EOS概念
EOS英文全稱 Electrical Over Stress,是對(duì)所有的過度電性應(yīng)力的總稱。當(dāng)EOS超過其最大指定極限后,器件功能會(huì)減弱或損壞,同時(shí)EOS也是公認(rèn)的IC器件的頭號(hào)殺手。由于它可能發(fā)生在產(chǎn)品的研發(fā)、測(cè)試乃至生產(chǎn)、存儲(chǔ)、運(yùn)輸?shù)母鱾€(gè)環(huán)節(jié),所以對(duì)廠商的電路設(shè)計(jì),測(cè)試規(guī)范,生產(chǎn)流程以及物流中防護(hù)都有嚴(yán)格具體的要求,每年耗費(fèi)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)十億美金的資金。更可恨的是,EOS的發(fā)生情況復(fù)雜,神出鬼沒,尋求一個(gè)完美的解決方案至今困擾著學(xué)術(shù)界和工業(yè)界。此文旨在分析EOS的成因,特點(diǎn),破壞力,以及對(duì)于芯片廠商和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的啟示。
EOS是一個(gè)非常廣的概念,物理上可以看成是一種較長(zhǎng)時(shí)間的低電壓,大電流的能量脈沖(通常電壓<100V,電流大于10A,大于1ms的發(fā)生時(shí)間)。為了更好的說明EOS的特性,可以和另一種常見的,且容易被混淆的電力破壞機(jī)制—ESD(靜電釋放)進(jìn)行比較。從Figure.1 可清晰看出EOS和ESD的放電特征,而ESD短時(shí)間的高電壓低電流的特性(通常電壓>500V,電流小于10A,納秒發(fā)生時(shí)間),可以認(rèn)定是EOS的一種特例。
圖1:EOS與ESD對(duì)比分析
表1:EOS與ESD的對(duì)比
EOS成因很多,主要會(huì)出現(xiàn)在上下電瞬態(tài)過程,電流倒灌以及過度的電壓電流驅(qū)動(dòng)(常說的過載)。通常造成的破壞都是由于器件過熱,損壞有三種類型。
圖2:PN節(jié)擊穿
圖3:金屬層熔斷
圖4:金屬打線熔斷
防護(hù)措施
電源
1、確保交流電源配備了瞬態(tài)電流抑制器(濾波器)
2、電源過壓保護(hù)
3、交流電源穩(wěn)壓器(可選)。
4、電源時(shí)序控制器,可調(diào)整時(shí)序
5、不共用濾波器和穩(wěn)壓器
電源開/關(guān)順序
1、不可“熱插拔”
2、正確的插入方向
3、定期檢查以確保遵守相關(guān)規(guī)定
維護(hù)
1、定期進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
2、確保接頭良好緊固,以防止其帶來間歇性故障。
電路板或元件測(cè)試
1、確保不進(jìn)行熱切換。進(jìn)行測(cè)試時(shí)使用存儲(chǔ)范圍捕獲信號(hào)或電源的瞬態(tài)電流。
2、確保不出現(xiàn)峰值/低頻干擾。
3、確保正確設(shè)置測(cè)試參數(shù)(不會(huì)過壓)。
4、確保測(cè)試硬件中使用了正確的保險(xiǎn)絲。
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