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RS-485通信網(wǎng)絡的EMC保護(下):三個解決方案
發(fā)布時間:2014-06-20 來源:James Scanlon?和?Koenraad Rutgers 責任編輯:xueqi
【導讀 】RS-485接口鏈路需要在惡劣電磁環(huán)境下工作,雷擊、靜電放電和其他電磁現(xiàn)象引起的大瞬變電壓可能損壞通信端口。本文介紹各主要瞬變類型,并針對RS-485通信端口的三種不同成本/保護級別,提出并演示三種不同的EMC兼容解決方案。
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瞬變保護
設(shè)計瞬變保護電路時,設(shè)計人員必須考慮以下主要事項:
1、該電路必須防止或限制瞬變引起的損壞,并允許系統(tǒng)恢復正常工作,性能影響極小。
2、保護方案應當非??煽浚阋蕴幚硐到y(tǒng)在實際應用經(jīng)受到的瞬變類型和電壓水平。
3、瞬變時長是一個重要因素。對于長時間瞬變,熱效應可能會導致某些保護方案失效。
4、正常條件下,保護電路不得干擾系統(tǒng)運行。
5、如果保護電路因為過應力而失效,它應以保護系統(tǒng)的方式失效。
圖5顯示一個典型保護方案,其特征是具有兩重保護:主保護和次級保護。主保護可將大部分瞬變能量從系統(tǒng)轉(zhuǎn)移開,通常位于系統(tǒng)和環(huán)境之間的接口。它旨在將瞬變分流至地,從而消除大部分能量。
次級保護的目的是保護系統(tǒng)各個部件,使其免受主保護允許通過的任何瞬態(tài)電壓和電流的損壞。它經(jīng)過優(yōu)化,確保能夠抵御殘余瞬變影響,同時允許系統(tǒng)的敏感部分正常工作。主保護和次級保護的設(shè)計必須與系統(tǒng)I/O協(xié)同工作,從而最大程度地降低對受保護電路的壓力,這點很重要。主保護器件與次級保護器件之間一般有一個協(xié)調(diào)元件,如電阻或非線性過流保護器件等,用以確保二者協(xié)同應對瞬變。
圖5:保護方案框圖
RS-485瞬變抑制網(wǎng)絡
就特性而言,EMC瞬態(tài)事件在時間上會有變化,因此保護元件必須具有動態(tài)性能,而且其動態(tài)特性需要與受保護器件的輸入/輸出極相匹配,這樣才能實現(xiàn)成功的EMC設(shè)計。器件數(shù)據(jù)手冊一般只包含直流數(shù)據(jù),由于動態(tài)擊穿和I/V特性可能與直流值存在很大差異,因此這些數(shù)據(jù)沒有太多價值。必須進行精心設(shè)計并確定特性,了解受保護器件的輸入/輸出級的動態(tài)性能,并且使用保護元件,才能確保電路達到EMC標準。
圖6所示電路顯示了三種不同的完整的EMC兼容解決方案。每個解決方案都經(jīng)過獨立外部EMC兼容性測試公司的認證,各方案使用精選的Bourns外部電路保護元件,針對ADI公司具有增強ESD保護性能的ADM3485E 3.3 V RS-485收發(fā)器提供不同的成本/保護級別。所用的Bourns外部電路保護元件包括瞬態(tài)電壓抑制器(CDSOT23-SM712)、瞬態(tài)閉鎖單元(TBU-CA065-200-WH)、晶閘管電涌保護器(TISP4240M3BJR-S)和氣體放電管(2038-15-SM-RPLF)。
每種解決方案都經(jīng)過特性測試,確保保護元件的動態(tài)I/V性能可以保護ADM3485E RS-485總線引腳的動態(tài)I/V特性,使得ADM3485E輸入/輸出級與外部保護元件協(xié)同防范瞬變事件。
圖6:三個EMC兼容ADM3485E電路(原理示意圖,未顯示所有連接)
保護方案1
前面說過,EFT和ESD瞬變具有相似的能量水平,而電涌波形的能量水平則高出三到四個數(shù)量級。針對ESD和EFT的保護可通過相似方式實現(xiàn),但針對高電涌級別的保護解決方案則更為復雜。第一個解決方案提供四級ESD和EFT保護及二級電涌保護。本文描述的所有電涌測試都使用1.2/50 μs波形。
此解決方案使用Bourns公司的CDSOT23-SM712瞬變電壓抑制器(TVS)陣列,它包括兩個雙向TVS二極管,非常適合保護RS-485系統(tǒng),過應力極小,同時支持RS-485收發(fā)器上的全范圍RS-485信號和共模偏移(–7 V至+12 V)。表1顯示針對ESD、EFT和電涌瞬變的電壓保護級別。
表1:解決方案1保護級別
TVS是基于硅的器件。在正常工作條件下,TVS具有很高的對地阻抗;理想情況下它是開路。保護方法是將瞬態(tài)導致的過壓箝位到電壓限值。這是通過PN結(jié)的低阻抗雪崩擊穿實現(xiàn)的。當產(chǎn)生大于TVS的擊穿電壓的瞬態(tài)電壓時,TVS會將瞬態(tài)箝位到小于保護器件的擊穿電壓的預定水平。瞬變立即受到箝位(< 1 ns),瞬態(tài)電流從受保護器件轉(zhuǎn)移至地。
重要的是要確保TVS的擊穿電壓在受保護引腳的正常工作范圍之外。CDSOT23-SM712的獨有特性是具有+13.3 V和–7.5 V的非對稱擊穿電壓,與+12 V至–7 V的收發(fā)器共模范圍相匹配,從而提供最佳保護,同時最大程度減小對ADM3485E RS-485收發(fā)器的過壓應力。
圖7:CDSOT23-SM712 I/V特性
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保護方案2
上一解決方案可提供最高四級ESD和EFT保護,但只能提供二級電涌保護。為了提高電涌保護級別,保護電路變得更加復雜。以下保護方案可以提供最高四級電涌保護。
CDSOT23-SM712專門針對RS-485數(shù)據(jù)端口設(shè)計。以下兩個電路基于CDSOT23-SM712構(gòu)建,提供更高級別的電路保護。CDSOT23-SM712提供次級保護,而TISP4240M3BJR-S提供主保護。主從保護器件與過流保護之間的協(xié)調(diào)通過TBU-CA065-200-WH完成。表2顯示使用此保護電路的ESD、EFT和電涌瞬變保護電壓級別。
表2:解決方案2保護級別
當瞬變能量施加于保護電路時,TVS將會擊穿,通過提供低阻抗的接地路徑來保護器件。由于電壓和電流較高,還必須通過限制通過的電流來保護TVS。這可采用瞬態(tài)閉鎖單元(TBU)實現(xiàn),它是一個主動高速過流保護元件。此解決方案中的TBU是Bourns TBU-CA065-200-WH。
TBU可阻擋電流,而不是將其分流至地。作為串聯(lián)元件,它會對通過器件的電流做出反應,而不是對接口兩端的電壓做出反應。TBU是一個高速過流保護元件,具有預設(shè)電流限值和耐高壓能力。當發(fā)生過流,TVS由于瞬態(tài)事件擊穿時,TBU中的電流將升至器件設(shè)置的限流水平。此時,TBU會在不足1 μs時間內(nèi)將受保護電路與電涌斷開。在瞬變的剩余時間內(nèi),TBU保持在受保護阻隔狀態(tài),只有極小的電流(<1 mA)通過受保護電路。在正常工作條件下,TBU具有低阻抗,因此它對正常電路工作的影響很小。在阻隔模式下,它具有很高的阻抗以阻隔瞬變能量。在瞬態(tài)事件后,TBU自動復位至低阻抗狀態(tài),允許系統(tǒng)恢復正常工作。
與所有過流保護技術(shù)相同,TBU具有最大擊穿電壓,因此主保護器件必須箝位電壓,并將瞬變能量重新引導至地。這通常使用氣體放電管或固態(tài)晶閘管等技術(shù)實現(xiàn),例如完全集成電涌保護器(TISP)。TISP充當主保護器件。當超過其預定義保護電壓時,它提供瞬態(tài)開路低阻抗接地路徑,從而將大部分瞬變能量從系統(tǒng)和其他保護器件轉(zhuǎn)移開。
TISP的非線性電壓-電流特性通過轉(zhuǎn)移產(chǎn)生的電流來限制過壓。作為晶閘管,TISP具有非連續(xù)電壓-電流特性,它是由于高電壓區(qū)和低電壓區(qū)之間的切換動作而導致的。圖8顯示了器件的電壓-電流特性。在TISP器件切換到低電壓狀態(tài)之前,它具有低阻抗接地路徑以分流瞬變能量,雪崩擊穿區(qū)域則導致了箝位動作。在限制過壓的過程中,受保護電路短暫暴露在高壓下,因而在切換到低壓保護導通狀態(tài)之前,TISP器件處在擊穿區(qū)域。TBU將保護下游電路,防止由于這種高電壓導致的高電流造成損壞。當轉(zhuǎn)移電流降低到臨界值以下時,TISP器件自動復位,以便恢復正常系統(tǒng)運行。
如上所述,所有三個器件與系統(tǒng)I/O協(xié)同工作來保護系統(tǒng)免受高電壓和電流瞬變影響。
圖8:TISP切換特性和電壓限制波形
保護方案3
常常需要四級以上的電涌保護。此保護方案可保護RS-485端口免受最高6 kV電涌瞬變的影響。它的工作方式類似于保護解決方案2,但此電路采用氣體放電管(GDT)取代TISP來保護TBU,進而保護次級保護器件TVS。GDT將針對高于前一種保護機制中所述TISP的過壓和過流應力提供保護。此保護方案的GDT是Bourns公司的2038-15-SM-RPLF。TISP額定電流為220 A,而GDT每個導體的額定電流為5 kA。表3顯示此設(shè)計提供的保護級別。
表3:解決方案3保護級別
GDT主要用作主保護器件,提供低阻抗接地路徑以防止過壓瞬變。當瞬態(tài)電壓達到GDT火花放電電壓時,GDT將從高阻抗關(guān)閉狀態(tài)切換到電弧模式。在電弧模式下,GDT成為虛擬短路,提供瞬態(tài)開路電流接地路徑,將瞬態(tài)電流從受保護器件上轉(zhuǎn)移開。
圖9顯示GDT的典型特性。當GDT兩端的電壓增大時,放電管中的氣體由于產(chǎn)生的電荷開始電離。這稱為輝光區(qū)。在此區(qū)域中,增加的電流將產(chǎn)生雪崩效應,將GDT轉(zhuǎn)換為虛擬短路,允許電流通過器件。在短路事件中,器件兩端產(chǎn)生的電壓稱為弧電壓。輝光區(qū)和電弧區(qū)之間的轉(zhuǎn)換時間主要取決于器件的物理特性。
圖9:GDT特性波形
結(jié)論
本文說明了處理瞬變抗擾度的三種IEC標準。在實際工業(yè)應用中,RS-485通信端口遇到這些瞬變時可能遭到損壞。EMC問題如果是在產(chǎn)品設(shè)計周期后期才發(fā)現(xiàn),可能需要重新設(shè)計,導致計劃延遲,代價巨大。因此,EMC問題應在設(shè)計周期開始時就予以考慮,否則可能后悔莫及,無法實現(xiàn)所需的EMC性能。
在設(shè)計面向RS-485網(wǎng)絡的EMC兼容解決方案時,主要難題是讓外部保護元件的動態(tài)性能與RS-485器件輸入/輸出結(jié)構(gòu)的動態(tài)性能相匹配。
本文介紹了適用于RS-485通信端口的三種不同EMC兼容解決方案,設(shè)計人員可按照所需的保護級別選擇保護方案。EVAL-CN0313-SDPZ是業(yè)界首個EMC兼容RS-485客戶設(shè)計工具,針對ESD、EFT和電涌提供最高四級保護。表4總結(jié)了不同保護方案提供的保護級別。雖然這些設(shè)計工具不能取代所需的系統(tǒng)級嚴格評估和專業(yè)資質(zhì),但能夠讓設(shè)計人員在設(shè)計周期早期降低由于EMC問題導致的項目延誤風險,從而縮短產(chǎn)品設(shè)計時間和上市時間。欲了解更多信息,請訪問www.analog.com/zh/RS485emc
表4:三種ADM3485E EMC兼容解決方案
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