半導(dǎo)體市場的機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• WSTS對2011年春季半導(dǎo)體市場預(yù)測進(jìn)行了上調(diào)

半導(dǎo)體市場的市場數(shù)據(jù)：

• 預(yù)計2011年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為比上年增加5.4％
• 2010～2013年全球半導(dǎo)體市場年均增長率為6.1％

WSTS（全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織）日本協(xié)會在東京舉行了新聞發(fā)布會，發(fā)布了WSTS的 2011年春季半導(dǎo)體市場預(yù)測。與2010年11月發(fā)布的秋季預(yù)測相比，整體進(jìn)行了上調(diào)。其中，只有日本市場進(jìn)行了下調(diào)。下調(diào)的原因是，日本在短期內(nèi)會受到東日本大震災(zāi)造成的影響，從中長期來看日本市場的主力——消費產(chǎn)品用半導(dǎo)體將陷入低迷，無法推動半導(dǎo)體市場的發(fā)展。

發(fā)布資料顯示，預(yù)計2011年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為比上年增加5.4％的3144億1000萬美元，比秋季預(yù)測的3138億3700萬美元上調(diào)了 3億7300萬美元。WSTS預(yù)測認(rèn)為，之后仍將繼續(xù)穩(wěn)步增長，2012年為比上年增加7.8％的3383億7500萬美元、2013年為比上年增加 5.4％的3566億1300萬美元。最終，2010～2013年的年均增長率將達(dá)到6.1％/年。除日本外，其他所有地區(qū)都呈現(xiàn)出這種趨勢。美國為 7.5％/年、歐洲為8.1％/年、亞太地區(qū)為6.2％/年。均超過全球年均增長率。

只有日本市場低于全球水平。其年均增長率為2.5％/年。雖然這個數(shù)值較低，但也呈現(xiàn)出了增長態(tài)勢。不過，其中包含了2011年日元不斷升值帶來的效應(yīng)，如果按日元換算的話，僅為0.3％/年，幾乎沒有增長。具體情況是，預(yù)計2011年日元和美元的匯率將從2010年的87.7日元/美元升至 82.3日元/美元。因此，2011年日本市場按日元換算，將比上年大幅下滑12.0％，按美元換算將比上年下滑6.2％。換算成日元來看，日本市場進(jìn)入 2013年后的規(guī)模也只有4萬億1255億日元，僅為歷史最高水平——2007年5萬億7497億日元的70％左右。另外，預(yù)計2012年和2013年的匯率均將保持82.3日元/美元。

從不同產(chǎn)品來看，2010～2013年年均增長率較高的是傳感器和MOS Micro，均超過了10％/年。年均增長率較低的是MOS存儲器，僅為0.9％。此外均在5～7％/年的范圍內(nèi)。MOS存儲器增長率較低的原因是，2011年為比上年減少2.7％的負(fù)增長。預(yù)計NAND閃存將比上年增加15.6％，繼續(xù)穩(wěn)步增長，但DRAM由于價格下滑等影響，將比上年減少 11.5％。