新聞事件：

• 飛兆半導體和英飛凌科技公司宣布就H-PSOF MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議

事件影響：

• 封裝高度降低了50%
• 占用空間減小了20%以上
• 這項協(xié)議為設計人員提供了可靠的創(chuàng)新型封裝來源

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。

這款封裝專為包括混合動力車輛電池管理、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、主動式交流發(fā)電機(active alternator)和其他大負載電氣系統(tǒng)在內(nèi)的大電流汽車應用而設計。TO無鉛封裝是首個具有300A電流處理能力的封裝。這種封裝在線路板占用空間方面比現(xiàn)今的D2PAK封裝具有更顯著優(yōu)勢，占用空間減小了20%以上，封裝高度降低了50%。

為了滿足更高效率和更低排放強制要求，開發(fā)新型啟-停系統(tǒng)、電動助力轉(zhuǎn)向、電池管理和主動式交流發(fā)電機的汽車電子企業(yè)不斷尋求創(chuàng)新型解決方案，同時必須盡可能減小產(chǎn)品由單一供應商供貨的風險。為了確?？煽康漠a(chǎn)品供應，飛兆半導體和英飛凌達成此項協(xié)議，目的是將先進的TO無鉛MOSFET方案帶入汽車市場，同時最大限度地減小單一供應商來源的相關(guān)風險。

飛兆半導體將TO無鉛功率封裝技術(shù)用于其最新的MOSFET技術(shù)，預計于2012年下半年提供首個采用TO無鉛封裝的MOSFET器件，并于2013年年中提供在產(chǎn)器件。

飛兆半導體汽車業(yè)務部副總裁Marion Limmer表示：“飛兆半導體在服務汽車工業(yè)方面擁有悠久歷史，在滿足當今汽車制造商對功率半導體的需求方面處于領先地位。飛兆半導體通過引入這種TO無鉛功率封裝技術(shù)，正在幫助設計人員利用最新的低電阻MOSFET技術(shù)，進一步擴大我們在汽車市場的影響力。”
 
英飛凌科技汽車分部總裁Jochen Hanebeck表示：“有了這項協(xié)議，汽車行業(yè)便可受益于可靠的第二來源供應商，獲取在占用空間、效率和性能方面具有諸多優(yōu)點的大電流功率器件。作為汽車功率應用的領先廠商，英飛凌利用專門的技術(shù)知識，為汽車系統(tǒng)供應商提供能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率和更高性能的MOSFET器件，同時將單一供應商來源的相關(guān)風險降低至最小。”

飛兆半導體與世界領先的汽車制造商和系統(tǒng)供應商進行合作，創(chuàng)建支持各種汽車應用半導體解決方案，包括優(yōu)化現(xiàn)今車輛架構(gòu)中的功率管理、降低油耗以及減少環(huán)境污染物質(zhì)。