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飛思卡爾半導(dǎo)體擴(kuò)大RF功率晶體管產(chǎn)品陣容

發(fā)布時(shí)間:2009-06-25

產(chǎn)品特征:
  • 運(yùn)行頻率為920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率輸出,效率高達(dá)42.5%
  • 誤差矢量幅度的均方根值不超過(guò)2.1%
  • 增強(qiáng)型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應(yīng)印刷電路板的變化
適用范圍:
  • 基站收發(fā)器、GSM EDGE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)
隨著基于LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的三個(gè)高性能RF功率晶體管的推出,飛思卡爾半導(dǎo)體擴(kuò)展了它在GSM EDGE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)方面的投入。這些器件結(jié)合了增強(qiáng)功能,使它們輕松集成到放大器內(nèi),同時(shí)可提供卓越的性能水平。

飛思卡爾副總裁兼RF部門(mén)總經(jīng)理Gavin Woods 表示:"隨著行業(yè)向第三和第四代無(wú)線業(yè)務(wù)不斷邁進(jìn),GSM無(wú)疑是部署最為廣泛的無(wú)線技術(shù)。飛思卡爾最新的RF功率晶體管的設(shè)計(jì)旨在通過(guò)提高基站收發(fā)器的效率,幫助全球的GSM運(yùn)營(yíng)商提高來(lái)自每個(gè)用戶(hù)的平均收入。"

MRFE6S9046N(920 至 960 MHz)對(duì)于GSM EDGE的應(yīng)用,MRFE6S9046N 的運(yùn)行頻率為920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率輸出,19 dB 的增益,效率高達(dá)42.5%,且誤差矢量幅度的均方根(RMS)值不超過(guò)2.1%。它內(nèi)置在飛思卡爾超模壓塑膠封裝中,該封裝是精確機(jī)械公差和成本效率的結(jié)合。此外,該封裝是表面安裝的,這使它能夠支持自動(dòng)化的制造流程。而且,增強(qiáng)型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應(yīng)印刷電路板的變化。內(nèi)部輸出匹配不僅在基本頻率上實(shí)現(xiàn)了用戶(hù)友好的終端阻抗,而且還包括賴(lài)以實(shí)現(xiàn)更高效率的第二和第三個(gè)諧波終端,以符合 F 級(jí)放大器的理論。

MRF8S9100H/HS(920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS(1805 至 1880 MHz)這些 28 V 的器件專(zhuān)為 GSM 與 EDGE 系統(tǒng)中的 AB 級(jí)與 C 級(jí)的操作而設(shè)計(jì)。在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中,MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運(yùn)行時(shí)提供 45 W的平均功率,19.1 dB 的增益,44%的效率以及均方根(RMS)值為2.0%的誤差矢量幅度(EVM)。

在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中,MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運(yùn)行時(shí)提供 46 W的平均功率,18.2 dB 的增益,42%的效率以及均方根(EVM)值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內(nèi)置在結(jié)實(shí)的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作,而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個(gè)器件都是內(nèi)部匹配的,以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),符合 RoHS規(guī)范,并且還包含內(nèi)部 ESD 保護(hù)電路。

定價(jià)和供貨情況
MRFE6S9046N 現(xiàn)已成批生產(chǎn),而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現(xiàn)在也處于樣品性能試驗(yàn)階段,預(yù)計(jì)2009年7月全面投入生產(chǎn)。參考測(cè)試設(shè)備將與預(yù)期于2009年7月生產(chǎn)的大型信號(hào)模型一起提供。
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