機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• 09年衰退幅度遠(yuǎn)低于市場預(yù)期
• 10年預(yù)計(jì)亞太地區(qū)成長幅度將較其他地區(qū)高

市場數(shù)據(jù)：

• 2009年半導(dǎo)體市場銷售額降至2,263億美元
• 預(yù)計(jì)2010年市場將成長至2,666億美元

一、全球半導(dǎo)體市場分析
全球金融風(fēng)暴所帶來之終端消費(fèi)力道減弱，使得2009年全球半導(dǎo)體市場銷售額下降至2,263億美元，較2008年2486億美元衰退9.0%。然而，在各國政府相繼實(shí)施經(jīng)濟(jì)刺激方案，以及新興國家如中國、印度等國內(nèi)需市場強(qiáng)勁的支持下，已使得全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2009年的衰退幅度，遠(yuǎn)低于市場預(yù)期。 2009年全球半導(dǎo)體市場僅北美地區(qū)微幅成長1.7%，其他皆呈現(xiàn)負(fù)成長：亞太市場衰退3.5%，歐洲市場衰退21.9%，日本市場衰退21.0%。不景氣使得下游電子產(chǎn)品品牌大廠，如Dell、HP、Sony等廠商增加產(chǎn)品委外代工之比例，以降低生產(chǎn)成本，增加其產(chǎn)品競爭力。因此，2009年主要從事代工生產(chǎn)之亞太地區(qū)，才會出現(xiàn)僅小幅衰退之情形。至于北美地區(qū)則是因?yàn)槭艿较掠纹放茝S商降價(jià)促銷成功，使得市場呈現(xiàn)小幅成長。
 
二、全球半導(dǎo)體產(chǎn)值分析 2009年各地區(qū)產(chǎn)值皆較2008年衰退。其中，以歐洲地區(qū)衰退幅度最大。其最大原因在于Qimonda退出記憶體產(chǎn)業(yè)所致。預(yù)計(jì)2010年在全球景氣復(fù)蘇下，半導(dǎo)體景氣也將在2010年呈現(xiàn)正成長力道。 2010年亞太地區(qū)受惠于中國大陸等新興市場內(nèi)需持續(xù)強(qiáng)勁、政府刺激內(nèi)需政策之支持、IDM大廠為降低成本持續(xù)釋單至亞太地區(qū)，以及記憶體產(chǎn)業(yè)景氣大幅回升下，預(yù)期產(chǎn)值成長幅度將較其他地區(qū)來得高。2010年各地區(qū)產(chǎn)值年成長率預(yù)估值為：北美地區(qū)17.7%，日本地區(qū)17.7%，歐洲地區(qū)11.7%，亞太地區(qū)20.7%。

三、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出分析 金融風(fēng)暴使得全球廠商皆大幅減少資本支出金額，以保存手中之現(xiàn)金，度過此波不景氣。 2009年全球半導(dǎo)體資本支出為259億美元，較2008年429億衰退39.6%。然而，在看好今年歐美主要消費(fèi)市場需求之復(fù)蘇，以及新興市場需求力道可望持續(xù)下，2010年全球半導(dǎo)體廠商將提高資本支出達(dá)407億美元規(guī)模，較2009年大幅成長57.1%。其中，全球記憶體廠商大幅提高資本支出，以提升其先進(jìn)制程水準(zhǔn)，是主要動力之一。

若以國別來看，臺灣與韓國地區(qū)資本支出成長力道最強(qiáng)，各自為109.1%與76.2%。臺灣動能主要來自DRAM廠商與晶圓雙雄，韓國則是來自于Samsung與Hynix。記憶廠商因記憶體景氣好轉(zhuǎn)而大幅提高資本支出，以提升其先進(jìn)制程之競爭力；晶圓代工業(yè)者則是因應(yīng)客戶需求強(qiáng)烈，而大幅擴(kuò)充先進(jìn)制程之產(chǎn)能。值得注意的是，此次資本支出的增加主要是用于制程技術(shù)的提升，而非產(chǎn)能的擴(kuò)充，這對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供需有相當(dāng)重要的影響。

四、結(jié)論
隨著未來全球經(jīng)濟(jì)逐步復(fù)蘇，再加上下游PC可能出現(xiàn)換機(jī)潮與智慧型手機(jī)的熱銷，預(yù)計(jì)2010年全球半導(dǎo)體市場將成長17.8%，至2,666億美元水準(zhǔn)，并超越2008年之水準(zhǔn)。