國產(chǎn)設備生產(chǎn)線研發(fā)出多晶黑硅太陽能電池（156mm×156mm，多晶）批量平均效率高達17.46％，最高可到17.65%。