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Diodes推出SOT963封裝器件適用于超便攜式電子產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2010-10-11 來(lái)源:E代電子

SOT963封裝器件的SOT963產(chǎn)品特性:

  • 占板面積僅有0.7 mm2
  • 引腳封裝支持手焊及目測(cè)

SOT963封裝器件的應(yīng)用范圍:

  • 適合低功耗應(yīng)用
  • 能夠滿(mǎn)足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求



Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件,性能可媲美甚至超過(guò)采用更大封裝的器件。

Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2,比SOT723封裝少30%,比SOT563封裝少60%,適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度,讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿(mǎn)足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。

現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號(hào)雙MOSFET 組合及1個(gè)4線配置瞬態(tài)電壓抑制器陣列DUP412VP5。這些器件的引腳封裝支持手焊及目測(cè),無(wú)需X光檢測(cè)。

采用SOT963封裝的雙晶體管包括雙NPN、雙PNP和互補(bǔ)NPN-PNP配對(duì),額定集電極-發(fā)射極電壓 (VCEO) 為 40V 和45V。雙N 型 、雙P型及互補(bǔ) MOSFET 組件的額定崩潰電壓 (BVDSS) 為20V,額定導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 都在1.5V 下測(cè)量。

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