- 有最優(yōu)化的導(dǎo)通電阻和門電容
- 保留了原本PolarP2的特性和優(yōu)點(diǎn)
- 優(yōu)化內(nèi)置的反并聯(lián)二極管
- 太陽(yáng)能發(fā)電
IXYS公司近日發(fā)布了一種最新系列的PolarP2 MOSFET。這是IXYS快速?gòu)?qiáng)大的最新一代Polar-series Power MOSFET，以IXYS特有的PolarP2技術(shù)為平臺(tái)的500V器件。
這些器件有最優(yōu)化的導(dǎo)通電阻和門電容，其FOM(導(dǎo)通電阻/Qg)只有12歐姆/納庫(kù)(Ω/nC)，優(yōu)異的性能和節(jié)能性使開發(fā)更高效的電源系統(tǒng)成為可能。這些電源系統(tǒng)包括在能量交換和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等。這些器件在開關(guān)/諧振電源、不間斷電源(UPS)、基站、服務(wù)器、消費(fèi)類電器等應(yīng)用同樣是理想的。這些器件也非常適合以下應(yīng)用：功率因數(shù)校正電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電子鎮(zhèn)流器、激光驅(qū)動(dòng)器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、自動(dòng)伺服控制。
這個(gè)最新發(fā)布的PolarP2 MOSFET系列包含了兩個(gè)子類別，提供給最終客戶更靈活的系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及給予客戶機(jī)會(huì)去選擇最佳性價(jià)比的器件。這些子類別包括標(biāo)準(zhǔn)的低損耗版本的PolarP2和高性能版本PolarP2 HiPerFET。
標(biāo)準(zhǔn)的PolarP2 MOSFET的額定電流有16、24、42和52安培幾個(gè)規(guī)格。標(biāo)準(zhǔn)的PolarP2 MOSFET專門為設(shè)計(jì)者提供了高性價(jià)比的器件。和原來(lái)的一代相比，這個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)的版本降低了高達(dá)20%的導(dǎo)通電阻，同時(shí)維持低門控充電值(43nC)。這個(gè)系列器件有雪崩能量標(biāo)定，為器件的瞬間過(guò)壓提供安全保障。
PolarP2 HiPerFET版本的額定電流有24、42、52、74、94和120安培幾個(gè)規(guī)格。這種高性能的版本保留了原本PolarP2的特性和優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)優(yōu)化了內(nèi)置的反并聯(lián)二極管，從而提升了器件的dv/dt(電容充電或放電時(shí)的電壓波形的最大斜率)能力，提升了反向恢復(fù)速度(trr<=250ns)。HiPerFET特有優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管使得器件有以下特性：短暫的快速反應(yīng)、提高能源效率、提高耐用性以及較高的工作頻率。HiPerFET器件超結(jié)實(shí)的特性和能量的轉(zhuǎn)換能力，使得這些器件成為零電壓開關(guān)拓?fù)淅硐氲倪x擇，因?yàn)槎O管優(yōu)異恢復(fù)特性對(duì)零電壓切換非常重要。
