2012電力電子展上 隆羅姆半導(dǎo)體攜SiC模塊首次亮相

    羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位，今后，加強(qiáng)實(shí)現(xiàn)更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產(chǎn)品陣容的同時(shí)，不斷推進(jìn)完善SiC 溝槽式MOSFET和SiC -IPM(智能電源模塊)等SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容與量產(chǎn)化。

　　損耗低，因此發(fā)熱少，可減小冷卻裝置體積，實(shí)現(xiàn)設(shè)備整體的小型化

　　據(jù)悉，通過(guò)羅姆開(kāi)發(fā)出的獨(dú)創(chuàng)的缺陷控制技術(shù)和篩選法，使可靠性得以確保。另外，針對(duì)SiC制備過(guò)程中特有的1700℃高溫工序，為了防止其發(fā)生特性劣化，羅姆開(kāi)發(fā)了控制技術(shù)，于世界首家確立了"全SiC"功率模塊的量產(chǎn)體制。

　　低電壓時(shí)防止誤操作功能、熱保護(hù)功能、短路保護(hù)功能、短路保護(hù)時(shí)軟關(guān)斷功能

　　日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)將參加2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉辦的“PCIM-ASIA 2012電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源管理國(guó)際展覽會(huì)暨研討會(huì)”。

　　首次亮相PCIM-ASIA展覽會(huì)的羅姆半導(dǎo)體將為觀眾及采購(gòu)商帶來(lái)全新的產(chǎn)品羅姆“全SiC”功率模塊。該模塊內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成，應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能電池、電動(dòng)汽車、鐵路等中負(fù)責(zé)電力轉(zhuǎn)換的變頻器、轉(zhuǎn)換器。
　　同時(shí)，羅姆半導(dǎo)體帶來(lái)了面向車載“內(nèi)置絕緣元件的門極驅(qū)動(dòng)”，此款驅(qū)動(dòng)行業(yè)唯一對(duì)應(yīng)SiC的內(nèi)置絕緣元件門極驅(qū)動(dòng)，有效促進(jìn)EV、HEV變頻器電路的小型化和低電力消耗。主要應(yīng)用于：EV/HEV/PHEV用變頻器、EV/HEV/PHEV用DC/DC轉(zhuǎn)換器、EV/PHEV用車載充電器。

　特點(diǎn)：①采用羅姆自主研發(fā)的無(wú)鐵芯變壓器技術(shù)，內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件

　?、谛⌒头庋b：與以往產(chǎn)品相比，封裝面積降低50%以上 SSOP-B20W(6.5mm×8.1mm H=Max2.01mm)

　?、鄞钶d所有車載變頻器電路的保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)：米勒鉗位功能、故障輸出功能、

　　特點(diǎn):

　　開(kāi)關(guān)損耗降低85%。內(nèi)置最先進(jìn)的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊，

　　與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低85%

    與傳統(tǒng)的400A級(jí)別的Si-IGBT模塊相替換時(shí)，體積減小約50%