- 高耐壓化
- 大電流化
- 功率元件
之前除了SBD及MOSFET等SiC功率元件之外,羅姆還開發(fā)出了采用這些元件的模塊,并于2009年收購了從事制作元件時不可或缺的SiC底板業(yè)務(wù)的德國SiCrystal等,確立了一條龍生產(chǎn)SiC功率元件的體制。SCS110A系列將利用SiCrystal的底板。前工序由位于福岡縣的ROHM APOLLO DEVICE,后工序由位于泰國的ROHM Integrated System(泰國)擔任。
SCS110A系列的反向恢復時間(trr)為15ns。據(jù)稱,比原來的硅制快恢復二極管(FRD)的35ns~50ns要短。這樣,恢復時的損耗可減至原來的三分之一左右。10A電流時的順方向電壓為標準1.5V。耐壓為600V。
該公司還介紹說,量產(chǎn)時解決了“肖特基接觸勢壘”的均勻性,以及無需高溫處理的高電阻保護套層形成等課題。
今后,除了實現(xiàn)SBD產(chǎn)品的高耐壓化及大電流化之外,該公司還準備擴充配備MOSFET及SiC功率元件的IPM(智能功率模塊)等SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容。