【導(dǎo)讀】雖然很多轉(zhuǎn)換器具有三態(tài)輸出/輸入,但這些寄存器仍然在芯片上。它們使數(shù)據(jù)引腳信號能夠耦合到敏感區(qū)域,因而隔離緩沖區(qū)依然是一種良好的設(shè)計方式。
雖然很多轉(zhuǎn)換器具有三態(tài)輸出/輸入,但這些寄存器仍然在芯片上。它們使數(shù)據(jù)引腳信號能夠耦合到敏感區(qū)域,因而隔離緩沖區(qū)依然是一種良好的設(shè)計方式。
某些情況下,甚至需要在模擬接地層上緊靠轉(zhuǎn)換器輸出提供額外的數(shù)據(jù)緩沖器,以提供更好的隔離。
將數(shù)據(jù)緩沖器放置在轉(zhuǎn)換器旁不失為好辦法,可將數(shù)字輸出與數(shù)據(jù)總線噪聲隔離開(如圖 1 所示)。
數(shù)據(jù)緩沖器也有助于將轉(zhuǎn)換器數(shù)字輸出上的負載降至,同時提供數(shù)字輸出與數(shù)據(jù)總線間的法拉第屏蔽(如圖 2 所示)。
ADC 輸出與緩沖寄存器輸入間的串聯(lián)電阻(圖 1 中標(biāo)示為“R”)有助于將數(shù)字瞬態(tài)電流降至,這些電流可能影響轉(zhuǎn)換器性能。
電阻可將數(shù)字輸出驅(qū)動器與緩沖寄存器輸入的電容隔離開。此外,由串聯(lián)電阻和緩沖寄存器輸入電容構(gòu)成的RC網(wǎng)絡(luò)用作低通濾波器,以減緩快速邊沿。
典型 CMOS 柵極與PCB走線和通孔結(jié)合在一起,將產(chǎn)生約 10 pF 的負載。如果無隔離電阻,1 V/ns的邏輯輸出壓擺率將產(chǎn)生10 mA的動態(tài)電流:
驅(qū)動10 pF 的寄存器輸入電容時,500 ? 串聯(lián)電阻可將瞬態(tài)輸出電流降至,并產(chǎn)生約 11 ns的上升和下降時間:
緩沖寄存器和其他數(shù)字電路應(yīng)接地并去耦至 PC 板的數(shù)字接地層。請注意,模擬與數(shù)字接地層間的任何噪聲均可降低轉(zhuǎn)換器數(shù)字接口上的噪聲裕量。
由于數(shù)字噪聲抗擾度在數(shù)百或數(shù)千毫伏水平,因此一般不太可能有問題。模擬接地層噪聲通常不高,但如果數(shù)字接地層上的噪聲(相對于模擬接地層)超過數(shù)百毫伏,則應(yīng)采取措施減小數(shù)字接地層阻抗,以將數(shù)字噪聲裕量保持在可接受的水平。
任何情況下,兩個接地層之間的電壓不得超過 300mV,否則 IC可能受損。
提供針對模擬電路和數(shù)字電路的獨立電源。模擬電源應(yīng)當(dāng)用于為轉(zhuǎn)換器供電。
如果轉(zhuǎn)換器具有指定的數(shù)字電源引腳(VD),應(yīng)采用獨立模擬電源供電,或者如圖 3 所示進行濾波。所有轉(zhuǎn)換器電源引腳應(yīng)去耦至模擬接地層,所有邏輯電路電源引腳應(yīng)去耦至數(shù)字接地層,如圖 3 所示。
如果數(shù)字電源相對安靜,則可以使用它為模擬電路供電,但要特別小心。
某些情況下,不可能將 VD連接到模擬電源。一些高速IC 可能采用 5 V電源為其模擬電路供電,而采用 3.3 V或更小電源為數(shù)字接口供電,以便與外部邏輯接口。
這種情況下,IC 的 3.3 V引腳應(yīng)直接去耦至模擬接地層。另外建議將鐵氧體磁珠與電源走線串聯(lián),以便將引腳連接到 3.3 V數(shù)字邏輯電源。
采樣時鐘產(chǎn)生電路應(yīng)與模擬電路同樣對待,也接地并深度去耦至模擬接地層。
針對高頻工作的接地
一般提倡電源和信號電流通過“接地層”返回,而且該層還可為轉(zhuǎn)換器、基準電壓源和其它子電路提供參考節(jié)點。但是,即便廣泛使用接地層也不能保證交流電路具有高質(zhì)量接地參考。
圖 4 所示的簡單電路采用兩層印刷電路板制造,頂層上有一個交直流電流源,其一端連到過孔 1,另一端通過一條 U 形銅走 線連到過孔2。
兩個過孔均穿過電路板并連到接地層。理想情況下,頂端連接器以及過孔 1 和過孔2之間的接地回路中的阻抗為零,電流源上的電壓為零。
這個簡單原理圖很難顯示出內(nèi)在的微妙之處,但了解電流如何在接地層中從過孔1流到過孔2,將有助于我們看清實際問題所在,并找到消除高頻布局接地噪聲的方法。
圖 5 所示的直流電流的流動方式,選取了接地層中從過孔 1 至過孔 2 的電阻的路徑。雖然會發(fā)生一些電流擴散,但基本上不會有電流實質(zhì)性偏離這條路徑。
相反,交流電流則選取阻抗的路徑,而這要取決于電感。
電感與電流環(huán)路的面積成比例,二者之間的關(guān)系可以用圖 6 所示的右手法則和磁場來說明。環(huán)路之內(nèi),沿著環(huán)路所有部分流動的電流所產(chǎn)生的磁場相互增強。
環(huán)路之外,不同部分所產(chǎn)生的磁場相互削弱。因此,磁場原則上被限制在環(huán)路以內(nèi)。環(huán)路越大則電感越大,這意味著:對于給定的電流水平,它儲存的磁能(Li2)更多,阻抗更高(XL = jωL),因而將在給定頻率產(chǎn)生更大電壓。
電流將在接地層中選取哪一條路徑呢?自然是阻抗的路徑??紤] U 形表面引線和接地層所形成的環(huán)路,并忽略電阻,則高頻交流電流將沿著阻抗,即所圍面積的路徑流動。
在圖中所示的例子中,面積的環(huán)路顯然是由 U 形頂部走線與其正下方的接地層部分所形成的環(huán)路。
圖 5 顯示了直流電 流路徑,圖 7 則顯示了大多數(shù)交流電流在接地層中選取的路徑,它所圍成的面積,位于 U 形頂部走線正下方。
實際應(yīng)用中,接地層電阻會導(dǎo)致低中頻電流流向直接返回路徑與頂部導(dǎo)線正下方之間的某處。不過,即使頻率低至 1 MHz 或 2 MHz,返回路徑也是接近頂部走線的下方。
采樣時鐘考量
在高性能采樣數(shù)據(jù)系統(tǒng)中,應(yīng)使用低相位噪聲晶體振蕩器產(chǎn)生 ADC(或 DAC)采樣時鐘,因為采樣時鐘抖動會調(diào)制模擬輸入/輸出信號,并提高噪聲和失真底。
采樣時鐘發(fā)生器應(yīng)與高噪聲數(shù)字電路隔離開,同時接地并去耦至模擬接地層,與處理運算放大器和 ADC 一樣。
采樣時鐘抖動對ADC信噪比(SNR)的影響可用以下公式近似計算:
其中,f 為模擬輸入頻率,SNR 為完美無限分辨率 ADC 的 SNR,此時的噪聲源來自 rms 采樣時鐘抖動 tj。
通過簡單示例可知,如果 tj = 50 ps (rms),f = 100 kHz,則 SNR = 90 dB,相當(dāng)于約 15 位的動態(tài)范圍。
應(yīng)注意,以上示例中的 tj 實際上是外部時鐘抖動和內(nèi)部 ADC 時鐘抖動(稱為孔徑抖動)的方和根(rss)值。不過,在大多數(shù)高性能 ADC 中,內(nèi)部孔徑抖動與采樣時鐘上的抖動相比可以忽略。
由于信噪比(SNR)降低主要是由于外部時鐘抖動導(dǎo)致的,因而必須采取措施,使采樣時鐘盡量無噪聲,僅具有可能的相位抖動。
這就要求必須使用晶體振蕩器。有多家制造商提供小型晶體振蕩器,可產(chǎn)生低抖動(小于 5 ps rms)的 CMOS 兼容輸出。
理想情況下,采樣時鐘晶體振蕩器應(yīng)參考分離接地系統(tǒng)中的模擬接地層。但是,系統(tǒng)限制可能導(dǎo)致這一點無法實現(xiàn)。
許多情況下,采樣時鐘必須從數(shù)字接地層上產(chǎn)生的更高頻率、多用途系統(tǒng)時鐘獲得,接著必須從數(shù)字接地層上的原點傳遞至模擬接地層上的ADC。
兩層之間的接地噪聲直接添加到時鐘信號,并產(chǎn)生過度抖動。抖動可造成信噪比降低,還會產(chǎn)生干擾諧波。
通過使用小型射頻變壓器(如圖8所示)或高速差分驅(qū)動器和接收機,將采樣時鐘信號作為差分信號傳輸,可在一定程度上解決這個問題。
如果使用后者,應(yīng)該選擇ECL來地減小相位抖動。在單個 5 V電源系統(tǒng)中,ECL邏輯可在地面和 5 V(PECL)之間連接,輸出端交流耦合到ADC采樣時鐘輸入。
不管是哪種情況,原始主系統(tǒng)時鐘必須從低相位噪聲晶體振蕩器產(chǎn)生。
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