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Vishay PowerPAIR? MOSFET榮獲2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)

發(fā)布時(shí)間:2012-04-28 來(lái)源:Vishay

新聞事件:SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET

  • Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類(lèi)別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。
   
中國(guó)電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年度獎(jiǎng)項(xiàng)授予在設(shè)計(jì)和技術(shù)上有突出優(yōu)點(diǎn),為工程師提供了新的強(qiáng)大功能,能夠大大節(jié)省時(shí)間、成本、占用空間等資源的產(chǎn)品。此外,該獎(jiǎng)項(xiàng)頒發(fā)給將會(huì)在中國(guó)大陸地區(qū)產(chǎn)生重要影響的產(chǎn)品。
   
SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封裝中采用TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱(chēng)雙邊TrenchFET®功率MOSFET,可用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)中的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC和同步降壓應(yīng)用。器件的導(dǎo)通電阻比前一代MOSFET低43%,同時(shí)具有更高的最大電流并能提高效率。
   
SiZ710DT具有此類(lèi)器件中最低的導(dǎo)通電阻,在小尺寸外形內(nèi)集成了低邊和高邊MOSFET,比DC/DC轉(zhuǎn)換器中由兩個(gè)分立器件組成的解決方案能節(jié)省很多空間。低邊的溝道2 MOSFET使用了針對(duì)非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化空間布局,在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為3.3m?和4.3m?,高邊溝道1 MOSFET在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為6.8m?和9.0m?。
   

 

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